【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０の表面から所定の深さの範囲において基板の表面に水平方向に形成した、多結晶シリコンの多結晶粒を有してなる内部改質層１４を形成する工程と、基板１０を内部改質層１４又は内部改質層１４近傍において割断する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄いシリコン基板を製品率を確保して提供する。
【解決手段】レーザ光源１６０、集光レンズ１７０、収差調整板１８０から基板１０にレーザ光１９０を集光し、レーザ光１９０と基板１０を相対的に移動させて、基板１０に内部改質層１４を形成し、内部改質層１４は、基板１０の表面から所定の深さの範囲に多結晶シリコンの多結晶粒を有してなり、当該内部改質層１４は、基板１０の深さ方向に非対称な構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 高精度なチップへと切り出しが可能な水晶振動子の製造方法を提供することである。
【解決手段】 水晶振動子の製造方法であって、所定厚みの水晶板を準備する水晶板準備ステップと、準備した該水晶板の厚みと所望の周波数を発振するための水晶振動子チップの体積とに基づいて、切り出すべき水晶振動子チップの寸法を算出する寸法算出ステップと、該寸法算出ステップで算出した寸法に基づいて、該水晶板に対して透過性を有する波長のレーザビームをその集光点を該水晶板の内部に位置付けて照射して該水晶板内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、該水晶板に外力を付与して個々の水晶振動子チップへと分割する分割ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板等をレーザ光によってスクライブする際に、簡単な装置構成で、適切な広さの改質領域を形成できるようにし、また、基板に形成された素子へのダメージを抑える。
【解決手段】この方法は、パルスレーザ光を脆性材料基板に照射して分断予定ラインに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを備えている。第１工程は、パルスレーザ光を基板に照射するとともに、分断予定ラインに沿って走査し、基板の表面及び裏面から離れた内部に、分断予定ラインに沿った改質層を形成する工程である。第２工程は、ビーム強度の調整されたパルスレーザ光を基板に照射するとともに、パルスレーザ光の焦点位置を固定して分断予定ラインに沿って走査し、改質層を起点として基板の表面に到達しない深さまで進行する複数の線状加工痕を分断予定ラインに沿って周期的に形成する工程である。 （もっと読む）

【課題】ウェハのレーザー加工時において、該ウェハの裏面に貼付されたフィルム越しにレーザー光を照射しても、ウェハの内部に安定した改質層が形成できるようにする。
【解決手段】金属膜の形成されたウェハ１３の表面に対向する該ウェハ１３の裏面に透明なエキスパンドテープ１５を貼付し、該ウェハ１３の表面を下向きにして液槽１２の所定の位置へ搬送する。その後、液槽１２に液体１１を充填し、ウェハ１３を液体１１の液面で支持する。さらに、レーザーヘッド４０及びコンデンスレンズ２４を含むレーザー照射部を、制御部５０の制御によってＸＹＺθ方向へ駆動させ、ウェハ１３に対してエキスパンドテープ１５越しにレーザー光Ｐを照射して、該ウェハ１３の内部又は表面の改質を行う。ウェハ１３の内部又は表面の改質後に液槽１２から液体１１を排出し、改質層の形成されたウェハ１３の領域で分割離間してチップを生成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ウェーハの内部に改質層を精度良く形成することができるレーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を透過可能に形成されたウェーハテーブル２０の保持面２２ＡにはウェーハＷの裏面側が屈折液２６を介在させた状態で密着保持される。これにより、ウェーハが撓みなく平坦な状態で保持される。そして、レーザ光をウェーハＷの裏面側からウェーハテーブル２０を介して照射することにより、ウェーハＷの内部に改質層を精度良く形成することが可能となる。また、ウェーハＷの表面に一切触れることなく、ダイシング処理を行うことができる。したがって、ウェーハＷの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ダイシング処理を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザー加工方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー加工方法によれば、スキャナー又はポリゴンミラーを用いてレーザービームを動くようにスキャンし、斜角方向に対象物へ照射することにより、対象物を効率よくスクライビング又は切断することができる。 （もっと読む）

【課題】分割すべき領域の内部にレーザー光線を十分に集光させること。
【解決手段】改質層形成工程を実行する前に、ワーク１の表面にワーク１に対して吸収性を有するレーザー光線ＬＢを照射してワーク１の表面に存在する凹凸１０１を除去する。これにより、改質層形成工程を実行する際に、ワーク１の表面に存在する凹凸１０１によってレーザー光線ＬＢが散乱されることにより、分割すべき領域の内部にレーザー光線ＬＢを十分に集光できなくなることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンデバイスをチップの状態で扱う際に、割れや欠けによってシリコンデバイスが損なわれることを抑制することができるシリコンデバイス、及びシリコンデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンデバイスの製造方法は、平面視において多角形の外形形状を有する平板状のシリコンデバイスを製造するシリコンデバイスの製造方法であって、シリコンデバイスが区画形成されたデバイスマザー基板に貫通孔を形成することによって、多角形の角部を形成する角部形成工程と、デバイスマザー基板をシリコンデバイスに分離する分離工程と、を有する。シリコンデバイスの多角形の角部の少なくとも１個は、多角形を構成する複数の辺における、互いに隣り合って位置している２個の辺と、２個の辺のそれぞれに接して辺を接続する角部曲線部とで形成されており、角部形成工程において角部曲線部を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ｃ面とオフ角分の角度を成す主面を有する六方晶系ＳｉＣ基板を備える板状の加工対象物を切断予定ラインに沿って精度良く切断することができるレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】 ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。続いて、パルス発振されたレーザ光Ｌの集光点ＰをＳｉＣ基板１２の内部に合わせて、パルスピッチが１０μｍ〜１８μｍとなるように切断予定ライン５ａ，５ｍに沿ってレーザ光Ｌを加工対象物１に照射する。これにより、切断予定ライン５ａ，５ｍに沿って、切断の起点となる改質領域７ａ，７ｍをＳｉＣ基板１２の内部に形成する。 （もっと読む）