【課題】 レーザ加工溝を越えてチッピングが発生することを抑制し、デバイスを損傷させる恐れのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 表面に低誘電率絶縁膜を含む積層体が積層され、該積層体によって格子状に交差する複数の分割予定ラインと該分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、該積層体に対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して、該積層体を分断するレーザ加工溝を形成するレーザ加工溝形成ステップと、該レーザ加工溝形成ステップで形成されたレーザ加工溝に沿ってウエーハにレーザビームを照射して、該レーザ加工溝の底面に歪を形成する歪形成ステップと、該歪形成ステップを実施した後、該レーザ加工溝に沿って切削ブレードでウエーハを切削する切削ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の分割のための処理時間を短縮することができ、ゴミの発生が防止されたガラス基板のレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源から、波長が２５０〜４００ｎｍのパルスレーザ光を出射し、このレーザ光を切断予定線に沿う長さが短い第１のレーザビーム１０に成形して、切断予定線に沿う距離が長い第１の間隔でガラス基板に照射する。次いで、切断予定線に沿う長さが長い第２のレーザビーム２０に成形して、切断予定線に沿う距離が短い第２の間隔でガラス基板に照射する。このとき、第１のレーザビーム１０間の非照射位置と第２のレーザビーム２０の照射位置とが対応するように、第１及び第２のレーザビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】通常はレーザーカットできない素材であっても、カットが可能になって量産性に優れる電極製造方法及びレーザーカット装置を提供する。
【解決手段】電極集電箔(１２１１)及び電極活物質層(１２１２)を含む電極素材シート(１２１０)に形成された樹脂層(１２１３)を切断して電極(１２１)を製造する方法であって、樹脂層(１２１３)が形成された電極活物質層(１２１２)にレーザーを照射して電極活物質成分を蒸発させることで発生した蒸発ガスによって樹脂層(１２１３)を切断する溶融切断工程を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上の薄膜材料のスクライブ加工に好適なレーザパルスを用いる方法及び装置を提供する。
【解決手段】光パルスを生成するように動作可能なレーザを用意するステップを含む。光パルスは、第１のパワーレベルを光パルスの第１の部分の期間中有し、第１のパワーレベル未満の第２のパワーレベルを光パルスの第２の部分の期間中有する時間プロファイルを特徴とする。この方法はまた、光パルスをＣｄＴｅ太陽電池構造に当てるように誘導するステップを含む。ＣｄＴｅ太陽電池構造は、基板、基板に隣接する透過スペクトル制御層、透過スペクトル制御層に隣接するバリア層、及びバリア層に隣接する導電層を含む。この方法はまた、導電層の除去加工を開始するステップと、絶縁層を除去する前に除去加工を終了するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することを可能にするレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 レーザ加工装置１００は、載置台１０７と、レーザ光源１０１と、レーザ光源１０１で発生されたパルスレーザ光Ｌを、載置台１０７に載置されたウェハ２に集光する集光用レンズ１０５と、制御部１２７と、を備える。ウェハ２における基板の厚さが５０μｍ〜２００μｍの場合において、制御部１２７は、予め決定されたデータに基づいて該基板の内部に集光点Ｐを合わせて基板にパルスレーザ光Ｌを照射させ、形成される改質部分を切断予定ライン５に沿って該基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断予定ライン５の延びる方向に断続的に複数形成させることで、改質領域を該基板の内部にのみ形成させる。 （もっと読む）

【課題】シート体に対してカット加工を行う際のクラックの発生を防止しつつ汚れの付着を防止する。
【解決手段】シート体を保持する保持具１５を有する本体部２と、保持具１５によって保持されているシート体に対してカット加工を行うカット装置３とを備え、カット装置３は、シート体の一面側からシート体に対してレーザーを照射してカット加工を行い、保持具１５は、吸気によってシート体の他面を吸着して保持する第１保持部１１ａおよび第２保持部１１ｂと、シート体の他面に向けて気体を吹き出させる吹き出し部１２とを備えて構成され、本体部２は、シート体に対するレーザーの照射によって発生する煙を吸引する吸引部１３をさらに備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハの厚さ、不純物のドープ量等によって、赤外線の吸収量が変動して、表面に形成されているパターンの認識、及びストリート位置の検出が困難になる。
【解決手段】 表面に、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、チップ領域の間にストリートとが画定された半導体ウエハの表面に、ストリートに沿って溝を形成する。半導体ウエハの裏面から、半導体ウエハを通して溝の位置を検出する。溝が検出された位置に基づいて、半導体ウエハに、裏面からレーザビームを入射させることにより、溝に対応する位置の半導体ウエハを改質させて改質領域を形成する。溝及び改質領域の位置で、半導体ウエハを小片に分離する。 （もっと読む）

【課題】脆性材料からなる基板に対して、破断部やクラックを殆ど生成することなく、レーザ加工によって貫通溝を形成することができる、レーザ加工方法及びレーザ加工装置を、提供する。
【解決手段】脆性材料からなる基板１に、レーザ光９を照射して貫通溝を形成する、レーザ加工方法であって、レーザ光９を照射して、前記基板１の両表面１１，１２の内の一方の表面に、前記貫通溝を形成するための予備加工、例えば有底溝１１１を形成する加工、を行う、予備工程と、前記基板の他方の表面に、レーザ光９を照射して、前記貫通溝を形成する本加工を行う、本工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】切断端面の形状が良好でコストの増大を抑制可能なレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】この発明に従ったレーザ加工方法は、加工対象材を準備する工程（Ｓ１０）と、加工対象材にレーザ光を照射することにより、加工対象材に改質領域を形成する工程（Ｓ２０）とを備える。上記工程（Ｓ２０）では、連続スペクトルを有するパルス状のレーザ光をレンズで集光することにより、レーザ光の連続スペクトルを形成する所定バンドの複数の焦点により構成される集光線が形成され、当該集光線の少なくとも一部が加工対象材の表面に位置するように、レーザ光を加工対象材に照射し、集光線の軸線上に改質領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームがウエーハをオーバーランしてもダイシングテープが溶融及び酸化することのないウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に備えたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面を外周部が環状フレームに貼着されたダイシングテープに貼着し、ウエーハをダイシングテープを介して環状フレームで支持する支持工程と、環状フレームに支持されたウエーハをダイシングテープを介してレーザ加工装置のチャックテーブルで吸引保持する保持工程と、第１の強度のレーザビームを分割予定ラインに対応する領域に照射してウエーハの表面に分割溝を形成する分割溝形成工程と、分割予定ラインの延長線上の外周余剰領域に該第１の強度より低く該ダイシングテープを溶融しない第２の強度のレーザビームを照射して、分割を誘導する誘導溝を形成する誘導溝形成工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）