本発明は、湿式法シリカ、ニッケル−リンを酸化させる薬剤及びアミノポリカルボン酸を含み、ｐＨが１〜５である化学機械研磨組成物と、ニッケル−リンを含む基材の表面を接触させること、及び、ニッケル−リンの少なくとも一部分を磨耗し、前記基材を研磨することを含む、基材の表面を化学機械研磨する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】研磨面を介して内部に研磨粒子が進入不能でも研磨傷の発生を抑制し研磨レートを向上させることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、ポリウレタン樹脂で形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、被研磨物を研磨加工するための研磨面Ｐを有している。ウレタンシート２では、研磨面Ｐに砥粒が通過可能な開孔が形成されておらず、研磨面Ｐを介してウレタンシート２の内部に、砥粒が進入不能に形成されている。ウレタンシート２では、反発弾性率が２〜３０％の範囲に設定されている。研磨加工時に、研磨液中の砥粒によりウレタンシート２の研磨面Ｐが変形してもその変形回復力が小さくなり、砥粒を保持しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の製造における被研磨面の研磨において、高い研磨速度を持ち、ディッシングやエロージョンの発生を抑制できる研磨剤を提供する。
【解決手段】 半導体集積回路装置の被研磨面を研磨するための化学的機械的研磨用研磨剤中に（Ａ）酸化物微粒子と（Ｂ）プルランと（Ｃ）水とを含有させる。さらに、（Ｄ）酸化剤と、（Ｅ）式（１）で表される化合物（ただし、Ｒは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはカルボン酸基である。）とを含有させてもよい。
【化１】
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【課題】
本発明は、表示装置用基板に設けられたバリアメタル層を化学機械研磨する工程において、研磨速度の面内均一性を確保でき、かつ被研磨面の面内平坦性のばらつきを抑制することができる化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および該化学機械研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】
本発明者らは（Ａ）砥粒と、（Ｂ）有機酸、および（Ｃ）Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｕよりなる群から選択される一種以上の原子を含有し、前記（Ａ）砥粒の長径Ｒｍａｘと、短径Ｒｍｉｎの比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．０〜１．５であり、前記（Ｃ）成分が１．０×１０^２〜１．０×１０^４ｐｐｍである、表示装置用基板に設けられたバリアメタル層を研磨するための化学機械研磨用水系分散体を用いて前記課題を解決できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】必要とされている平坦度を確保しつつ表面及び裏面が共に鏡面である場合に生ずる支障を解消することができる半導体ウェーハの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体ウェーハの製造方法は、ウェーハの研磨に先立ってエッチングを終えたウェーハの表面のみの研削を行う表面研削加工（工程Ｓ１５）と、無砥粒研磨剤を用いてウェーハの表面及び裏面を同時に研磨し、ウェーハの表面を鏡面にするとともに裏面を曇化状態にする一次研磨加工（工程Ｓ１７）とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板を研磨する用途においてより好適に使用可能な研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、砥粒、ピペラジン、強電解質塩及び水を含有する。研磨用組成物中の強電解質塩に対するピペラジンのモル比は０．０７〜１．２の範囲にある。研磨用組成物中のピペラジンの含有量は０．０２ｍｏｌ／Ｌ以上であり、研磨用組成物中の強電解質塩の含有量は０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上である。 （もっと読む）

本発明は、研磨面（１６）を有する弾力性のあるクッション（１２）を支持する球状表面（１４）を有する剛体ベース（１１）を備え、剛体ベース（１１）の直径は５０乃至６５ｍｍ、球状表面（１４）の曲率半径は５４乃至６０ｍｍ、クッション（１２）の厚さは１３乃至１６ｍｍ、クッション（１２）の圧縮抵抗は１０％の圧縮で実質的に０．０８１６乃至０．１５３０ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．０８乃至０．１５ｂａｒ）、７０％の圧縮で実質的に０．５６０８乃至０．８１５８ｋｇｆ／ｃｍ^２（０．５５乃至０．８ｂａｒ）である光学表面（２１）を磨くためのツール（１０）に関する。また、本発明は、光学表面、特に眼科用レンズ、さらに具体的にはフリーフォームレンズを磨くためのそのようなツールの使用方法に関する。 （もっと読む）

【課題】研磨面を介して内部に研磨粒子が進入不能でも研磨傷の発生を抑制し研磨レートを確保しつつ被研磨物の平坦性を向上させることができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、ポリウレタン樹脂で形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、被研磨物を研磨加工するための研磨面Ｐを有している。ウレタンシート２では、研磨面Ｐに砥粒が通過可能な開孔が形成されておらず、研磨面Ｐを介してウレタンシート２の内部に、砥粒が進入不能に形成されている。ウレタンシート２では、ヒステリシスロス率が５〜４０％の範囲に設定されている。研磨加工時に、研磨液中の砥粒によりウレタンシート２の研磨面Ｐが変形してもその変形が短時間で回復し、砥粒が移動しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、凹凸の鋭角性に優れるテクスチャー痕を均一で且つ微細に形成することができるとともに、スクラッチ欠点、リッジ欠点が少ないという高精度なテクスチャー加工を施すことができる研磨布を提供するものである。
【解決手段】本発明の研磨布は、平均繊維径０．１〜３μｍの極細繊維からなる不織布と高分子弾性体とを含んで構成され、少なくとも片面に前記極細繊維からなる立毛を有し、前記立毛における極細繊維の少なくとも一部にカチオン性界面活性剤を有してなることを特徴とする研磨布である。 （もっと読む）

【課題】 システムインパッケージによる半導体素子の実装工程において、基板表面にダマシン法を利用して銅配線を形成するに際し、基板表面に形成された溝および孔に埋め込まれ、配線になる銅を削り取ることなく、すなわちディッシング、シニングなどを起こすことなく、余分な部分の銅膜を短時間で研磨除去し、かつ高い平坦性を有する研磨面を得る。
【解決手段】 ダマシン法におけるＣＰＭ工程において研磨定盤１に貼着された研磨パッド２に、基板３の被研磨面３ａが研磨パッド２に接するように基板３を載置し、その上から加圧ヘッド４を押し付け、研磨定盤１と加圧ヘッド４との回転により基板３の被研磨面３ａを研磨する際に、研磨パッド２に供給される研磨スラリーの研磨剤として、非真球状コロイダルシリカ、有機酸、酸化剤および研磨速度促進剤を含有し、さらに、腐食防止剤を含有し、残部が水であることを特徴とする金属膜研磨組成物を用いる。 （もっと読む）