【課題】
本発明は、銅などの金属膜、タンタルなどのバリアメタル膜、絶縁膜の研磨性能に優れると同時に、簡単な工程を経ることにより繰り返し使用することの可能な化学機械研磨用水系分散体、化学機械研磨用水系分散体の製造方法および化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】
本発明者らは（Ａ）砥粒と、（Ｂ）有機酸、および（Ｃ）Ｔａ、Ｔｉ、Ｒｕよりなる群から選択される一種以上の原子を含有し、前記（Ａ）砥粒の長径Ｒｍａｘと、短径Ｒｍｉｎの比率Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎが１．０〜１．５であり、前記（Ｃ）成分が１．０×１０^１〜１．０×１０^３ｐｐｍである化学機械研磨用水系分散体を用いて前記課題を解決できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】研磨特性に優れ、かつ機械的強度および加工性に優れる化学機械研磨パッドの研磨層を形成するための組成物を提供すること。
【解決手段】少なくとも下記（ａ１）〜（ａ４）成分を、下記（１）および（２）の条件を満足する割合で混合して反応させて得られる熱可塑性ポリウレタン（Ａ）と、架橋剤（Ｂ）とを含む、化学機械研磨パッドの研磨層形成用組成物。（ａ１）２個のイソシアネート基を有するモノマー、（ａ２）２個の水酸基を有するモノマー、（ａ３）１個以上の水酸基および１個以上の炭素−炭素二重結合を有する、数平均分子量が５００〜２５００であるオリゴマー、（ａ４）２個以上の水酸基を有し、かつエーテル結合などを有する、数平均分子量が５００〜２５００であるオリゴマー、（１）Ｍ−１／Ｍ−ＯＨの値が０．８５〜１．１０であり、（２）Ｍ−２／Ｍ−ＯＨの値が０．４５〜０．８０である。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの研磨中に研磨パッド表面から異物を除去し、スクラッチの発生を抑制する研磨パッドクリーニング装置および半導体ウェハの研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドクリーニング装置１は、研磨パッドの表面をクリーニングするためのものである。研磨パッドクリーニング装置１は、研磨パッドの表面に当接させるための平面１ａと、その平面１ａ内に配置された吸引口１ｃ₁とを有している。その吸引口１ｃ₁の端部と平面１ａの端部との最短距離Ｓ１が２０ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】研磨速度が高く、被研磨物の平坦性に優れ、被研磨物のスクラッチが少ないなどの研磨特性を有する化学機械研磨パッドの研磨層形成用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）炭素−炭素二重結合を側鎖に有するポリウレタンと、（Ｂ）架橋剤とを含む、化学機械研磨パッドの研磨層形成用組成物。前記ポリウレタン（Ａ）は、少なくとも（Ａ１１）１個以上の水酸基および１個以上の炭素−炭素二重結合を有する化合物と、（Ａ１２）前記成分（Ａ１１）とは異なるポリオール化合物と、（Ａ１３）少なくとも２個の活性水素基を有する、前記成分（Ａ１１）および（Ａ１２）とは異なる有機化合物と、（Ａ２）１個以上のイソシアネート基を有する、前記成分（Ａ１１）とは異なる化合物とを反応させて得られるポリウレタンであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも銅膜を高速に研磨しつつ、銅膜の表面粗さやスクラッチなどの表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体を提供する。さらに、該化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、および該化学機械研磨用水系分散体を用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）アミノ酸と、（Ｂ）砥粒と、（Ｃ）界面活性剤と、（Ｄ）酸化剤と、（Ｅ）アンモニアと、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記アミノ酸の含有量（Ｗ_Ａ）と前記酸化剤の含有量（Ｗ_Ｄ）との比率（Ｗ_Ａ／Ｗ_Ｄ）は、１．５〜６．０であり、かつ、前記アンモニアの含有量（Ｗ_Ｅ）と前記酸化剤の含有量（Ｗ_Ｄ）との比率（Ｗ_Ｅ／Ｗ_Ｄ）は、０．０５〜０．６であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ、特にダマシン法による銅系配線形成におけるＣＭＰ研磨における第１研磨において、銅の研磨速度を大きく損ねることなく、良好な銅研磨特性（耐銅腐食、ディッシング抑制）を与えるＣＭＰ用研磨組成物を提供すること。
【解決手段】銅（II）またはニッケル（II）の化合物０．０５〜５質量％、研磨砥粒０．０１〜１０質量％、および酸化剤０．０１〜１０質量％を含有してなることを特徴とするＣＭＰ用研磨組成物、および当該ＣＭＰ用研磨組成物を使用することを特徴とする銅膜のＣＭＰ研磨方法。 （もっと読む）

本開示は、多孔質研磨エレメントを用いた研磨パッド、並びにそのパッドの製造方法及び研磨工程での使用方法に関する。例示的一実施形態では、研磨パッドは多数の研磨エレメントを含み、少なくともその幾つかは多孔質であり、１つ又は複数の他の研磨エレメントに対して研磨エレメントの横方向の動きを制限するように夫々の研磨エレメントを支持層に取り付けるが、研磨エレメントの研磨表面に垂直な軸では移動可能である。ある実施形態では、研磨パッドは支持層、及び更には、研磨組成物分布層の上に複数の研磨エレメントを配置及び適宜取り付けるために配置したガイド板を含んでもよい。幾つかの実施形態では、細孔が実質的に多孔質研磨エレメントの全体にわたって分布している。他の実施形態では、細孔が実質的にエレメントの研磨表面に分布している。
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【課題】工程数を削減し、かつ半導体ウェーハの取り代を低減して、半導体材料のカーフロスを削減して安価に半導体ウェーハを得る。
【解決手段】結晶性インゴットから半導体ウェーハを切り出すスライス工程と、半導体ウェーハの加工歪緩和と、半導体ウェーハの端面を所定の面取り形状にする仕上げ面取りとを同時に行う第１枚葉式化学処理工程と、第１枚葉式化学処理工程を行った第１片面を仕上げ研磨する第１片面仕上げ研磨工程と、半導体ウェーハの加工歪緩和と、半導体ウェーハの端面を所定の面取り形状にする仕上げ面取りとを同時に行う第２枚葉式化学処理工程と、第２枚葉式化学処理工程を行った第２片面を仕上げ研磨する第２片面仕上げ研磨工程とを具え、第１片面仕上げ研磨工程後、半導体ウェーハの性状を観察し、この観察結果に基づく適正な条件下で、第２枚葉式化学処理工程および第２片面仕上げ研磨工程を行なう。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハーなどの微粒子固形分を含む金属研磨原液のろ過を、凝集剤などの薬品を一切使用することなく効率的にろ過脱水処理して、脱水ケーキからシリコンとしての再使用を可能とした金属研磨液のろ過脱水方法とその装置を提供すること。
【解決手段】微粒子固形分を含む金属研磨原液を凍結機（４）により凍結し、それを融解機（８）により融解してから、この原液を固液分離機（１４）に供給して脱水ケーキとろ過液に分離し、脱水ケーキを系外に排出する。 （もっと読む）

【課題】スラリーを使用する化学機械的研磨工程に、過硫酸塩を含む溶液を供給する方法であって、過硫酸塩の有効成分量を迅速に計測管理する薬液供給方法及び装置を提供する
【解決手段】粉末または固形物の過硫酸塩を溶媒に溶解して所望濃度の過硫酸塩溶液として、スラリーを使用する化学機械的研磨工程に供給する薬液供給装置であって、溶解直後における導電率（Ｅｎ）を測定することによって過硫酸塩溶液の初期濃度（Ｃｎ）を算出し、その後、薬液供給時における導電率（ｅｎ）を測定し、薬液供給時における過硫酸塩溶液の分解変化率（ΔＣｎ）／（ΔＥｎ）を算出することにより、薬液供給時の過硫酸塩溶液の濃度（Ｃ）を計算して、酸化力の低下を管理する薬液供給方法及び装置を構成したことにある。 （もっと読む）