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国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

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【課題】研磨傷低減を可能とした酸化セリウム粒子を、より効率良く安定的に得ることが可能な製造方法、その製造方法により得られる酸化セリウム粒子、この酸化セリウム粒子を含む研磨液及びこれを用いた研磨法を提供する。
【解決手段】酸化セリウム粒子の製造方法において、(I)炭酸セリウムと有機酸とを加熱混合し加熱混合粉体を得る工程、(II)該加熱混合粉体を焼成して酸化セリウム粉体を得る工程、(III)該酸化セリウム粉体を粉砕して、酸化セリウム粒子を得る工程、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】研磨レートを高めた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置1が、被研磨物10を研磨するための研磨砥粒を含んだ研磨液22を貯留する容器21と、容器21に貯留された研磨液22中において被研磨物10を保持する保持部材26と、被研磨物10の被研磨面11を研磨するため研磨液22に流れを与えることにより研磨液22を被研磨面11に当接させる研磨部材45と、研磨液22中における被研磨面11から近く離れた位置に研磨部材45を保持して回転可能な回転ヘッド部32とを備え、研磨部材45は、回転ヘッド部32と連結されて回転可能な基部46と、当該基部46の外側に形成され、基部46とともに回転して研磨液22を掻くことで研磨部材45と被研磨面11との間に位置する研磨液22に流れを与える凸部47とを有して構成される。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの配線形成工程において、エッチング速度を低く保ちつつ、研磨速度を充分上昇させ、金属表面の腐食とディッシングの発生を抑制し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液を提供する。
【解決手段】 酸化剤、酸化金属溶解剤、第一の金属防食剤、第二の金属防食剤及び水を含有し、
前記第一の金属防食剤が、トリアゾール環の炭素にアミノ基が結合したアミノ−トリアゾール骨格を有する化合物であり、
前記第二の金属防食剤が、
下記一般式(I)


(一般式(I)中、R、R及びRは、それぞれ独立して水素原子、アミノ基、又はC〜C12のアルキル鎖を示す。ただし、R、R及びRのすべてが水素原子である場合を除く。)
で表されるイミダゾール骨格を有する化合物及びアミノ基を有さないトリアゾール骨格を有する化合物から選ばれる少なくとも一種である
金属用研磨液。 (もっと読む)


【課題】加工後のワーク12の平面精度及び面粗さを予め計画した形状に加工できるように上下研磨板10及び11の加工面の形状を維持しつつワーク加工面12に転写できる研磨装置を提供する。
【解決手段】加工中のワーク12と上研磨板10及び下研磨板11との摩擦抵抗は、各軸を駆動する電動機の電流値を検知することにより、予め設定された電流値になるように上下研磨板の回転数、研磨剤の供給量及びワーク12への加工圧力を検知しつつ、ワーク12が予め設定された形状に達するように上研磨板10及び下研磨板11からのワーク12加工面の荷重、加工速度及び加工面に供給する研磨剤の供給量を制御し、加工後のワーク12の平面精度及び面粗さを予め計画した形状に加工をおこなう平面研磨装置とする。 (もっと読む)


【課題】導体膜表面の局所的な腐食の発生を抑制し、かつ、迅速な導体膜の研磨速度が得られ、さらにディッシングが少なく、被研磨面の平坦性を向上させることが可能な金属用研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】(a)アルキレンオキシ鎖の一端に、芳香環を有する炭化水素基を有し、他端に、ヒドロキシ基を有する非イオン性界面活性剤、(b)金属防食剤、(c)酸化剤、(d)有機酸、および、(e)砥粒を含有し、半導体デバイスの製造工程における主として銅又は銅合金からなる導体膜の化学的機械的研磨に用いられる金属用研磨液である。前記(b)金属防食剤は、テトラゾール又はその誘導体であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】発泡構造を均一化することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド1は発泡構造のポリウレタンシート2を有している。ポリウレタンシート2は、イソシアネート基含有化合物を主成分とし、研磨加工時に被研磨物にスラリを介して当接する研磨面Pを有している。ポリウレタンシート2には、半球体状で樹脂製の外殻を有する微粒子3が略均等、略均一に分散されている。外殻の中央部には中空状の窪みが形成されている。微粒子3の窪みには発泡成分が配されている。ポリウレタンシート2の内部には、微粒子3の窪みに配した発泡成分により気孔6が略均等かつ略均一に形成されている。微粒子3は気孔6に内包されている。発泡成分が発生するガスの分で気孔6が形成される。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨中において研磨層のダメージを抑制することができ、かつ製品寿命が長い化学機械研磨パッド、及びその化学機械研磨パッドを用いて行うことにより高品位な化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨パッドは、化学機械研磨に用いられる化学機械研磨パッドであって、被研磨物と接触して化学機械研磨を行う研磨面と、研磨面の反対側にある非研磨面と、研磨面における中央部を含む領域に設けられた第1の凹部と、非研磨面における第1の凹部の少なくとも一部と対向する位置に設けられた第2の凹部と、を有する研磨層を含む。 (もっと読む)


【課題】ハードマスク膜などの絶縁膜が所望の研磨量だけ研磨されたときに研磨を終了させることができる研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明は、溝を有する絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたバリア膜と、バリア膜上に形成された金属膜とを有し、金属膜の一部が金属配線として溝内に形成されている基板を研磨する研磨方法である。この研磨方法は、金属膜を除去する第1研磨工程と、第1研磨工程後、バリア膜を除去する第2研磨工程と、第2研磨工程後、絶縁膜を研磨する第3研磨工程とを有し、第2研磨工程および第3研磨工程の間、基板の研磨状態を渦電流センサでモニタし、渦電流センサの出力信号値が所定の閾値に達したときに第3研磨工程を終了する。 (もっと読む)


【課題】 修正ツールの加工や検査をポリッシング盤の近くで容易に行うことのできるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係るポリッシング装置20は、被加工物をポリッシングするポリッシング盤22と、ポリッシング盤22の表面形状を修正する円盤状の修正ツール26と、修正ツール26の外周面に回転力を与えて修正ツール26を回転させる駆動ローラー60とを有するポリッシング装置において、修正ツール26を上下反転させる反転手段が設けられている。 (もっと読む)


【課題】比較的低コストの方法を用いて製造することができると共に、使用の前にほとんどまたは全く調整を必要としない研磨パッドを提供する。
【解決手段】多孔質発泡体を含む、化学機械研磨用の研磨パッド、およびそれらの生産のための方法。1つの態様において、多孔質発泡体は、50μm以下の平均孔径を有し、75%以上の孔が平均孔径の20μm以内の孔径を有する。他の態様において、多孔質発泡体は、20μm以下の平均孔径を有する。更に他の態様において、多孔質発泡体は、多峰性の孔径分布を有する。生産の方法は、(a)ポリマー樹脂を、高い温度および圧力にガスを晒すことにより生成される超臨界ガスと組み合わせて単相溶液を生成すること、および(b)該単相溶液から研磨パッドを形成することを含み、該超臨界ガスはガスを高い温度および圧力に晒すことによって発生させる。 (もっと読む)


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