【課題】連続プロセスにより、高収率で効率のよい四フッ化ホウ酸塩の製造を可能にする四フッ化ホウ酸塩の製造方法、四フッ化ホウ酸塩を含む電解液、及びその電解液を備える蓄電素子を提供する。
【解決手段】本発明の四フッ化ホウ酸塩の製造方法は、有機溶媒に三フッ化ホウ素ガスを溶解させる第１工程と、前記三フッ化ホウ素に対し等価又はそれ以下の化学量論量のフッ化物（ＭＦｎ Ｍは金属又はＮＨ４、１≦ｎ≦３）を前記有機溶媒に加え、四フッ化ホウ酸塩の溶液を生成させる第２工程と、前記四フッ化ホウ酸塩の溶液を前記第１工程に循環させることにより、前記有機溶媒に代えて四フッ化ホウ酸塩の溶液に三フッ化ホウ素ガスを溶解させる第３工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

光ファイバーからＳｉＣｌ_４を含むかまたは含まないＧｅＣｌ_４を生成させるための方法が提供され、その方法は、ゲルマニウムおよび場合によってケイ素の酸化物を含む粉末状にした光ファイバーを、固体の炭素質還元剤、塩素およびホウ素化合物を含む反応物と、次の反応：２ＢＣｌ_３（気体）＋１．５ＧｅＯ_２ → １．５ＧｅＣｌ_４（気体）＋Ｂ_２Ｏ_３；２ＢＣｌ_３（気体）＋１．５ＳｉＯ_２ → １．５ＳｉＣｌ_４（気体）＋Ｂ_２Ｏ；Ｂ_２Ｏ_３＋１．５Ｃ＋３Ｃｌ_２ → ２ＢＣｌ_３（気体）＋１．５ＣＯ_２；に従って反応させて、気体のＧｅＣｌ_４、ＳｉＣｌ_４および気体のＢＣｌ_３を含む気体生成物を得るステップと、次に、該気体のＧｅＣｌ_４、ＢＣｌ_３および場合によってＳｉＣｌ_４を、液体のＧｅＣｌ_４、ＢＣｌ_３および場合によってＳｉＣｌ_４に凝縮させるステップとを含む。本発明は、光ファイバーの製造および廃棄した光ケーブルから得られるガラス質残分からＳｉＣｌ_４（および場合によってＧｅＣｌ_４）を生成させる方法をさらに提供する。その方法は、粉末状にしたガラス質残分を固体の炭素質還元剤、塩、ホウ素化合物を含む反応物と反応させて、ＳｉＣｌ_４、ＢＣｌ_３、および場合によってＧｅＣｌ_４を含む気体生成物を得るステップと、次にその気体のＳｉＣｌ_４、ＢＣｌ_３（ＧｅＣｌ_４を含むか含まない）を液体のＳｉＣｌ_４、ＢＣｌ_３およびＧｅＣｌ_４に凝縮するステップとを含む。ＳｉＯ_２を含有する材料からＳｉＣｌ_４を製造する方法も提供される。
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【課題】負極、正極、セパレーター及び非プロトン系溶媒中で運搬されるリチウム系電解質を含むリチウム二次バッテリー及び電解質組成物、並びにバッテリー活性材料を精製する方法を提供する。
【解決手段】電解質は、少なくとも一種の溶媒と、式：Ｌｉ₂Ｂ₁₂Ｆ_xＨ_12-x-yＺ_y（式中、ｘ＋ｙは、３〜１２であり、そしてｘ及びｙは、独立して、０〜１２であり、そしてＺは、Ｃｌ及びＢｒを少なくとも一種含む）のリチウム塩とを含み、カチオン交換カラムを通す方法である。 （もっと読む）

【課題】単一の低温プロセスで一次元または二次元パターンへのナノメータースケールの金属パターンの製造のためのプロセスを提供する。
【解決手段】金属ナノ粒子、金属塩、ポリーマーマトリックスから形成したフィルムにパターンをレーザー描画することにより連続的な、導電金属パターンを形成することができる。このパターンは一次元、二次元または三次元で、高い解像度であり、ミクロンからナノメーターのオーダーの特徴サイズをもたらす。 （もっと読む）

【課題】ＨＦおよび超酸を含む媒体を用意することを含む、水素化ホウ素塩をフッ素化する方法の提供。
【解決手段】水素化ホウ素塩化合物を前記媒体に加える。フッ素化された水素化ホウ素塩を生成する条件下でこの水素化ホウ素塩を前記反応媒体と反応させる。また、このＨＦ、超酸添加物、および水素化ホウ素を反応させるために反応容器が備えられてもよく、それは超酸化合物に耐性を示す材料から組み立てられる。 （もっと読む）

【課題】ルイス酸性又はルイス塩基性の気体の錯体を、逆の特性の反応性液体中に生成させ及びその錯体を分解(フラグメンテーション)してルイス気体を錯体から回収する装置及び方法を提供する。
【解決手段】その改良は、反応性液体１４の微細に分割された液滴を生成させ、次いで、逆の特性の前記ルイス気体の温度、圧力及び濃度を制御して、(a)前記気体と反応性液体の前記錯体を生成させ又は(b)前記錯体を分解して反応性液体の噴霧された液滴を回収することにある。 （もっと読む）

【課題】ホウ素系ガス中に存在する金属不純物を確実に除去して超高純度のホウ素系ガスを得ることができるホウ素系ガス中の金属不純物の除去方法を提供する。
【解決手段】ホウ素系ガス、例えば、Ｂ_２Ｈ_６，ＢＦ_３，ＢＣｌ_３等をステンレス鋼製焼結フィルターで濾過処理することにより、あるいは、ステンレス粉末に接触させることにより、ホウ素系ガス中に存在する鉄，銅，アルミニウム，ニッケル，マグネシウム，クロム，マンガン，亜鉛等の金属不純物を除去して超高純度のホウ素系ガスを得る。 （もっと読む）

ハロ−硼素化合物（B−X化合物、１つ又はそれ以上の硼素−ハロゲン結合を有する化合物）とシラン類とを反応させると、ボラン類（B−H化合物、１つ又はそれ以上のB−H結合を有する化合物）とハロシラン類とを与える。無機水素化物例えば表面結合した水素化シラン（Si−H）はB−X化合物と反応してB−H化合物と表面結合したハロシラン類とを生成する。表面結合したハロシラン類は電気化学的手法により表面結合したシラン類に逆転化される。ハロ−硼素化合物はスタナン類（Sn−H結合を有する錫化合物）と反応してボラン類とハロスタナン類（Sn−X結合を有する錫化合物）とを生成する。ハロスタナン類は電気化学的手法によりSn−ホルメート化合物の熱分解によりスタナン類に逆転化される。ハロ−硼素化合物がBCl₃である時は、B−H化合物はB₂H₆であり、しかもその場合還元電位が電気化学的手法により又はホルメートの熱分解により提供される。
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【課題】有機溶媒を用いることなく、従来よりも高純度テトラフルオロホウ酸銀（ＡｇＢＦ_４）を製造することができる高純度テトラフルオロホウ酸銀の製造方法を提供すること。
【解決手段】無水フッ化水素酸の存在下で、フッ化銀と三フッ化ホウ素とを反応させることを特徴とする。フッ化銀を無水フッ化水素酸液に溶解ないし懸濁させた溶液に、三フッ化ホウ素を投入する。 （もっと読む）