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国際特許分類[C03B8/00]の内容

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【課題】シリカガラス中にドーパント元素が均一に存在し、均質性に優れたドープトシリカガラスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】シリカ中にドーパント元素を含有させたシリカガラス前駆体に電磁波を照射することにより、前記シリカガラス前駆体を加熱してガラス化することによりドープトシリカガラスを製造する。このドープトシリカガラスは、粒子径が1μm以上のドーパント元素の凝集粒子を含有しない。 (もっと読む)


本発明は、a)前処理された所定のパターン/領域を材料に達するまで放射線を照射すること;b)材料を処理して、前処理されたパターン/領域に反応性基を生成させること;およびc)原子層堆積法によって材料をドーピングして、ドーパントがドーピングされたパターン/領域を材料に生成させることを特徴とする、材料を選択的にドーピングする方法に関する。本発明はさらに、選択的にドーピングされた材料、選択的にドーピングされた材料を製造するためのシステム、および前記方法の使用に関する。
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本発明は、活性剤の担体としての粒子状高分子の使用であり、該高分子材料が不飽和ヘテロ環状モノマーと、スクアリン酸、クロコン酸またはこれら誘導体との共重合により製造される高分子であることを特徴とする使用を提供する。 (もっと読む)


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