【課題】放熱特性に優れるとともに強度の高い窒化アルミニウム基板および窒化アルミニウム基板の製造方法ならびに回路基板および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム基板は、複数個の窒化アルミニウム結晶粒と、この窒化アルミニウム結晶粒の粒界に存在し、希土類元素とアルミニウムとを含む複合酸化物結晶粒と、を備えた多結晶体からなり、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム基板であって、窒化アルミニウム結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、複合酸化物結晶粒の平均粒径が５μｍ以下であり、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性にすぐれ、アルミニウム成分の拡散を抑制することができ、シリコン基板との親和性が高い熱伝導部材、半導体支持部材、ならびに、それを利用した貼り合わせウェーハを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム２基板の両面にシリコン窒化膜を堆積した熱伝導部材１であり、該シリコン窒化膜が、ストイキオメトリック組成に比べてシリコンリッチであり、且つ屈折率が波長Ｉ＝６３３ｎｍにおいて２．０を超える事を特徴とする熱伝導部材。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りの少ない窒化アルミニウム焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】脱脂及び焼成過程が下記の（１）及び（２）を特徴とする製造方法により窒化アルミニウム焼結体を製造する。
（１）成形体の表面同士又は裏面同士が向かい合わせになる様に交互に積層した積層体に、重しを載せて脱脂及び焼成する。
（２）積層体にかかる重しの質量が、１ｃｍ^２あたり次式で示されるＡである。
１０≦Ａ≦１００−（ｎ−１）×ａ （質量の単位はｇである。）
但し、ｎは積層した成形体の枚数、ａは乾燥後の成形体の表面１ｃｍ^２あたりの質量。
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【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム層２の表面に酸化層３が形成されており、酸化層３は窒化アルミニウム結晶粒子４を含有し、酸化層３中の酸化アルミニウム成分の総含有量に基づいて、酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みを算出したときの厚みが５〜１００μｍになる酸化層を有する窒化アルミニウム基板。 （もっと読む）

【課題】サマリウムを含有していない窒化アルミニウム焼結体であって、サマリウムを含有する窒化アルミニウム焼結体と同等の性能を持つものを提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム焼結体の製法は、（ａ）ＡｌＮと、ＡｌＮ１００重量部に対して２〜１０重量部のＥｕ₂Ｏ₃と、Ｅｕ₂Ｏ₃に対してモル比で２〜１０のＡｌ₂Ｏ₃と、Ａｌ₂Ｏ₃に対してモル比で０．０５〜１．２のＴｉＯ₂とを含み、Ｓｍを含まない混合粉末を調製する工程と、（ｂ）混合粉末を用いて成形体を作製する工程と、（ｃ）該成形体を焼成するにあたり、真空又は不活性雰囲気下でホットプレス焼成を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤が均一に分散された構造欠陥の少ない窒化アルミニウム焼結体を得ることが可能で、生産性に優れる成形用樹脂組成物の製法を提供すること。
【解決手段】焼結助剤を、平均粒子径０．１〜５μｍ、最大粒子径２０μｍ以下の状態で含有する、該焼結助剤と窒化アルミニウム粉末との予備混合物を調製し、次いで、該予備混合物と熱可塑性樹脂とを溶融混練して、上記熱可塑性樹脂、窒化アルミニウム粉末及び焼結助剤を含有する組成物を得ることを特徴とする成形用樹脂組成物の製法。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム質焼結体を用いた金属埋設品のリーク電流による影響を抑制する。
【解決手段】金属埋設品は、窒化アルミニウム焼結体からなる基体と、この基体中に埋設されている金属部材とを備えている。前記基体中に、窒化アルミニウムを主成分とし、窒化アルミニウム結晶の多結晶構造を有しており、マグネシウムを含有している窒化アルミニウム質焼結体からなる中間層が埋設されており、前記金属部材が、前記窒化アルミニウム質焼結体からなる中間層中に埋設されている。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

本明細書において、窒化アルミニウム製バッフルに関する方法及び装置が提供される。幾つかの実施形態において、半導体プロセス・チャンバで用いるためのバッフルが、窒化アルミニウムと金属酸化物結合剤とを含む本体を含むことができ、本体の表面上における金属酸化物に対する窒化アルミニウムの比は、該本体内における該比より大きいか又はこれと等しい。幾つかの実施形態において、本体は、中央ステムと、該中央ステムの下部に結合され、そこから半径方向外方に延びる外側環とを有することができる。幾つかの実施形態において、バッフルを製造する方法は、アルミニウム、窒素、及び金属酸化物結合剤を焼結して、その表面上に過剰な金属酸化物結合剤が配置されたバッフルの本体を形成し、表面から過剰な金属酸化物結合剤のバルクを除去するステップを含むことができる。 （もっと読む）