【課題】 電圧が印加された場合に放電が生じる等の不都合が生じず、かつ高い熱伝導率を維持しつつ、低い体積抵抗率を有する窒化アルミニウム焼結体およびそれを用いた静電チャックを提供すること。
【解決手段】 ＳｍおよびＬａの少なくとも１種を酸化物換算の含有量で、０．５質量％以上、７質量％以下含有し、さらに液相成分の排出を抑制するために窒化チタンを２８質量％以下含有し、残部実質的に窒化アルミニウムからなり、常温での体積抵抗率が１×１０^９〜１×１０^１４Ω・ｃｍであり、電圧を印加した場合に放電が生じ難い窒化アルミニウム焼結体を得る。この窒化アルミニウム焼結体を被吸着体を吸着する誘電体層２として用い、その下に設けられた電極３に電圧を印加することにより被吸着体１０を吸着する。 （もっと読む）

本発明は、高熱伝導性材料、すなわち窒化アルミニウム製の機能性成形体、押出しによるそれらの製造方法、及びそれらの使用に関する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体の表面に、高い密着強度及び高い反射率を有する酸化層が形成された窒化アルミニウム基板を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム焼結体２の表面に窒化アルミニウムの酸化層３が形成された窒化アルミニウム基板１において、酸化層３は、酸化アルミニウムのマトリックス５中に窒化アルミニウム結晶粒子４が含有され、窒化アルミニウム結晶粒子４の含有率が酸化層３の表層側から焼結体２側へ近づくにつれて増加する構成である。酸化層３中の酸化アルミニウムのみからなる仮想の層の厚みが５〜２０μｍであり、焼結体２中の希土類元素の酸化物換算での含有量が３〜６質量％であり、カルシウムの含有量が０．００３質量％以下である。 （もっと読む）

【課題】透光性に優れると共に、導電性にも優れ、ＬＥＤ基板や半導体基板として好適に用いることができる透光性セラミックス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】内部に、厚み方向に延びる導電体が、局所的に設けられていることを特徴とする透光性セラミックス基板であって、セラミックス粉末を準備する工程と、内部に線状の導電体が設けられたセラミックス成形体を作製する工程と、セラミックス成形体を焼結して焼結体を作製する工程と、焼結体を導電体に対して直角方向に所定の幅で切断して板状体を作製する工程とを有する製造方法を用いて製造される。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く、放熱性に優れる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体を提供すること。
【解決手段】焼結助剤として少なくともＹ化合物を用いてなる高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体であって、窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度をＩ_ＡｌＮ、Ｙ_２Ｏ_３（２２２面）のＸ線回折強度をＩ_Ｙ２Ｏ３、ＹＡＭ（２０１面）のＸ線回折強度をＩ_ＹＡＭとしたとき、Ｉ_Ｙ２Ｏ３／Ｉ_ＡｌＮが０．００２未満（０を含む）かつＩ_ＹＡＭ／Ｉ_ＡｌＮが０．００２未満（０を含む）であり、Ｉ_Ｙ２Ｏ３／Ｉ_ＡｌＮまたはＩ_ＹＡＭ／Ｉ_ＡｌＮの少なくとも一方は０を超えた値であり、窒化アルミニウム結晶粒子の平均径が８μｍ以上、最小径が３μｍ以上、および最大径が３５μｍ以下、任意の結晶組織面積１００μｍ×１００μｍあたりに存在する窒化アルミニウム結晶粒子の粒子数が１２５個以下、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるもの。 （もっと読む）

【課題】μｍオーダーの外径を有し、例えば、高熱伝導プラスチック用のフィラーとして有用な、内部に空洞有する、新規な管状の窒化アルミニウム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】平均外径３〜１５０μｍ、好ましくは３〜１５μｍであることを特徴とする管状窒化アルミニウム。また、上記管状窒化アルミニウムにおいて、形成される空洞部の大きさ、即ち、管状窒化アルミニウムの内径は、平均内径が、前記平均外径の２０〜７５％、特に５０〜７５％であることが好ましい。上記管状窒化アルミニウムは、原料として、繊維状アルミナを用い、窒素ガス雰囲気下、１６００℃〜１９００℃で、還元窒化することで製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 高い熱伝導性を有しながら、ブレードによる切断、スクライブ処理後の折割処理等の加工において粒界破壊によるチッピングが起こり難く、加工の際に高い寸法精度が求められる用途に好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 イットリウム元素換算で０．１〜０．５質量％の量のイットリウム化合物を含有し、該イットリウム化合物のうち、窒化イットリウムが占める比率が、５〜３０％であり、且つ、該窒化イットリウムの少なくとも一部が窒化アルミニウム結晶粒子の二粒界に存在し、且つ、相対密度が９８％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体である。 （もっと読む）

【課題】アルミナと同等以上の耐食性や体積抵抗率を有しながらアルミナより高い熱伝導率を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム基複合材料は、遷移金属、アルカリ金属、ホウ素の各元素がそれぞれ１０００ｐｐｍ以下であり、熱伝導率が４０〜１５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数が７．３〜８．４ｐｐｍ／℃、体積抵抗率が１×１０¹⁴Ωｃｍ以上であり、構成相として、ＡｌＮとＭｇＯとを含み、更に、希土類金属酸化物、希土類金属−アルミニウム複合酸化物、アルカリ土類金属−アルミニウム複合酸化物、希土類金属酸フッ化物、酸化カルシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。 （もっと読む）

【課題】低温度で製造できると共に、窒化アルミニウムを高密度とすることができ、しかも、半導体モジュール等の発熱体と熱交換器との間に介在されたときに発熱体と熱交換器との間で電気的絶縁性を確保しながらも発熱体から熱交換器への熱抵抗の増大を抑える。
【解決手段】溶融アルミニウム４を窒素ガス雰囲気中でマグネシウム５を助剤として９００から１３００℃までの範囲に昇温して窒化アルミニウム６を溶融アルミニウム４上に直接形成し、アルミニウム４と窒化アルミニウム６とを接合し、Ａｌ−ＡｌＮ複合材料８を製造する。窒化アルミニウム粉末を１９００℃以上の高温度で焼結する工程を行う必要がない分、１９００℃以上の高温度に対して９００から１３００℃までの範囲の低温度で製造できると共に、窒化アルミニウム６を高密度とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ粉末からのプレス焼結品での製品は数ある。複雑製品を射出成形するには容易でない。単独では焼結しにくいので、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＯなどを加えて、高密度、高誘電体、高圧電体、焦電体、光用誘電体のものが得られる。これを半導体の放熱基板としては難焼結性である。また、これらの材料を射出成形するときに必要なバインダーの性質に注意する必要がある。多くの電子部品を装着しても高温や発熱の問題のない基板の材料特にバインダー、及び基板の構造を提供する。
【解決手段】金型でのハニカム構造を「置き中子」として射出成形して、真空焼結後に中空にして、焦電体としての表面積を大きくした。 （もっと読む）