【課題】近紫外域において高い光透過率を有する酸化物膜、また該酸化物膜を得るために必要なスパッタリングターゲットに用いることが可能な酸化物焼結体、さらには、得られた酸化物膜を含む透明基材を提供すること。
【解決手段】酸化物焼結体は、主としてガリウム、インジウム、および酸素からなり、前記ガリウムを全金属元素に対して６５原子％を超えて１００原子％未満含有し、その密度は５．０ｇ／ｃｍ³以上である。酸化物膜は、光透過率が５０％を示す最短波長が３２０ｎｍ以下である。透明基材は、ガラス板、石英板、片面若しくは両面がガスバリア膜で覆われている樹脂板若しくは樹脂フィルム、又は、内部にガスバリア膜が挿入されている樹脂板若しくは樹脂フィルムから選ばれた透明基板の片面若しくは両面に、前記酸化物膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】焼結密度が大きくしかもそのバラツキが少ない均質な大型のセラミックス焼結体をホットプレス焼結によって製造すること。
【解決手段】粒子径が０．３〜３ｍｍのセラミックス顆粒物を用いてセラミックス成型体を成形し、それらの複数個を隣接させ配列した状態でホットプレス焼結を行い、セラミックス成型体同士が接合したセラミックス焼結体に変化させることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。この場合において、セラミックス成型体の複数個を隣接させ配列した状態が、複数個のセラミックス成型体を横方向に隣接させ配列させ、その隣接させ配列させた集合体の上面に均圧板で置き、更にその均圧板の上面に複数個のセラミックス成型体を横方向に隣接させ配列させてなる二段階構造を少なくとも有していることをが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、Mでドーピングされた一般式Gd₂O₂Sを持つ蛍光セラミックを生産する方法に関する。Mは、Ce、Pr、Eu、Tb、Yb、Dy、Sm及び／又はHoのグループから選択される少なくとも１つの要素を表し、シンタリング及び／又はフラックス助剤の存在下での単軸加熱プレスステップに関する。
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【課題】 ナノテク用の基板材料や保護材料およびマイクロマシン用の構造材料として好適な優れた力学特性と高い信頼性を持つ積層体を安価にしかも短時間に製造する。
【解決手段】 バインダが塗布された、扁平面が一方向配向したフレーク状粉末を基板上に塗布し、仮焼結した後、基板から剥離して扁平塗布面に対しに垂直方向から加圧して焼成もしくは焼結する。 （もっと読む）

本発明は、ヒータ４、モールド５、及びダイ３を有する、セラミック材料を製造する一軸加圧及び加熱装置に向けられ、モールド５は、ヒータ４内に配置され、モールド５が、少なくとも一つの開口部においてダイ３を受け、前記ダイ３は、前記モールド５への加圧下で作動され、ヒータ４の長さとモールド５の長さとの比が１．５以上且つ４以下である。本発明は、更にセラミックの製造プロセス及びセラミック材料に向けられる。
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【課題】厚さ方向に対して粉末を均一に１層以上積層する粉末積層体の製造方法、粉末積層体を成形、焼結することにより、焼結体の厚さに関係なく、変形量が小さく、加工精度が高い焼結体の製造方法、および、変形量の小さい切断ブレード台金や加工精度が高い切断ブレードなどの焼結体を連続して製造する焼結体の製造システムを提供する。
【解決手段】原料粉末および溶媒を計量し、噴射ノズル直上に設置した混合攪拌槽内で混合攪拌してスラリーを作製した後、噴射ノズルからターゲットに向けて筒状カバーの内部空間内に噴射し、噴射スラリーを噴射後途中で加熱して強制乾燥し、到達前に粉体化した後に積層される粉末積層体の厚みの計測結果に基づいてフィードバックされる積層パターンにしたがって移動されるターゲット上に積層して所定の厚みを持つ粉末積層体を製造する。得られた粉末積層体を高効率加圧・通電加熱焼結法により、焼結体を製造する。 （もっと読む）

希土類酸硫化物シンチレータ用セラミック体を製造する方法は、圧密化物体を形成するための熱処理と、次のガス熱間等静圧圧縮成形（ＧＨＩＰ化）を含む。Ｍが希土類元素であり、ＬｎがＥｕ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ、およびＨｏからなる群から選択される少なくとも一つの元素であり、および１×１０^-6＜Ｘ＜２×１０^-1である一般式（Ｍ_1-XＬｎ_X）₂Ｏ₂Ｓを有する粉末が最初に用意される。粉末は、熱処理が温度Ｔ_htで行われる熱処理を受けて閉鎖気孔率を有する圧密化物体を形成する。圧密化物体は、１１００℃＜Ｔ_hip＜１５００℃の温度Ｔ_hipを有するＧＨＩＰ化環境中で理論密度の９９％以上の密度にＧＨＩＰ化されて、それによって高密度化物体を形成する。 （もっと読む）

【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。（１）プレス開始前の昇温速度が５００〜１４００℃／ｈであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。（２）冷却途中でプレスを解除すること。（３）焼結温度が１２００〜２２００℃、プレス圧力が１０ＭＰａ以上であること。（４）プレスの開始と解除を８００〜１４００℃で行うこと。（５）焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。（６）複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 （もっと読む）

【課題】 光透過率および機械的強度の大きい透光性セラミックスおよびその容易な製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の透光性セラミックスは、相対密度が９５％以上であり、結晶粒径が１００ｎｍ以下であることを特徴とする。また、本発明の製造方法は、かかるセラミックスの製造方法であって、原料粉末は、純度が９９．５％以上であり、粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍであり、この原料粉末を５００ＭＰａ以上で加圧焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反り・うねり等の歪みが少なく、積層配設される各層の位置ズレが起こり難く、寸法精度に優れたセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】未焼成基板を焼成して得られた一次焼成基板を厚み方向に挟持加圧した状態で焼成することにより一次焼成基板に生じた歪みを修正した二次焼成基板を得、得られた二次焼成基板の表面上に電極材料を層状に配設するとともに焼成して電極層を形成することにより、セラミック基板を得ることを含むセラミック基板の製造方法である。二次焼成基板を、電極材料を配設する前に、電極層を形成する際の焼成温度以上の温度で加熱処理することを更に含む。 （もっと読む）