本発明は、熱間等方圧プレスにおける熱処理のための方法並びに熱間等方圧プレスであって、熱間等方圧プレスは圧力容器（１）から成っており、圧力容器は、内部に位置する装填室（１９）を有し、かつ該装填室との間に配置された絶縁体（８）を備えており、絶縁体（８）の内側に加熱要素（４）と、装填物（１８）のための１つの装填室（１９）とが配置されている形式のものに関する。本発明の構成により、加熱若しくは冷却のため、或いは温度レベルの維持のための自然に若しくは強制的に形成される少なくとも１つの対流に加えて、少なくとも１つの回転流（２３）が動的若しくは静的に圧力容器（１）の内側に発生される。独自に用いられ若しくは前記方法に適する熱間等方圧プレスは、自然に若しくは強制的に形成される対流に対して所定の角度で流れる回転流を形成するための動的及び／又は静的な手段を、圧力容器（１）内に配置して形成されている。
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【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、相対密度が高く透明性に優れるとともに種々の熱的特性にも優れ、かつ安価な製造コストを有する透光性セラミックスを提供することにある。
【解決手段】本発明は、ＭｇとＡｌとを含む酸化物、ＺｎとＡｌとを含む酸化物、およびＭｇとＺｎとＡｌとを含む酸化物のいずれかである複合酸化物からなり、該複合酸化物は、単結晶または多結晶体であり、かつスピネル型結晶構造を有することを特徴とする透光性電融スピネルに関する。 （もっと読む）

【課題】劈開性が低く、クラック（亀裂）伝播抑制作用に優れ、高硬度かつ高靭性を有する高純度窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径０．５μｍ以下の微細なウルツ鉱型窒化ホウ素微粒粉末表面を、酸素を含有せず、流体源として固体のポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンを使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加せずに５ＧＰａ以上かつ１４００℃以上の高圧高温条件下で焼結することにより、微量のウルツ鉱型窒化ホウ素を含有する高純度窒化ホウ素焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物に比べて安価な金属水酸化物を原料に用いて緻密な酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】本酸化物セラミックスの製造方法は、金属水酸化物を主成分として含む原料粉末を仮成形して仮成形体を得る第１工程Ｓ１と、仮成形体を加熱して、仮成形体中の金属水酸化物を金属酸化物に転化させて酸化物転化体を得る第２工程Ｓ２と、第１工程における仮成形圧力よりも高い圧力で、酸化物転化体を熱間鍛造して成形体を得る第３工程Ｓ３と、成形体を焼結して焼結体を得る第４工程Ｓ４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】焼成室内の容積を確保しつつ各被焼成物を均一に加熱することができ、焼成室内の位置に起因する品質ばらつきが少ないセラミックを効率良く製造することのできるセラミックの製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトによって筒状に形成されたモールド１内に仕切り板３により隔成された焼成室２内を、当該モールド１の外部から加熱するとともに加圧し、焼成室２内でセラミックを焼成するセラミックの製造方法である。仕切り板３は、当該仕切り板３の厚み方向の熱伝導率が、モールド１の有する熱伝導率の５０％以下である部材から構成されている。 （もっと読む）

【課題】 安定的な成膜が可能な高密度化した酸化亜鉛系焼結ターゲットを得るための製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｂ、ＡｌおよびＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種の添加元素を含有する酸化亜鉛系焼結ターゲットの製造方法であって、酸化亜鉛粉末と、前記添加元素を金属、酸化物もしくは亜鉛との複合酸化物として調整した添加元素を含有する粉末との混合粉末を雰囲気焼結によって相対密度９０％以上の仮焼結体を作製した後、該仮焼結体を金属容器に密閉せずに、温度９００℃以上かつ圧力８０ＭＰａ以上の条件の熱間静水圧プレスで相対密度９９％以上の焼結体を製造する酸化亜鉛系焼結ターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素を製造する方法、および炭化ホウ素部材
【解決手段】高密度の部材および製品、ならびに高密度の部材および製品を製造する方法が開示される。特に、一例の部材として、均質な炭化ホウ素粉末から成る炭化ホウ素部材を挙げることができる。その部材は、９３％以上の相対密度（ＲＤ）、および２０００ｋｇ／ｍｍ²以上のヴィッカース硬度を有する。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性で、優れた精密加工性を持ち、シリコンに近い熱膨張を示す半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４４質量％、窒化アルミニウム５４〜６０質量％、イットリアを含む焼結助剤１〜４質量％かつ相対密度９２％以上のＢＮ−ＡlＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。熱伝導率７０Ｗ／ｍＫ以上、熱膨張係数２．５〜３．５ｐｐｍ／Ｋ、ショア硬度４５〜５８であるプローブ案内部材。 最大粒径１０μｍ以下の窒化アルミニウム、ＧＩ値３〜１０の窒化ホウ素、イットリア１〜３質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜３０ＭＰａ、温度１，７５０〜１，９００℃、保持時間１〜３時間のホットプレス焼成を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）