【課題】 高密度高性能のＳｉＣ焼結体を提供しようとする。
【解決手段】 積層無秩序構造を持つ平均粒径が０よりも大きく１００ｎｍ以下のＳｉＣ粒子と不可避不純物とから成る被焼結粉末を焼結して成り、相対密度９９．４０〜９９．９９％、平均径１０〜５００ｎｍで断面数密度が１〜７０個／μｍ^２の残留ポアを有し、α−ＳｉＣ構造、β−ＳｉＣ構造、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣとの混在構造から選択される構造を有する焼結体である。
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【課題】実質的にボイドが少なく、安価で且つ半導体ウェハ、液晶基板等の搬送や保持部材、露光装置におけるステージ位置測定用ミラー、精密光学機器用ミラー等に適した炭化珪素質焼結体及びそれを容易に歩留まりよく製造することが可能な炭化珪素質焼結体の製造方法を得る。
【解決手段】
主成分として炭化珪素の粉末に、添加剤として少なくともホウ素の化合物及び炭素の化合物の粉末を添加した原料粉末を成形し、得られた成形体を炭化珪素の粒子が粒成長するのを抑制した温度で一次焼結を終了させ一次焼結体を得た後、熱間静水圧プレス成形（ＨＩＰ）処理を行うことで焼結させたことを特徴とする。
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【課題】焼結体（一次焼結体）を所望の形状に容易かつ確実に修正し得る焼結体の形状修正方法を提供すること。
【解決手段】本発明の焼結体の形状修正方法では、治具２０を用いて一次焼結体１の形状修正が行われる。治具２０は、支持体２１と押圧体２２から構成されている。支持体２１は、その上面２１ａが下方に向かって凹没する凹曲面となっており、押圧体２２は、その下面２２ａが下方に向かって突出する凸曲面となっている。図１（ａ）に示すように、支持体２１の上面２１ａに、一次焼結体１を載置し、この上面に押圧体２２の下面２２ａが当接するようにして、押圧体２２を載置する。これにより、押圧体２２の自重によって、一次焼結体１が下方に向かって押圧される。この状態で、治具２０ごと一次焼結体１に対して焼成を行う。これにより、図１（ｂ）に示すように、一次焼結体１の形状修正がなされ、二次焼結体１０が得られる。 （もっと読む）

約４５〜約７５体積％のＣＢＮで、二つ以上の平均粒径、好ましくは双峰型の粒子から構成されたＣＢＮ；第４、５、又は６族遷移金属の窒化物、炭窒化物、又は炭化物、又はそれらの混合物又は固溶体を含む化合物を含む第二硬質相；及び結合剤相；を含むＣＢＮ成形体を製造するのに用いられる組成物。 （もっと読む）

本発明は、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ及びＨｏからなる群から選択された少なくとも一種の元素を表わすＭでドープした一般式Ｇｄ₂Ｏ₂Ｓを有する蛍光セラミックであって、その体積に単一相を有する当該蛍光セラミックと、単軸ホットプレス法を用いたこの蛍光セラミックの製造方法と、電離放射線を検出する検出器と、電離放射線を検出する検出器の使用方法とに関するものでもある。
単軸ホットプレス法を用いた蛍光セラミック材料の製造方法は、
ａ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｄｙ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選択された少なくとも一種の元素を表わすＭでドープした一般式Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓを有する色素粉末を選択するステップであって、ホットプレス処理に使用する前記粉末の粒径を１μｍ〜２０μｍとし、このホットプレス処理を
− １０００℃〜１４００℃の温度か、又は
− １００ＭＰａ〜３００ＭＰａの圧力か、或いは
− これらの双方を満たす条件で実施する当該ステップと、
ｂ） ７００℃〜１２００℃の温度で０．５時間〜３０時間のに亘り空気中でアニールするステップと
を有する。 （もっと読む）

液体の状態に保たれた熱・圧力伝達媒体を介して物品を加圧及び加熱処理することで加圧力を確実に物品に作用させることが可能な加圧及び加熱処理する方法及び装置を提供する。装置は、キャビティを密閉又は開放するための蓋を接離可能にして備えた容器（２）であって、その蓋（２ａ）にキャビティと当該容器の外部との間を連通する流路（７）を有する容器（２）と、一端において流路（７）の外部端に連通連結される管路（１３）と、管路（１３）の他端に連通連結されて容器から分離して設けられ内部に加圧媒体を収容する外部増圧機（５）であって、加圧媒体を介してキャビティ内の熱・圧力伝達媒体を加圧する外部増圧機と、容器、外部増圧機及び前記管路に設けられ前記熱・圧力伝達媒体及び前記加圧媒体を加熱するための加熱器（１０）とを具備する。 （もっと読む）

焼結前に非高密度化構造体（４０）をグリーンセラミック積層体（１００）中に置くことにより、ホットプレス焼結される多層セラミック積層体（１００）の焼結後歪みを制御する方法。１つ以上の非高密度化構造体（４０）が１つ以上のセラミックグリーンシート（１０）上に置かれ、次にこれらのセラミックグリーンシート（１０）が、グリーンセラミック積層体（１００）を形成するために積み重ねおよび積層される。次にこの積層体は焼結され、非高密度化構造体（４０）は、ホットプレスされた多層セラミック基板の寸法を制御する。この方法は、焼結前に個々の製品アップ間の切り溝区域（３０）に非高密度化構造体（４０）を置くことにより、単一基板かマルチアップ基板として製造されたＭＬＣ基板における焼結後寸法を制御するために用いることができる。

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結合相を有しないＷＣ基超硬合金に、ポア（空孔）や異常相などの組織的欠陥がなく、面精度の良い鏡面が得られ、耐高温劣化性に優れており、さらには、高硬度・高強度であり、ヤング率が大きいこと、熱膨張係数が小さいこと、耐食性に優れていること、特に高温における硬度と強度、優れた加工面精度および面粗度を有し、各種の光学素子の高温精密成形用型材に適した特性を付与することを目的とする。ＷＣ相および／または、ＷとＴｉとＴａとの２種以上の金属の固溶体複炭化物相からなるバインダレス超硬合金において、平均粒子径を１μｍ以下の微粒の原料粉末を用いることによって、焼結緻密化した後においても微細結晶組織を維持し、また、かかる粒度調整とともにＳｉまたはＳｉＣを原料粉末を添加して、Ｓｉとの固溶体複炭化物相を形成するか、ＳｉＣを第３相として存在させた。 （もっと読む）