【課題】再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、安全で簡便な製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物および液晶表示素子を提供することであり、高い比抵抗値を有する液晶化合物を得る安全で簡便な結晶のろ過方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


で表される化合物、具体的には例えば下式で表される化合物、


を有機溶媒に溶解し、必要に応じカラムクロマトグラフィーにより精製した後、溶液から結晶を析出させ、それをろ取し、その後、再結晶に使用した溶媒を留去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、簡便な製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。
【解決手段】
一般式（１）
【化１】


で表される化合物を、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が０．０５ｐｐｂ以下である炭化水素系溶媒から選択される単一又は混合溶媒を用いて再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の簡便な製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物を提供することであり、高い比抵抗値を有する液晶化合物を得る簡便な再結晶方法を提供することである。
【解決手段】
一般式（１）
【化１】


で表される化合物を炭化水素系溶媒を単独又は混合して展開溶媒とするカラムクロマトグラフィーにより精製し、得られた溶液から溶媒を一部留去して再結晶した後、又は留去せずに再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去する。 （もっと読む）

本発明は、芳香族ヨウ素化化合物の製造方法に関し、より具体的には、酸素雰囲気およびゼオライト触媒の存在下で、非ハロゲン化芳香族化合物、芳香族化合物のモノヨウ素化合物、芳香族化合物のジヨウ素化合物、およびヨウ素をヨウ素化反応させるステップを含む。
本発明にかかる芳香族ヨウ素化化合物の製造方法は、ヨウ素化反応とヨウ素転換反応が同時に起こり、副反応が抑制され、工程中の反応温度を安定的に制御することができ、ヨウ素化反応触媒の使用周期を延長することができるため、ジヨウ素化合物の大量生産に幅広く使用可能である。 （もっと読む）

【課題】従来の異性化法では達し得ないトランス体の含有比率まで高めることが可能であり、また、事実上、比較的不安定な脂肪族不飽和オレフィン化合物にも対応でき、処理量に限界のない、かつ回収率の極めて高い効率的な幾何異性体組成比を調製する方法を提供する。
【解決手段】脂肪族直鎖状不飽和オレフィン化合物のトランス／シスの混合体を一部結晶化させ、非晶出液体をデカンテーションして除去することを特徴とするオレフィン化合物幾何異性体組成の調製方法を提供する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１種の物質の除去によって混合物の粘度が分離プロセスの間変化する、少なくとも２種の物質の混合物の分離を制御するための方法に関する。この目的を達成するために、デバイスが一定の力をかけられながら混合物中を移動する。このデバイスの速度および／または加速度が検出される。その後、このデバイスの速度および／または加速度は既定の目標値と比較される。
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【課題】芳香族化合物のヨウ素化反応において、位置選択性が向上した芳香族ヨウ素化合物の製造方法を実現する。
【解決手段】本発明にかかる芳香族ヨウ素化合物の製造方法は、特定のエーテル化合物の存在下で、ヨウ素化剤と、１つ以上の置換基および２つ以上の水素原子を核に有する芳香族化合物と、を反応させる工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

フッ素化パラシクロファン化合物について開示する。これらの化合物は三フッ素化部分を有することができ、三フッ素化パラキシリレンのコポリマーを含むポリマー被覆を製造するための前駆体二量体化合物として利用することができる。
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【課題】 精製塔を用い簡単な方法で結晶精製を行う方法及び塔内に駆動部を不要とする簡単な構造の精製装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 精製塔の縦筒状の塔本体内に形成された結晶充填部Ｂと、該結晶充填部へ原料結晶を供給するための供給部２３と、上記結晶充填部Ｂから不純物を含む液状加熱媒体及び精製結晶を液状で抜き出すための抜出部２８Ａとを有する結晶精製装置において、供給部２３が塔本体１１の頂部もしくはその近傍に、抜出部２８Ａが塔本体１１の底部にそれぞれ設けられていると共に、該抜出部２８Ａの上方位置に不純物を含む液状加熱媒体及び精製結晶を液状で透過する濾過装置２１が設けられており、塔本体１１の上部で原料結晶を加熱溶融するための加熱手段を有している。 （もっと読む）