国際特許分類[C07C309/20]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 非環式化合物または炭素環式化合物 (64,036) | スルホン酸;そのハライド,エステルまたは無水物 (1,275) | スルホン酸 (891) | スルホン酸基が非環式炭素原子に結合しているもの (629) | 非環式不飽和炭素骨格の (8)
国際特許分類[C07C309/20]の下位に属する分類
炭素骨格に結合しているニトロまたはニトロソ基の一部でない窒素原子を含有するもの
炭素骨格に結合しているカルボキシル基を含有するもの (3)
国際特許分類[C07C309/20]に分類される特許
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ポリアルケニルスルホン酸の過塩基化方法
【課題】ポリアルケニルスルホン酸の改良された製造方法を提供する。
【解決手段】ポリアルケニルスルホン酸を過塩基化する方法であって、促進剤として水を使用して、ポリアルケニルスルホン酸をアルカリ土類金属の塩基性塩で過塩基化することからなる方法。
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ビニルエーテル化合物並びにそれらの製造及び使用方法
新規な官能化界面活性剤並びにその製造及び使用方法が提供される。当該界面活性剤は式I:
(式中、R1、R2及びR3はここで定義するとおりである)
により表される。
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フルオロスルホニル基を有する化合物の製造方法
【課題】フルオロスルホニル基を有する化合物(ペルフルオロエテンスルホニルフルオリド:CF2=CFSO2F)の製造方法を提供する。
【解決手段】下記化合物(1)を開環反応させ、熱分解反応させるCF2=CFSO2Fの製造方法、下記化合物(1)を開環反応させて下記化合物(2)を得て、つぎに化合物(2)を熱分解反応させるCF2=CFSO2Fの製造方法、化合物(2)または下記化合物(2m)を熱分解反応させるCF2=CFSO2Fの製造方法(ただし、Xは−OSO2F、−Cl、−Brまたは−Iを、Mはアルカリ金属原子を、示す。)。
【化1】
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新規な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な新規な化合物およびその製造方法、該化合物の前駆体として有用な化合物およびその製造方法、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式(b1−1)で表される化合物。Aは、当該Aが結合した硫黄原子とともに3〜7員環構造の環を形成する2価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。R2は置換基を有していてもよい芳香族基、置換基を有していてもよい炭素数1〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、または置換基を有していてもよい炭素数2〜10の直鎖状もしくは分岐状のアルケニル基であり、nは0または1であり、Y1はフッ素置換されていてもよい炭素数1〜4のアルキレン基である。
[化1]
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ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた補償フィルム
本発明は、ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムに関する。より詳しくは、正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムの液晶材料、これを含む液晶組成物及びこれにより製作された補償フィルムに関する。
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