ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた補償フィルム
本発明は、ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムに関する。より詳しくは、正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムの液晶材料、これを含む液晶組成物及びこれにより製作された補償フィルムに関する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムに関する。より詳しくは、正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムの液晶材料、これを含む液晶組成物及びこれにより製作された補償フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、時計、ノートブック、携帯電話、テレビ及びモニターなどの市場の爆発的な拡大と共に、軽量且つ低消費電力型のディスプレイに対する需要が毎年急増しつつある。液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）は、軽量且つ薄膜のディスプレイ特性と共に、低消費電力の特性を持つため、このような製品に頻繁に応用されている。
【０００３】
しかしながら、液晶ディスプレイ装置は、視野角の依存性、すなわち、見る方向や角度によって色や明暗などが変化する短所がある。また、表示画面が大型化になるほど視野角が狭くなる問題点がある。既存のＣＲＴ装置の視野角がほぼ１８０゜に達するのに対し、視野角の補正のないＴＦＴ−ＬＣＤの場合は±５０゜に過ぎない。
【０００４】
前記問題点を改善するための公知の方法としては、液晶セル内で画素を分割して配向を制御するマルチドメイン方法、電圧を制御する方法、及び光学補償フィルムを使用する方法などがある。
【０００５】
液晶ディスプレイ装置における視野角の依存性が発生する原因は、パネルに対し、斜めに入射する光の複屈折効果と垂直に入射する光の複屈折効果とが異なるためである。これを補正するために、パネルと反対の複屈折率を有する位相差フィルムをパネルの前後に付着して使用する光学補償フィルム法が主に用いられており、ディスプレイパネルの大型化と共に高性能の液晶補償フィルムが要求されている。
【０００６】
位相差フィルムは、配向処理した透明な支持体上に液晶をコーティングし、これを配向層の方向から一定に配列した後、硬化させたものである。このときの配向状態は、電圧印加時の液晶セルと反対方向になるため、暗状態で光の漏れを最小化する。こうした特性を持つ位相差フィルムを液晶パネルと組合させて光を通過させると、全方向で光の経路は互いに類似しているため、経路差による光の位相差を補償し得る。また、各フィルムの複屈折率やフィルム間に互いの角度、ラビング方向や偏光板間の角度関係を最適化して、上下左右方向の複屈折差の補償も行なうことができる。
【０００７】
このようなフィルムの製造に用いられる液晶化合物は、水分、光、熱、空気及び電場などに対して安定的であり、使用環境下で互いに化学的に安定的であるべきである。また、液晶化合物がディスプレイ装置に用いられるには、広範囲の液晶相温度及び屈折異方性（Δｎ）値などの物性が適切にバランスを取るべきである。さらに、ディスプレイ装置の形態によって要求される物性も多様なので、これらの特性を全部満足し得る新規の液晶化合物が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、コントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる視野角補償フィルムの素材として使用可能な新規の化合物であるビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体を提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、前記ビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、新規のビニルスルホン誘導体を提供する。また、本発明は、前記ビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供する。
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明の新規のビニルスルホン誘導体は、下記化学式１のビニルスルホン誘導体である。
【００１３】
【化１】
前記式中、Ｘ１は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１は、Ｃ１〜Ｃ１２の アルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１及びＹ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは、０〜２の整数であり；
【化２】
ａは０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ４、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３であり；
Ｒ５は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＯＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニルである。
【００１４】
また、本発明の新規の化合物は、下記化学式２のビニルスルホン誘導体である。
【化３】
Ｗ１及びＷ２は、各々独立して−Ｈ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−ＣＦ３であり；
Ｘ１及びＸ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１及びＡ２は、各々独立してＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−、又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化４】
ａ及びｂは、各々独立して０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ８、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝０）ＣＨ３である。
【００１５】
前記化学式１及び化学式２のビニルスルホン誘導体は、多様なディスプレイ装置の視野角を改善させる液晶ディスプレイ用補償フィルムに適用できる液晶化合物である。
【００１６】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体において、Ａ１のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−などがある。また、Ｒ５のＣ２〜Ｃ１２のアルケニルの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２などがある。
【００１７】
前記化学式２のビニルスルホン誘導体において、Ａ１及びＡ２のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは互いに独立的であり、前記Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレンの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−などがある。
【００１８】
本発明による前記化学式１のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式１において、Ｙ１は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、環Ｂ及び環Ｃは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ４はＨであり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式３に示される。
【化５】
【００１９】
前記式中、Ｘ１、Ａ１、Ｅ１、ａ、及びＲ１〜Ｒ５は、前記化学式１で定義したとおりである。
【００２０】
また、本発明による前記化学式２のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式２において、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ及び環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式４で示される。
【化６】
【００２１】
前記式中、Ｇ、Ｘ１、Ｘ２、Ａ１、Ａ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２で定義したとおりである。
【００２２】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式１において、Ａ１はＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、環Ｂ及び環Ｃは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ４はＨであり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式５で示される。
【化７】
【００２３】
前記式中、ｎは１〜１２の整数であり；
Ｘ１、Ｅ１、ａ及びＲ１〜Ｒ５は、前記化学式１に定義したとおりである。
【００２４】
また、前記化学式２のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式２において、Ｇはビニルスルホン、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式６で示される。
【化８】
【００２５】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００２６】
また、前記化学式２において、Ｇはアクリル、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式７で示される。
【化９】
【００２７】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｗ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００２８】
また、前記化学式２において、Ｇはビニルシラン、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式８で示される。
【化１０】
【００２９】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｗ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００３０】
本発明による前記化学式１及び化学式２のビニルスルホン誘導体の具体的な例は、下記化合物に示されるが、本発明のビニルスルホン誘導体は、これに限定されるものではない。
【化１１】
【００３１】
本発明による前記化学式１のビニルスルホン誘導体において、Ａ１がアルケニレンであるか、環Ｂ、環Ｃ及び／又はＥ１がシクロヘキシレンであれば、ビニルスルホン誘導体は立体異性体を有することができる。このとき、立体異性体を有する化学式１のビニルスルホン誘導体は、液晶性を示すトランス異性体が好ましく、トランス異性体：シス異性体の比率は８５：１５〜１００：０であり得る。
【００３２】
また、前記化学式２のビニルスルホン誘導体において、Ａ１及び／又はＡ２がアルケニレンであるか、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｅ１及び／又はＥ２がシクロヘキシレンであれば、ビニルスルホン誘導体は立体異性体を有することができる。このとき、立体異性体を有する化学式２のビニルスルホン誘導体は、液晶性を示すトランス異性体が好ましく、トランス異性体：シス異性体の比率は８５：１５〜１００：０であり得る。
【００３３】
以下、本発明による前記ビニルスルホン誘導体の製造方法を詳細に説明する。
【００３４】
本発明による前記化学式５のビニルスルホン誘導体は、下記反応式１により製造できる。
【００３５】
【数１】
【００３６】
前記化学式５、化学式９及び化学式１０において、Ｘ１、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００３７】
化学式１０の化合物において、Ｒ５が−ＯＨである場合には、化学式５のモノビニルスルホン誘導体だけでなく、ビニルスルホンが両側に結合した化合物を製造できる。
【００３８】
また、本発明による化学式６のビニルスルホン誘導体は、下記反応式２により製造できる。
【００３９】
【数２】
【００４０】
前記化学式６、化学式９及び化学式１１において、Ｘ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００４１】
前記反応式１及び反応式２において、縮合剤（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｒｅａｇｅｎｔ）は特別に制限されない。非制限的な例としては、ＥＤＣ、又はＤＣＣなどを使用でき、アルコール溶媒存在下に塩化チオニルや塩化オキサリルを用いて酸とアルコールを結合させることができる。
【００４２】
このとき、前記反応式１及び反応式２の前記化学式９の化合物は、下記反応式３により製造できる。
【００４３】
【数３】
【００４４】
前記化学式９及び化学式１２において、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ１は前記化学式１に定義したとおりである。
【００４５】
前記反応式３において、リンカー（ｌｉｎｋｅｒ）は、提示されたＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｑで表される、アルキルアルコール類だけでなく、アルキレンオキサイド類、アルケニルアルコール類も使用でき、これにより製造されるビニルスルホン誘導体も本発明の範囲に含まれる。また、前記ベース（ｂａｓｅ）は、特別に制限されず、公知のベースを使用できる。
【００４６】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式１４のビニルスルホン誘導体は、下記反応式４により製造できる。
【００４７】
【数４】
【００４８】
前記化学式１３及び化学式１４において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００４９】
このとき、前記化学式１３の化合物は、下記反応式５により製造できる。
【００５０】
【数５】
【００５１】
前記化学式１０、化学式１３及び化学式１５において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００５２】
前記反応式５において、化学式１５の化合物は、４−ヒドロキシ安息香酸及び化学式１０の化合物をディーン−スターク（Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ）反応、または、塩化チオニルや塩化オキサリル存在下に反応させて製造できるが、これに限定されるものではない。化学式１５から化学式１３の化合物の製造の際に使用するリンカーは、ＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｑによって表される、アルキルアルコール類だけでなく、アルキレンオキサイド類、アルケニルアルコール類も使用でき、これにより製造されるビニルスルホン誘導体も本発明の範囲に含まれる。また、前記反応式４及び反応式５において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００５３】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式１７のビニルスルホン誘導体は、下記反応式６により製造できる。
【００５４】
【数６】
【００５５】
前記化学式１６及び化学式１７において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００５６】
ここで、前記化学式１６の化合物は、下記反応式７により製造できる。
【００５７】
【数７】
【００５８】
前記化学式１６、化学式１８及び化学式１９において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００５９】
前記反応式７における化学式１９の化合物は、反応式５における化学式１５と同様の方法により製造できるが、これに限定されるものではない。また、前記反応式６及び反応式７において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００６０】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式２２のビニルスルホン誘導体は、下記反応式８により製造できる。
【００６１】
【数８】
【００６２】
前記化学式２０、化学式２１及び化学式２２において、Ｗ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００６３】
このとき、前記化学式２０の化合物は、下記反応式９により製造できる。
【００６４】
【数９】
【００６５】
前記化学式２０、化学式２３及び化学式２４において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎ１は１〜１２の整数である。また、前記化学式２０、化学式２３及び化学式２４において、Ｐは保護基（ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）であって、公的の保護基であることができ、その非制限的な例としてはＴＨＰ、ＴＢＳなどがある。
【００６６】
前記反応式９における化学式２４の化合物は、反応式５における化学式１５と同様の方法により製造できるが、これに限定されるものではない。また、前記反応式８及び反応式９において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００６７】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式２５のビニルスルホン誘導体は、下記反応式１０により製造できる。
【００６８】
【数１０】
【００６９】
前記化学式２１及び化学式２５において、Ｗ２、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００７０】
本発明のビニルスルホン誘導体の製造方法は、前記反応式１〜反応式１０と類似の経路により製造できるその他の方法も含む。
【００７１】
このように製造された本発明のビニルスルホン誘導体は、多様な液晶物質と容易に混合され、液晶ディスプレイ装置が通常的に用いられる条件下で、物理的や化学的に安定的であり、熱や光に安定的であり、好ましい温度範囲で液晶中間相を形成できる。
【００７２】
したがって、本発明は、前記化学式１のビニルスルホン誘導体及び化学式２のビニルスルホン誘導体からなる群より選ばれた１種以上のビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物を提供する。
【００７３】
前記液晶組成物に含まれたビニルスルホン誘導体のそれぞれの含量は、全体液晶組成物中０．１〜９９．９重量％であり、好ましくは１〜８０重量％である。
【００７４】
本発明の液晶組成物は、ビニルスルホン誘導体に加えて、通常の液晶組成物に用いられる液晶化合物を含むことができ、そのような化合物は所望に応じてさまざまな割合で用いることができる。
【００７５】
また、本発明の液晶組成物は、必要に応じて適切な添加剤を含むことができる。このような添加剤の非制限的な例としては、液晶のらせん構造及び逆方向の歪みを抑制するカイラルドーパント（ｃｈｉｒａｌ ｄｏｐａｎｔ）、レベリング剤（ｌｅｖｅｌｉｎｇ ａｇｅｎｔ）などがある。
【００７６】
本発明の液晶組成物は、通常の方法により製造される。典型的に、多様な成分を室温乃至高温で互いに溶解させる。
【００７７】
本発明は、前記本発明のビニルスルホン誘導体、又は、前記本発明の液晶組成物を含む液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供する。
【００７８】
前記液晶ディスプレイ用補償フィルムの例としては、Ａ−プレート型補償フィルム、Ｂ−プレート型補償フィルム、（＋）Ｃ−プレート型補償フィルム、又は（−）Ｃ−プレート型補償フィルムなどがある。
【発明の効果】
【００７９】
本発明による新規のビニルスルホン誘導体及びこれを含む液晶組成物は、高い屈折異方性の特性を持つ。そして、本発明の液晶組成物の正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムを製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明が下記の実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【００８１】
【数１１】
【００８２】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メトキシフェノールをモル比１：１として、ベンゼン溶媒中で少量の硫酸を入れ、約１００℃で１０時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、有機層をエーテルに溶解させた後、水で数回洗浄して使用された硫酸を除去した。有機溶媒を無水硫酸マグネシウムを用いて水を除去し、減圧蒸留して黄色の固体を得、これをエーテルで数回洗浄して、白色のエステル化合物を約８５％の収率で得た。
【００８３】
このエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、１．２当量のＫ２ＣＯ３塩基及び１．１当量の６−ブロモ−１−ヘキサノールを入れ、約８０℃で２０時間十分に撹はんした。エーテル及び水を用いて生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これを、ヘキサンを用いて数回洗浄して、白色固体のアルコール化合物を９２％の収率で得た。
【００８４】
上記で製造されたアルコール化合物及び１．２当量のクロロビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、低温で１．１当量のＴＥＡ及び０．２当量のＤＭＡＰを入れ、低温で約１時間反応させた後、水を用いてワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）を行った。そして、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（１）を７５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．４７〜１．５７（ｍ、４Ｈ）、１．７８〜１．８８（ｍ、４Ｈ）、３．８３（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、２Ｈ）、４．１６（ｔ、２Ｈ）、６．１３（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｄ、１Ｈ）、６．５５（ｄｄ、１Ｈ）、６．９１〜６．９８（ｍ、４Ｈ）、７．１５（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例２】
【００８５】
【数１２】
【００８６】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メチルヒドロキノンをモル比２：１として、ジエチルベンゼン溶媒中で少量のＴｓＯＨを入れ、１８０℃で約４時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、濾過して固体の粗化合物を得、これを水で数回洗浄してから、エーテルで数回洗浄して、白色の固体エステル化合物を８５％の収率で得た。
前記ジエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、２．４当量のＫ２ＣＯ３塩基及び２．２当量の６−ブロモ−１−ヘキサノールを入れ、８０℃で約２０時間十分に撹はんした。エーテル及び水で、生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これをヘキサンで数回洗浄して、白色の固体のジアルコール化合物を８０％の収率で得た。
【００８７】
上記ジアルコール化合物及び２．２当量のクロロビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、低温で２．２当量のＴＥＡ及び０．２当量のＤＭＡＰを入れ、低温で約１時間反応させた後、水でワークアップを行った。そして、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（２）を６５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．４４〜１．５９（ｍ、８Ｈ）、１．７０〜１．８０（ｍ、８Ｈ）、２．２５（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、４Ｈ）、４．１５（ｔ、４Ｈ）、６．１２（ｄ、２Ｈ）、６．４０（ｄ、２Ｈ）、６．５５（ｄｄ、２Ｈ）、６．９５〜７．００（ｍ、４Ｈ）、７．０６（ｄｄ 、１Ｈ）、７．１２（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、８．１４〜８．１８（ｍ、４Ｈ）。
【実施例３】
【００８８】
【数１３】
【００８９】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メトキシフェノールをモル比１：１として製造したエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、１．２当量のＫ２ＣＯ３塩基及び１．１当量の３−ブロモ−１−プロパノールを入れ、約８０℃で１０時間十分に撹はんした。エーテル及び水で、生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これをヘキサンで数回洗浄して、白色の固体を９５％の収率で得た。
【００９０】
上記白色の固体化合物及び１．２当量のジビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、１．１当量のＤＢＵを入れ、約４０時間反応させた後、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（３）を８１％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０４〜２．２１（ｍ、２Ｈ）、３．２６（ｔ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、２Ｈ）、３．８３（ｓ、３Ｈ）、３．９０（ｔ、２Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０３（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、６．６９（ｄｄ、１Ｈ）、６．９１〜６．９８（ｍ、４Ｈ）、７．１３（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例４】
【００９１】
【数１４】
【００９２】
４−ヒドロキシ安息香酸及び２−メチルヒドロキノンをモル比２：１として、ジエチルベンゼン溶媒下で少量のＴｓＯＨを入れ、１８０℃で約４時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、濾過して固体の粗化合物を得、これを水で数回洗浄してから、エーテルで数回洗浄して、白色の固体エステル化合物を８５％の収率で得た。
【００９３】
上記ジエステル化合物１．０当量に２．２当量の３−ブロモ−１−プロパノールをブタノン溶媒に溶解し、２．２当量のＫ２ＣＯ３塩基を入れ、８０℃で約１０時間反応させた。エーテル及び水でワークアップを行った後、減圧蒸留して有機溶媒を除去してから、生成した固体化合物をヘキサンで洗浄して、白色のジアルコール化合物を９０％の収率で得た。
【００９４】
上記ジアルコール化合物１．０当量をＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解し、ジビニルスルホン２．２当量と同量のＤＢＵを入れ、常温で約４０時間反応させた。そして、シリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィーで精製して淡黄色の最終ビニルスルホン誘導体（４）を７０％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０９〜２．２２（ｍ、４Ｈ）、２．２４（ｓ、３Ｈ）、３．２７（ｔ、４Ｈ）、３．７１（ｔ、４Ｈ）、３．９２（ｔ、４Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０５（ｄ、２Ｈ）、６．３９（ｄ、２Ｈ）、６．７０（ｄｄ、２Ｈ）、６．９７〜７．０１（ｍ、４Ｈ）、７．０６（ｄｄ 、１Ｈ）、７．１３（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、８．１４〜８．１８（ｍ、４Ｈ）。
【実施例５】
【００９５】
【数１５】
【００９６】
１．２当量のジビニルスルホン及び３−ブロモ−１−プロパノールをＣＨ２Ｃｌ２に溶解した後、１．１当量のＤＢＵを入れ、常温で約２０時間反応させてから、シリカゲルを用いて分離した。
【００９７】
ＴＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１溶媒に上の記製造された化合物１当量及び４−ヒドロキシ安息香酸１当量を入れた後、１．１当量のＫＯＨを入れ、約１０時間加熱した。生成した固体化合物を濾過した後、水及びエーテルを用いて順次洗浄して、淡黄色の固体酸を７５％の収率で得た。
【００９８】
上記酸化合物１．０当量及び４−シアノフェノール１．０当量及びＥＤＣ１．２当量をＣＨ２Ｃｌ２に溶解した後、約１０時間常温で反応させた。反応完了後、シリカゲルを用いて分離して、最終ビニルスルホン誘導体（５）を８５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０５〜２．１９（ｍ、２Ｈ）、３．２５（ｔ、２Ｈ）、３．６８（ｔ、２Ｈ）、３．９１（ｔ、２Ｈ）、４．１８（ｔ、２Ｈ）、６．０５（ｄ、１Ｈ）、６．３８（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄｄ、１Ｈ）、６．９９（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｄ、２Ｈ）、７．７５（ｄ、２Ｈ）、８．１３（ｄ、２Ｈ）。
【実施例６】
【００９９】
【数１６】
【０１００】
実施例５と同様の方法により、ＥＤＣを用いて最終ビニルスルホン誘導体（６）を７８％の収率で合成した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９１（ｔ、３Ｈ）、０．９４〜１．１１（ｍ、２Ｈ）、１．１８〜１．４７（ｍ、６Ｈ）、１．８４〜１．８８（ｍ、４Ｈ）、２．０４〜２．１９（ｍ、２Ｈ）、２．４１（ｔ、１Ｈ）、３．２５（ｔ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、２Ｈ）、３．９０（ｔ、２Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０３（ｄ、１Ｈ）、６．４０（ｄ、１Ｈ）、６．６９（ｄｄ、１Ｈ）、６．９６（ｄ、２Ｈ）、７．１１（ｄ、２Ｈ）、７．２５（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例７】
【０１０１】
液晶組成物１
下記のような組成を用いて液晶組成物１を製造した。
【０１０２】
【数１７】
【実施例８】
【０１０３】
液晶組成物２
下記のような組成を用いて液晶組成物２を製造した。
【０１０４】
【数１８】
【実施例９】
【０１０５】
液晶組成物３
下記のような組成を用いて液晶組成物３を製造した。
【０１０６】
【数１９】
【実施例１０】
【０１０７】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物９．２８ｇを１５ｇのトルエン及び１５ｇのキシレンに溶解させ、６００ｍｇのイルガキュア９０７、４０ｍｇのＦＣ−４４３０及び８０ｍｇのＢＹＫ−３００を入れ、十分に振とうした。完全に溶解させてから、パーティクルフィルタを用いてパーティクルを除去した後、ワイヤバーを用いて配向膜処理された厚さ８０μｍの延伸ＣＯＰ（ｃｙｃｌｏ−ｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）上にバーコートし、５０℃のオーブンで１分間乾燥した後、ＵＶ（２００Ｗ〜８０Ｗ／ｍ）を照射して＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
【実施例１１】
【０１０８】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、実施例８により製造された液晶組成物２を用いた以外は、実施例１０と同様の方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
【実施例１２】
【０１０９】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、実施例９により製造された液晶組成物３を用いた以外は、実施例１０と同様の方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
［比較例１］
【０１１０】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、マックＲＭ２５７を用いた以外は、実施例１０と同様な方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。コーティング乾燥した後、ディウェッティング（ｄｅｗｅｔｔｉｎｇ）現象が発生し、硬化後に白濁し、均一度が低下したフィルムが形成された。
［補償フィルムの物性測定］
【０１１１】
前記実施例１０〜実施例１２により製造された＋Ｃ型補償フィルムに対する厚さ及び屈折率を測定した。
【０１１２】
具体的に、偏光顕微鏡を用いてフィルムのコーティング性を評価し、マイクロゲージを用いて厚さを測定し、アッベ屈折計を用いて中心波長５５０ｎｍにおける複屈折率を測定した。その結果を、下記表１に示す。
【表１】
【０１１３】
前記表１によれば、本発明のビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物を用いて製造した補償フィルムは、コーティング性に優れ、硬化後に透明なフィルムが形成され、複屈折率（Δｎ）値が０．１２９〜０．１５９である均一なフィルムが作られる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の一実施例により製造された補償フィルムを用いた場合、暗状態における偏光顕微鏡写真である。
【図２】本発明の一実施例により製造された液晶組成物のネマティック液晶相に対する偏光顕微鏡写真である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビニルスルホン誘導体、これを含む液晶組成物及びこの液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムに関する。より詳しくは、正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムの液晶材料、これを含む液晶組成物及びこれにより製作された補償フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、時計、ノートブック、携帯電話、テレビ及びモニターなどの市場の爆発的な拡大と共に、軽量且つ低消費電力型のディスプレイに対する需要が毎年急増しつつある。液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）は、軽量且つ薄膜のディスプレイ特性と共に、低消費電力の特性を持つため、このような製品に頻繁に応用されている。
【０００３】
しかしながら、液晶ディスプレイ装置は、視野角の依存性、すなわち、見る方向や角度によって色や明暗などが変化する短所がある。また、表示画面が大型化になるほど視野角が狭くなる問題点がある。既存のＣＲＴ装置の視野角がほぼ１８０゜に達するのに対し、視野角の補正のないＴＦＴ−ＬＣＤの場合は±５０゜に過ぎない。
【０００４】
前記問題点を改善するための公知の方法としては、液晶セル内で画素を分割して配向を制御するマルチドメイン方法、電圧を制御する方法、及び光学補償フィルムを使用する方法などがある。
【０００５】
液晶ディスプレイ装置における視野角の依存性が発生する原因は、パネルに対し、斜めに入射する光の複屈折効果と垂直に入射する光の複屈折効果とが異なるためである。これを補正するために、パネルと反対の複屈折率を有する位相差フィルムをパネルの前後に付着して使用する光学補償フィルム法が主に用いられており、ディスプレイパネルの大型化と共に高性能の液晶補償フィルムが要求されている。
【０００６】
位相差フィルムは、配向処理した透明な支持体上に液晶をコーティングし、これを配向層の方向から一定に配列した後、硬化させたものである。このときの配向状態は、電圧印加時の液晶セルと反対方向になるため、暗状態で光の漏れを最小化する。こうした特性を持つ位相差フィルムを液晶パネルと組合させて光を通過させると、全方向で光の経路は互いに類似しているため、経路差による光の位相差を補償し得る。また、各フィルムの複屈折率やフィルム間に互いの角度、ラビング方向や偏光板間の角度関係を最適化して、上下左右方向の複屈折差の補償も行なうことができる。
【０００７】
このようなフィルムの製造に用いられる液晶化合物は、水分、光、熱、空気及び電場などに対して安定的であり、使用環境下で互いに化学的に安定的であるべきである。また、液晶化合物がディスプレイ装置に用いられるには、広範囲の液晶相温度及び屈折異方性（Δｎ）値などの物性が適切にバランスを取るべきである。さらに、ディスプレイ装置の形態によって要求される物性も多様なので、これらの特性を全部満足し得る新規の液晶化合物が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、コントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる視野角補償フィルムの素材として使用可能な新規の化合物であるビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体を提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は、前記ビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、新規のビニルスルホン誘導体を提供する。また、本発明は、前記ビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物及びこれを用いた液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供する。
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】
本発明の新規のビニルスルホン誘導体は、下記化学式１のビニルスルホン誘導体である。
【００１３】
【化１】
前記式中、Ｘ１は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１は、Ｃ１〜Ｃ１２の アルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１及びＹ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは、０〜２の整数であり；
【化２】
ａは０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ４、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３であり；
Ｒ５は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＯＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニルである。
【００１４】
また、本発明の新規の化合物は、下記化学式２のビニルスルホン誘導体である。
【化３】
Ｗ１及びＷ２は、各々独立して−Ｈ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−ＣＦ３であり；
Ｘ１及びＸ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１及びＡ２は、各々独立してＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−、又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化４】
ａ及びｂは、各々独立して０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ８、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝０）ＣＨ３である。
【００１５】
前記化学式１及び化学式２のビニルスルホン誘導体は、多様なディスプレイ装置の視野角を改善させる液晶ディスプレイ用補償フィルムに適用できる液晶化合物である。
【００１６】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体において、Ａ１のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−などがある。また、Ｒ５のＣ２〜Ｃ１２のアルケニルの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２などがある。
【００１７】
前記化学式２のビニルスルホン誘導体において、Ａ１及びＡ２のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは互いに独立的であり、前記Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレンの非制限的な例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−などがある。
【００１８】
本発明による前記化学式１のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式１において、Ｙ１は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、環Ｂ及び環Ｃは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ４はＨであり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式３に示される。
【化５】
【００１９】
前記式中、Ｘ１、Ａ１、Ｅ１、ａ、及びＲ１〜Ｒ５は、前記化学式１で定義したとおりである。
【００２０】
また、本発明による前記化学式２のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式２において、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ及び環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式４で示される。
【化６】
【００２１】
前記式中、Ｇ、Ｘ１、Ｘ２、Ａ１、Ａ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２で定義したとおりである。
【００２２】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式１において、Ａ１はＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、環Ｂ及び環Ｃは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ４はＨであり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式５で示される。
【化７】
【００２３】
前記式中、ｎは１〜１２の整数であり；
Ｘ１、Ｅ１、ａ及びＲ１〜Ｒ５は、前記化学式１に定義したとおりである。
【００２４】
また、前記化学式２のビニルスルホン誘導体を具体化すれば、前記化学式２において、Ｇはビニルスルホン、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式６で示される。
【化８】
【００２５】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００２６】
また、前記化学式２において、Ｇはアクリル、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式７で示される。
【化９】
【００２７】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｗ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００２８】
また、前記化学式２において、Ｇはビニルシラン、Ａ１及びＡ２はそれぞれＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｙ１及びＹ４は−Ｏ−、Ｙ２は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、Ｙ３は−ＯＣ（＝Ｏ）であり、環Ｂ、環Ｃ及び環Ｄは芳香族環であり、Ｑ１〜Ｑ８はＨであり、ａ及びｂは０であり得る。このようなビニルスルホン誘導体を化学式に表せば、下記化学式８で示される。
【化１０】
【００２９】
前記式中、ｎ１及びｎ２は、各々独立して１〜１２の整数であり；
Ｗ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりである。
【００３０】
本発明による前記化学式１及び化学式２のビニルスルホン誘導体の具体的な例は、下記化合物に示されるが、本発明のビニルスルホン誘導体は、これに限定されるものではない。
【化１１】
【００３１】
本発明による前記化学式１のビニルスルホン誘導体において、Ａ１がアルケニレンであるか、環Ｂ、環Ｃ及び／又はＥ１がシクロヘキシレンであれば、ビニルスルホン誘導体は立体異性体を有することができる。このとき、立体異性体を有する化学式１のビニルスルホン誘導体は、液晶性を示すトランス異性体が好ましく、トランス異性体：シス異性体の比率は８５：１５〜１００：０であり得る。
【００３２】
また、前記化学式２のビニルスルホン誘導体において、Ａ１及び／又はＡ２がアルケニレンであるか、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｅ１及び／又はＥ２がシクロヘキシレンであれば、ビニルスルホン誘導体は立体異性体を有することができる。このとき、立体異性体を有する化学式２のビニルスルホン誘導体は、液晶性を示すトランス異性体が好ましく、トランス異性体：シス異性体の比率は８５：１５〜１００：０であり得る。
【００３３】
以下、本発明による前記ビニルスルホン誘導体の製造方法を詳細に説明する。
【００３４】
本発明による前記化学式５のビニルスルホン誘導体は、下記反応式１により製造できる。
【００３５】
【数１】
【００３６】
前記化学式５、化学式９及び化学式１０において、Ｘ１、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００３７】
化学式１０の化合物において、Ｒ５が−ＯＨである場合には、化学式５のモノビニルスルホン誘導体だけでなく、ビニルスルホンが両側に結合した化合物を製造できる。
【００３８】
また、本発明による化学式６のビニルスルホン誘導体は、下記反応式２により製造できる。
【００３９】
【数２】
【００４０】
前記化学式６、化学式９及び化学式１１において、Ｘ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００４１】
前記反応式１及び反応式２において、縮合剤（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｒｅａｇｅｎｔ）は特別に制限されない。非制限的な例としては、ＥＤＣ、又はＤＣＣなどを使用でき、アルコール溶媒存在下に塩化チオニルや塩化オキサリルを用いて酸とアルコールを結合させることができる。
【００４２】
このとき、前記反応式１及び反応式２の前記化学式９の化合物は、下記反応式３により製造できる。
【００４３】
【数３】
【００４４】
前記化学式９及び化学式１２において、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ１は前記化学式１に定義したとおりである。
【００４５】
前記反応式３において、リンカー（ｌｉｎｋｅｒ）は、提示されたＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｑで表される、アルキルアルコール類だけでなく、アルキレンオキサイド類、アルケニルアルコール類も使用でき、これにより製造されるビニルスルホン誘導体も本発明の範囲に含まれる。また、前記ベース（ｂａｓｅ）は、特別に制限されず、公知のベースを使用できる。
【００４６】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式１４のビニルスルホン誘導体は、下記反応式４により製造できる。
【００４７】
【数４】
【００４８】
前記化学式１３及び化学式１４において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００４９】
このとき、前記化学式１３の化合物は、下記反応式５により製造できる。
【００５０】
【数５】
【００５１】
前記化学式１０、化学式１３及び化学式１５において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００５２】
前記反応式５において、化学式１５の化合物は、４−ヒドロキシ安息香酸及び化学式１０の化合物をディーン−スターク（Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ）反応、または、塩化チオニルや塩化オキサリル存在下に反応させて製造できるが、これに限定されるものではない。化学式１５から化学式１３の化合物の製造の際に使用するリンカーは、ＨＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｑによって表される、アルキルアルコール類だけでなく、アルキレンオキサイド類、アルケニルアルコール類も使用でき、これにより製造されるビニルスルホン誘導体も本発明の範囲に含まれる。また、前記反応式４及び反応式５において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００５３】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式１７のビニルスルホン誘導体は、下記反応式６により製造できる。
【００５４】
【数６】
【００５５】
前記化学式１６及び化学式１７において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００５６】
ここで、前記化学式１６の化合物は、下記反応式７により製造できる。
【００５７】
【数７】
【００５８】
前記化学式１６、化学式１８及び化学式１９において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【００５９】
前記反応式７における化学式１９の化合物は、反応式５における化学式１５と同様の方法により製造できるが、これに限定されるものではない。また、前記反応式６及び反応式７において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００６０】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式２２のビニルスルホン誘導体は、下記反応式８により製造できる。
【００６１】
【数８】
【００６２】
前記化学式２０、化学式２１及び化学式２２において、Ｗ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００６３】
このとき、前記化学式２０の化合物は、下記反応式９により製造できる。
【００６４】
【数９】
【００６５】
前記化学式２０、化学式２３及び化学式２４において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式１に定義したとおりであり、ｎ１は１〜１２の整数である。また、前記化学式２０、化学式２３及び化学式２４において、Ｐは保護基（ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ ｇｒｏｕｐ）であって、公的の保護基であることができ、その非制限的な例としてはＴＨＰ、ＴＢＳなどがある。
【００６６】
前記反応式９における化学式２４の化合物は、反応式５における化学式１５と同様の方法により製造できるが、これに限定されるものではない。また、前記反応式８及び反応式９において、ベースは特別に制限しておらず、公知のベースを使用できる。
【００６７】
本発明によるビニルスルホン誘導体のうち、下記化学式２５のビニルスルホン誘導体は、下記反応式１０により製造できる。
【００６８】
【数１０】
【００６９】
前記化学式２１及び化学式２５において、Ｗ２、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記化学式２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【００７０】
本発明のビニルスルホン誘導体の製造方法は、前記反応式１〜反応式１０と類似の経路により製造できるその他の方法も含む。
【００７１】
このように製造された本発明のビニルスルホン誘導体は、多様な液晶物質と容易に混合され、液晶ディスプレイ装置が通常的に用いられる条件下で、物理的や化学的に安定的であり、熱や光に安定的であり、好ましい温度範囲で液晶中間相を形成できる。
【００７２】
したがって、本発明は、前記化学式１のビニルスルホン誘導体及び化学式２のビニルスルホン誘導体からなる群より選ばれた１種以上のビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物を提供する。
【００７３】
前記液晶組成物に含まれたビニルスルホン誘導体のそれぞれの含量は、全体液晶組成物中０．１〜９９．９重量％であり、好ましくは１〜８０重量％である。
【００７４】
本発明の液晶組成物は、ビニルスルホン誘導体に加えて、通常の液晶組成物に用いられる液晶化合物を含むことができ、そのような化合物は所望に応じてさまざまな割合で用いることができる。
【００７５】
また、本発明の液晶組成物は、必要に応じて適切な添加剤を含むことができる。このような添加剤の非制限的な例としては、液晶のらせん構造及び逆方向の歪みを抑制するカイラルドーパント（ｃｈｉｒａｌ ｄｏｐａｎｔ）、レベリング剤（ｌｅｖｅｌｉｎｇ ａｇｅｎｔ）などがある。
【００７６】
本発明の液晶組成物は、通常の方法により製造される。典型的に、多様な成分を室温乃至高温で互いに溶解させる。
【００７７】
本発明は、前記本発明のビニルスルホン誘導体、又は、前記本発明の液晶組成物を含む液晶ディスプレイ用補償フィルムを提供する。
【００７８】
前記液晶ディスプレイ用補償フィルムの例としては、Ａ−プレート型補償フィルム、Ｂ−プレート型補償フィルム、（＋）Ｃ−プレート型補償フィルム、又は（−）Ｃ−プレート型補償フィルムなどがある。
【発明の効果】
【００７９】
本発明による新規のビニルスルホン誘導体及びこれを含む液晶組成物は、高い屈折異方性の特性を持つ。そして、本発明の液晶組成物の正面からの傾斜角のコントラスト比を向上させ、暗状態での視野角に従うカラー変化を最小化できる高品質の特性を持つ視野角補償フィルムを製作できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８０】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明が下記の実施例により限定されるものではない。
【実施例１】
【００８１】
【数１１】
【００８２】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メトキシフェノールをモル比１：１として、ベンゼン溶媒中で少量の硫酸を入れ、約１００℃で１０時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、有機層をエーテルに溶解させた後、水で数回洗浄して使用された硫酸を除去した。有機溶媒を無水硫酸マグネシウムを用いて水を除去し、減圧蒸留して黄色の固体を得、これをエーテルで数回洗浄して、白色のエステル化合物を約８５％の収率で得た。
【００８３】
このエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、１．２当量のＫ２ＣＯ３塩基及び１．１当量の６−ブロモ−１−ヘキサノールを入れ、約８０℃で２０時間十分に撹はんした。エーテル及び水を用いて生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これを、ヘキサンを用いて数回洗浄して、白色固体のアルコール化合物を９２％の収率で得た。
【００８４】
上記で製造されたアルコール化合物及び１．２当量のクロロビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、低温で１．１当量のＴＥＡ及び０．２当量のＤＭＡＰを入れ、低温で約１時間反応させた後、水を用いてワークアップ（ｗｏｒｋ−ｕｐ）を行った。そして、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（１）を７５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．４７〜１．５７（ｍ、４Ｈ）、１．７８〜１．８８（ｍ、４Ｈ）、３．８３（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、２Ｈ）、４．１６（ｔ、２Ｈ）、６．１３（ｄ、１Ｈ）、６．３６（ｄ、１Ｈ）、６．５５（ｄｄ、１Ｈ）、６．９１〜６．９８（ｍ、４Ｈ）、７．１５（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例２】
【００８５】
【数１２】
【００８６】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メチルヒドロキノンをモル比２：１として、ジエチルベンゼン溶媒中で少量のＴｓＯＨを入れ、１８０℃で約４時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、濾過して固体の粗化合物を得、これを水で数回洗浄してから、エーテルで数回洗浄して、白色の固体エステル化合物を８５％の収率で得た。
前記ジエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、２．４当量のＫ２ＣＯ３塩基及び２．２当量の６−ブロモ−１−ヘキサノールを入れ、８０℃で約２０時間十分に撹はんした。エーテル及び水で、生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これをヘキサンで数回洗浄して、白色の固体のジアルコール化合物を８０％の収率で得た。
【００８７】
上記ジアルコール化合物及び２．２当量のクロロビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、低温で２．２当量のＴＥＡ及び０．２当量のＤＭＡＰを入れ、低温で約１時間反応させた後、水でワークアップを行った。そして、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（２）を６５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ１．４４〜１．５９（ｍ、８Ｈ）、１．７０〜１．８０（ｍ、８Ｈ）、２．２５（ｓ、３Ｈ）、４．０５（ｔ、４Ｈ）、４．１５（ｔ、４Ｈ）、６．１２（ｄ、２Ｈ）、６．４０（ｄ、２Ｈ）、６．５５（ｄｄ、２Ｈ）、６．９５〜７．００（ｍ、４Ｈ）、７．０６（ｄｄ 、１Ｈ）、７．１２（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、８．１４〜８．１８（ｍ、４Ｈ）。
【実施例３】
【００８８】
【数１３】
【００８９】
４−ヒドロキシ安息香酸及び４−メトキシフェノールをモル比１：１として製造したエステル化合物をブタノン溶媒に溶解し、１．２当量のＫ２ＣＯ３塩基及び１．１当量の３−ブロモ−１−プロパノールを入れ、約８０℃で１０時間十分に撹はんした。エーテル及び水で、生成した塩を除去し、減圧蒸留して固体有機物を得、これをヘキサンで数回洗浄して、白色の固体を９５％の収率で得た。
【００９０】
上記白色の固体化合物及び１．２当量のジビニルスルホンをＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解した後、１．１当量のＤＢＵを入れ、約４０時間反応させた後、シリカゲルを用いてカラムクロマトグラフィー法により最終ビニルスルホン誘導体（３）を８１％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０４〜２．２１（ｍ、２Ｈ）、３．２６（ｔ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、２Ｈ）、３．８３（ｓ、３Ｈ）、３．９０（ｔ、２Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０３（ｄ、１Ｈ）、６．３９（ｄ、１Ｈ）、６．６９（ｄｄ、１Ｈ）、６．９１〜６．９８（ｍ、４Ｈ）、７．１３（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例４】
【００９１】
【数１４】
【００９２】
４−ヒドロキシ安息香酸及び２−メチルヒドロキノンをモル比２：１として、ジエチルベンゼン溶媒下で少量のＴｓＯＨを入れ、１８０℃で約４時間加熱しながら水を除去した。反応終了後、濾過して固体の粗化合物を得、これを水で数回洗浄してから、エーテルで数回洗浄して、白色の固体エステル化合物を８５％の収率で得た。
【００９３】
上記ジエステル化合物１．０当量に２．２当量の３−ブロモ−１−プロパノールをブタノン溶媒に溶解し、２．２当量のＫ２ＣＯ３塩基を入れ、８０℃で約１０時間反応させた。エーテル及び水でワークアップを行った後、減圧蒸留して有機溶媒を除去してから、生成した固体化合物をヘキサンで洗浄して、白色のジアルコール化合物を９０％の収率で得た。
【００９４】
上記ジアルコール化合物１．０当量をＣＨ２Ｃｌ２溶媒に溶解し、ジビニルスルホン２．２当量と同量のＤＢＵを入れ、常温で約４０時間反応させた。そして、シリカゲルを用いるカラムクロマトグラフィーで精製して淡黄色の最終ビニルスルホン誘導体（４）を７０％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０９〜２．２２（ｍ、４Ｈ）、２．２４（ｓ、３Ｈ）、３．２７（ｔ、４Ｈ）、３．７１（ｔ、４Ｈ）、３．９２（ｔ、４Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０５（ｄ、２Ｈ）、６．３９（ｄ、２Ｈ）、６．７０（ｄｄ、２Ｈ）、６．９７〜７．０１（ｍ、４Ｈ）、７．０６（ｄｄ 、１Ｈ）、７．１３（ｄ、１Ｈ）、７．１９（ｄ、１Ｈ）、８．１４〜８．１８（ｍ、４Ｈ）。
【実施例５】
【００９５】
【数１５】
【００９６】
１．２当量のジビニルスルホン及び３−ブロモ−１−プロパノールをＣＨ２Ｃｌ２に溶解した後、１．１当量のＤＢＵを入れ、常温で約２０時間反応させてから、シリカゲルを用いて分離した。
【００９７】
ＴＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：１溶媒に上の記製造された化合物１当量及び４−ヒドロキシ安息香酸１当量を入れた後、１．１当量のＫＯＨを入れ、約１０時間加熱した。生成した固体化合物を濾過した後、水及びエーテルを用いて順次洗浄して、淡黄色の固体酸を７５％の収率で得た。
【００９８】
上記酸化合物１．０当量及び４−シアノフェノール１．０当量及びＥＤＣ１．２当量をＣＨ２Ｃｌ２に溶解した後、約１０時間常温で反応させた。反応完了後、シリカゲルを用いて分離して、最終ビニルスルホン誘導体（５）を８５％の収率で製造した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ２．０５〜２．１９（ｍ、２Ｈ）、３．２５（ｔ、２Ｈ）、３．６８（ｔ、２Ｈ）、３．９１（ｔ、２Ｈ）、４．１８（ｔ、２Ｈ）、６．０５（ｄ、１Ｈ）、６．３８（ｄ、１Ｈ）、６．６８（ｄｄ、１Ｈ）、６．９９（ｄ、２Ｈ）、７．３３（ｄ、２Ｈ）、７．７５（ｄ、２Ｈ）、８．１３（ｄ、２Ｈ）。
【実施例６】
【００９９】
【数１６】
【０１００】
実施例５と同様の方法により、ＥＤＣを用いて最終ビニルスルホン誘導体（６）を７８％の収率で合成した。１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ０．９１（ｔ、３Ｈ）、０．９４〜１．１１（ｍ、２Ｈ）、１．１８〜１．４７（ｍ、６Ｈ）、１．８４〜１．８８（ｍ、４Ｈ）、２．０４〜２．１９（ｍ、２Ｈ）、２．４１（ｔ、１Ｈ）、３．２５（ｔ、２Ｈ）、３．６９（ｔ、２Ｈ）、３．９０（ｔ、２Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、６．０３（ｄ、１Ｈ）、６．４０（ｄ、１Ｈ）、６．６９（ｄｄ、１Ｈ）、６．９６（ｄ、２Ｈ）、７．１１（ｄ、２Ｈ）、７．２５（ｄ、２Ｈ）、８．１４（ｄ、２Ｈ）。
【実施例７】
【０１０１】
液晶組成物１
下記のような組成を用いて液晶組成物１を製造した。
【０１０２】
【数１７】
【実施例８】
【０１０３】
液晶組成物２
下記のような組成を用いて液晶組成物２を製造した。
【０１０４】
【数１８】
【実施例９】
【０１０５】
液晶組成物３
下記のような組成を用いて液晶組成物３を製造した。
【０１０６】
【数１９】
【実施例１０】
【０１０７】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物９．２８ｇを１５ｇのトルエン及び１５ｇのキシレンに溶解させ、６００ｍｇのイルガキュア９０７、４０ｍｇのＦＣ−４４３０及び８０ｍｇのＢＹＫ−３００を入れ、十分に振とうした。完全に溶解させてから、パーティクルフィルタを用いてパーティクルを除去した後、ワイヤバーを用いて配向膜処理された厚さ８０μｍの延伸ＣＯＰ（ｃｙｃｌｏ−ｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）上にバーコートし、５０℃のオーブンで１分間乾燥した後、ＵＶ（２００Ｗ〜８０Ｗ／ｍ）を照射して＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
【実施例１１】
【０１０８】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、実施例８により製造された液晶組成物２を用いた以外は、実施例１０と同様の方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
【実施例１２】
【０１０９】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、実施例９により製造された液晶組成物３を用いた以外は、実施例１０と同様の方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。
［比較例１］
【０１１０】
＋Ｃ型補償フィルムの製造
実施例７により製造された液晶組成物１の代りに、マックＲＭ２５７を用いた以外は、実施例１０と同様な方法により＋Ｃ型補償フィルムを製造した。コーティング乾燥した後、ディウェッティング（ｄｅｗｅｔｔｉｎｇ）現象が発生し、硬化後に白濁し、均一度が低下したフィルムが形成された。
［補償フィルムの物性測定］
【０１１１】
前記実施例１０〜実施例１２により製造された＋Ｃ型補償フィルムに対する厚さ及び屈折率を測定した。
【０１１２】
具体的に、偏光顕微鏡を用いてフィルムのコーティング性を評価し、マイクロゲージを用いて厚さを測定し、アッベ屈折計を用いて中心波長５５０ｎｍにおける複屈折率を測定した。その結果を、下記表１に示す。
【表１】
【０１１３】
前記表１によれば、本発明のビニルスルホン誘導体を含む液晶組成物を用いて製造した補償フィルムは、コーティング性に優れ、硬化後に透明なフィルムが形成され、複屈折率（Δｎ）値が０．１２９〜０．１５９である均一なフィルムが作られる。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の一実施例により製造された補償フィルムを用いた場合、暗状態における偏光顕微鏡写真である。
【図２】本発明の一実施例により製造された液晶組成物のネマティック液晶相に対する偏光顕微鏡写真である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式１のビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体、
【化１】
前記式中、Ｘ１は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１は、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−、又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１及びＹ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化２】
ａは０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ４、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３又は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３であり；
Ｒ５は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＯＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニルである。
【請求項２】
下記化学式２のビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体、
【化３】
【化４】
Ｗ１及びＷ２は、各々独立して−Ｈ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−ＣＦ３であり；
Ｘ１及びＸ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１及びＡ２は、各々独立してＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化５】
ａ及びｂは、各々独立して０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ８、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝０）ＣＨ３である。
【請求項３】
前記Ａ１のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−であり、前記Ｒ５のＣ２〜Ｃ１２のアルケニルは、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２である、請求項１に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項４】
前記Ａ１及びＡ２のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−である、請求項２に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項５】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体のうち、立体異性体を有するビニルスルホン誘導体は、トランス異性体：シス異性体の比率が８５：１５〜１００：０である、請求項１に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項６】
前記化学式２のビニルスルホン誘導体のうち、立体異性体を有するビニルスルホン誘導体は、トランス異性体：シス異性体の比率が８５：１５〜１００：０である、請求項２に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項７】
下記化学式１のビニルスルホン誘導体及び下記化学式２のビニルスルホン誘導体からなる群より選ばれた１種以上のビニルスルホン誘導体を含む、液晶組成物、
【化６】
前記式中、Ｘ１、Ａ１、Ｙ１、Ｙ２、環Ｂ、環Ｃ、Ｅ１、ａ及びＲ５は、請求項１に定義したとおりであり；
【化７】
前記式中、Ｇ、Ｘ１、Ｘ２、Ａ１、Ａ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｅ１、Ｅ２、ａ及びｂは、請求項２に定義したとおりである。
【請求項８】
前記液晶組成物に含まれたビニルスルホン誘導体のそれぞれの含量は、全体液晶組成物中１〜８０重量％である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルム。
【請求項１０】
前記液晶ディスプレイ用補償フィルムは、Ａ−プレート型補償フィルム、Ｂ−プレート型補償フィルム、（＋）Ｃ−プレート型補償フィルム、又は（−）Ｃ−プレート型補償フィルムである、請求項９に記載の液晶ディスプレイ用補償フィルム。
【請求項１１】
下記反応式１により製造される下記化学式５のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数１】
前記化学式５、化学式９及び化学式１０において、Ｘ１、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記請求項１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【請求項１２】
下記反応式２により製造される下記化学式６のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数２】
前記化学式６、化学式９及び化学式１１において、Ｘ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記請求項２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【請求項１３】
前記化学式９の化合物が、下記反応式３により製造される、請求項１１又は請求項１２に記載のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数３】
前記化学式９及び化学式１２において、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ１は前記請求項１に定義したとおりである。
【請求項１４】
下記反応式４により製造される下記化学式１４のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数４】
前記化学式１３及び化学式１４において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記請求項１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【請求項１５】
下記反応式６により製造される下記化学式１７のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数５】
前記化学式１６及び化学式１７において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記請求項２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【請求項１６】
下記反応式８により製造される下記化学式２２のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数６】
前記化学式２０、化学式２１及び化学式２２において、Ｗ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記請求項２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−であり、Ｐは保護基である。
【請求項１７】
下記反応式１０により製造される下記化学式２５のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数７】
前記化学式２１及び化学式２５において、Ｗ２、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記請求項２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【請求項１】
下記化学式１のビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体、
【化１】
前記式中、Ｘ１は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１は、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−、又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１及びＹ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化２】
ａは０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ４、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３又は−Ｃ（＝Ｏ）ＣＨ３であり；
Ｒ５は、−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＯＣＨ３、−ＯＣＨ２ＣＨ３、−ＯＣＦ３、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニルである。
【請求項２】
下記化学式２のビニルスルホン（ｖｉｎｙｌｓｕｌｆｏｎｅ）誘導体、
【化３】
【化４】
Ｗ１及びＷ２は、各々独立して−Ｈ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−ＣＦ３であり；
Ｘ１及びＸ２は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ−、又は−（ＣＨ２）ｍ−であり、ｍは１又は２であり；
Ａ１及びＡ２は、各々独立してＣ１〜Ｃ１２のアルキレン、Ｃ２〜Ｃ１２のアルケニレン、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ−、−（ＣＨ２ＣＨＣＨ３Ｏ）ｎ−又は−（ＣＨＣＨ３ＣＨ２Ｏ）ｎ−であり、ｎは１〜５の整数であり；
Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立して−Ｏ−、−ＮＨ−、−（ＣＨ２）ｐ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、又は−Ｃ（＝Ｏ）−であり、ｐは０〜２の整数であり；
【化５】
ａ及びｂは、各々独立して０〜２の整数であり；
Ｑ１〜Ｑ８、Ｒ１〜Ｒ４及びＲ６〜Ｒ９は、各々独立して−Ｈ、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ、−ＣＮ、−ＯＨ、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、又は−Ｃ（＝０）ＣＨ３である。
【請求項３】
前記Ａ１のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−であり、前記Ｒ５のＣ２〜Ｃ１２のアルケニルは、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ３、又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２である、請求項１に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項４】
前記Ａ１及びＡ２のＣ２〜Ｃ１２のアルケニレンは、それぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＣＨ３−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨＣＨ２−、又は−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ−である、請求項２に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項５】
前記化学式１のビニルスルホン誘導体のうち、立体異性体を有するビニルスルホン誘導体は、トランス異性体：シス異性体の比率が８５：１５〜１００：０である、請求項１に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項６】
前記化学式２のビニルスルホン誘導体のうち、立体異性体を有するビニルスルホン誘導体は、トランス異性体：シス異性体の比率が８５：１５〜１００：０である、請求項２に記載のビニルスルホン誘導体。
【請求項７】
下記化学式１のビニルスルホン誘導体及び下記化学式２のビニルスルホン誘導体からなる群より選ばれた１種以上のビニルスルホン誘導体を含む、液晶組成物、
【化６】
前記式中、Ｘ１、Ａ１、Ｙ１、Ｙ２、環Ｂ、環Ｃ、Ｅ１、ａ及びＲ５は、請求項１に定義したとおりであり；
【化７】
前記式中、Ｇ、Ｘ１、Ｘ２、Ａ１、Ａ２、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、環Ｂ、環Ｃ、環Ｄ、Ｅ１、Ｅ２、ａ及びｂは、請求項２に定義したとおりである。
【請求項８】
前記液晶組成物に含まれたビニルスルホン誘導体のそれぞれの含量は、全体液晶組成物中１〜８０重量％である、請求項７に記載の液晶組成物。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の液晶組成物を用いた液晶ディスプレイ用補償フィルム。
【請求項１０】
前記液晶ディスプレイ用補償フィルムは、Ａ−プレート型補償フィルム、Ｂ−プレート型補償フィルム、（＋）Ｃ−プレート型補償フィルム、又は（−）Ｃ−プレート型補償フィルムである、請求項９に記載の液晶ディスプレイ用補償フィルム。
【請求項１１】
下記反応式１により製造される下記化学式５のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数１】
前記化学式５、化学式９及び化学式１０において、Ｘ１、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記請求項１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【請求項１２】
下記反応式２により製造される下記化学式６のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数２】
前記化学式６、化学式９及び化学式１１において、Ｘ１、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記請求項２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数である。
【請求項１３】
前記化学式９の化合物が、下記反応式３により製造される、請求項１１又は請求項１２に記載のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数３】
前記化学式９及び化学式１２において、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ１は前記請求項１に定義したとおりである。
【請求項１４】
下記反応式４により製造される下記化学式１４のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数４】
前記化学式１３及び化学式１４において、Ｅ１、ａ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、前記請求項１に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【請求項１５】
下記反応式６により製造される下記化学式１７のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数５】
前記化学式１６及び化学式１７において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記請求項２に定義したとおりであり、ｎは１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【請求項１６】
下記反応式８により製造される下記化学式２２のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数６】
前記化学式２０、化学式２１及び化学式２２において、Ｗ１、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記請求項２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−であり、Ｐは保護基である。
【請求項１７】
下記反応式１０により製造される下記化学式２５のビニルスルホン誘導体の製造方法、
【数７】
前記化学式２１及び化学式２５において、Ｗ２、Ｘ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は前記請求項２に定義したとおりであり、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立して１〜１２の整数であり、Ｘ３は−Ｏ−又は−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−である。
【図１】
【図２】
【図２】
【公表番号】特表２００９−５１６７４０（Ｐ２００９−５１６７４０Ａ）
【公表日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５４２２３９（Ｐ２００８−５４２２３９）
【出願日】平成１８年１１月２３日（２００６．１１．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００６／００４９４４
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０６１２３２
【国際公開日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（５００２３９８２３）エルジー・ケム・リミテッド (1,221)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年４月２３日（２００９．４．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１１月２３日（２００６．１１．２３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００６／００４９４４
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０６１２３２
【国際公開日】平成１９年５月３１日（２００７．５．３１）
【出願人】（５００２３９８２３）エルジー・ケム・リミテッド (1,221)
【Ｆターム（参考）】
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