【課題】無酸素系における芳香族ビニルモノマー用重合禁止剤組成物、およびその重合禁止方法を提供する。
【解決手段】重合禁止剤組成物は、オキシム化合物とヒドロキシルアミン化合物からなるかまたはオキシム化合物もしくはジニトロフェノール化合物、ヒドロキシルアミン化合物およびフェニレンジアミン化合物からなる。オキシム化合物またはジニトロフェノール化合物とヒドロキシルアミン化合物およびフェニレンジアミン化合物との組み合わせと同様に、オキシム化合物とヒドロキシルアミン化合物との組み合わせは、芳香族ビニルモノマーの加工中の望ましくないモノマーの重合を効果的に禁止する。 （もっと読む）

【課題】 芳香族ビニル化合物の蒸留工程、精製工程あるいは貯蔵工程において、芳香族ビニル化合物の製造によって生成したジビニルベンゼンあるいは芳香族ビニル化合物の製造原料に伴って混入したジビニルベンゼンと芳香族ビニル化合物を含む共重合体の生成を長時間に亘り効率的に重合を抑制し、さらに生成した前記共重合体の装置類・設備類への付着による汚れを抑制するジビニルベンゼンと芳香族ビニル化合物を含む共重合体の重合抑制方法を提供することにある。
【解決手段】 芳香族ビニル化合物の製造工程、精製工程あるいは貯蔵工程において、（Ａ）２，６−ジニトロフェノール化合物と、（Ｂ）スルホン酸化合物を同時に添加する。好適には（Ａ）と（Ｂ）を重量比で９９：１〜５０：５０の割合で用いる。 （もっと読む）

【課題】 芳香族ビニル化合物の蒸留工程、精製工程あるいは貯蔵工程において、芳香族ビニル化合物の製造によって生成したジビニルベンゼンあるいは芳香族ビニル化合物の製造原料に伴って混入したジビニルベンゼンと芳香族ビニル化合物との共重合体の生成抑制方法および装置類・設備類への該共重合体の付着による汚れの抑制方法を提供することにある。
【解決手段】 芳香族ビニル化合物の製造工程、精製工程および貯蔵工程において、（Ａ）２，６−ジニトロフェノール系重合抑制剤と、（Ｂ）ニトロキシ化合物、ニトロソ化合物、ヒドロキシルアミン化合物から選ばれる１種以上を同時に添加する。好適には（Ａ）と（Ｂ）を重量比で９９：１〜７０：３０の割合で用いる。 （もっと読む）

【課題】構造Ｈハイドレートを高能率に製造する。
【解決手段】ゲスト物質流４体内において、冷却した大分子ゲスト物質６と水８とを衝突させ、衝突によって形成される混合微細液滴１０をゲスト物質流体４と接触させることにより構造Ｈハイドレートを生成する。 （もっと読む）

【課題】メタンを含む天然ガス中の全ての成分を容易且つ確実にガスハイドレート化すると共に、再ガス化したときに、原料となる天然ガスと同じ成分のガスを得られるようにしたガスハイドレート生成方法及び装置を提供する。
【解決手段】メタンを含む天然ガス中の生成圧力の低いエタン、プロパン、ブタン等と水Ｗを、水に不溶で且つメタンより大きな分子量を有する液状ゲスト物質Ｌｇを用い水和反応させ、主として構造ＩＩ型のガスハイドレートＧＨ_ＩＩを生成させる第一生成槽１と、第一生成槽１で生成されたメタンリッチのガスと水Ｗと前記液状ゲスト物質Ｌｇを用い水和反応させ、構造Ｈ型のガスハイドレートＧＨ_Ｈを生成させる第二生成槽２とを備える。 （もっと読む）

【課題】 芳香族ビニル化合物の蒸留工程、精製工程および貯蔵工程において、長時間に亘り芳香族ビニル化合物の重合を抑制し、さらに該ビニル化合物の重合物による装置類・設備類の汚れの発生と付着を抑制する重合抑制方法を提供することにある。
【解決手段】 芳香族ビニル化合物の製造、精製、貯蔵および輸送工程において、２，６−ジニトロフェノール化合物を用いることを特徴とする芳香族ビニル化合物の重合抑制方法であり、好ましくは２，６−ジニトロフェノール、２，６−ジニトロ−４−メチルフェノール、２，６−ジニトロ−４−エチルフェノール、２，６−ジニトロ−４−ｓｅｃ−ブチルフェノール、２，６−ジニトロ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールから選ばれる１種以上を該芳香族ビニル化合物に対して、１０〜１０，０００ｐｐｍ添加する。 （もっと読む）

【課題】 均一性が高く最適な粒径のハイドレート粒子が得られるハイドレート生成装置、およびハイドレート粒径制御方法を得る。
【解決手段】 反応タンク１２内もしくは循環水ライン２６に、ＣＣＤカメラ３１（もしくはＣＣＤカメラ３３）を設け、このＣＣＤカメラ３１（もしくはＣＣＤカメラ３３）で撮像された画像を、粒径計測器３２へ入力し、ハイドレート粒子の粒径ｄを求め、制御部３４へ入力し、制御部３４によって、反応タンク１２内のハイドレート生成条件を制御することで、均一性が高く最適な粒径のハイドレート粒子を反応タンク１２内で生成することができる。 （もっと読む）

【課題】 新規な大分子ゲスト物質である3-メチルテトラヒドロピラン（3MTHP）もしくは2-メチルテトラヒドロフラン(2MTHF)ならびにメタンを用いた新規な構造H水和物生成法および該構造H水和物を用いたメタンの貯蔵方法の提供。
【解決手段】 3-メチルテトラヒドロピラン（3MTHP）または2-メチルテトラヒドロフラン(2MTHF)を大分子ゲスト物質として含む構造H水和物および該構造H水和物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】コンパクトな装置構成で、効率的にガスハイドレートを生成することが可能なガスハイドレート生成装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを気泡状にして原料水と混合させる混合器と、原料ガスと原料水とからなる混合流体が内部を流れ、内部を流れるこの混合流体との熱交換によって混合流体を冷却する管路とを有し、原料水と原料ガスの組み合わせに固有のガスハイドレート生成分解平衡特性に応じて、混合流体の流れる方向に沿って、前記管路の温度を調整する。また、管路の内部を流れる混合流体の流速が一定となるよう、混合流体の流入側から流出側へいくにしたがって、管路の内径を小さく調整する。 （もっと読む）

【課題】 均一性が高く最適な粒径のハイドレート粒子が得られるハイドレート後処理装置およびハイドレート粒径制御方法の提供。
【解決手段】流動層反応器３０２と、ハイドレート粒径測定手段と、ハイドレート粒径測定手段で求められたハイドレート粒子の粒径に基づき、流動層反応器に導入されるハイドレート形成ガスの温度および流動層反応器内部の温度を制御してハイドレート粒子の粒径を制御するハイドレート粒径制御手段３５０とを備え、ハイドレート粒径制御手段においては、ハイドレート形成ガスおよび流動層反応器内部の少なくとも一方の温度を、ハイドレート粒径測定手段で求めたハイドレート粒子の粒径が所定範囲よりも小さいときは高くし、ハイドレート粒子の粒径が所定範囲よりも大きなときは低くするハイドレート後処理装置、ハイドレート粒径制御方法。 （もっと読む）