【課題】安価であり、合成が容易であり、且つ有機ＥＬ素子の発光ドーパントとして使用した場合に低い印加電圧で発光を開始する銅錯体及び、前記銅錯体を発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物：


（式中、Ｃｕは銅であり、ＰＲ_１Ｒ_２Ｒ_３はＣｕに配位するホスフィン化合物である。Ｒ_１〜Ｒ_５は、それぞれ同じまたは異なってよく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、または置換基を有してもよい芳香環基である。Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。）。 （もっと読む）

【課題】安価であり、合成が容易であり、且つ短波長の発光波長を示す銅錯体、ならびにこれを発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物が提供される：


（式中、ｎは、それぞれ独立して、０〜５の整数であり、少なくとも１つのｎは１〜５の整数である。Ｘ⁻は対イオンであり、ＸはＢＦ_４またはＣｌＯ_４である。）。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素ガスの吸着量・放出量が比較的大きな有機金属錯体を得る。
【解決手段】有機金属錯体である［Ｃｕ_２（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）_２］_ｎは、繰り返し単位であるＣｕ_２（ピリジン−３，５−ジカルボキシラート）_２が複数個互いに結合して形成される。この有機金属錯体の単位胞は、その晶系が六方晶系に属する。そして、この有機金属錯体において、ａ軸とｂ軸で形成される平面中には、原子が密充填されていない空洞（空間）が複数箇所存在する。この空洞は、開口径及び内径が数Åの孔形状であり、その内面にはＣｕ原子、Ｏ原子、Ｎ原子が露呈する。この空洞が、二酸化炭素ガス吸着サイトとして機能する。 （もっと読む）

【課題】安価であり、合成が容易であり、且つ短波長の発光波長を示す銅錯体、ならびにこれを発光ドーパントとして用いた有機電界発光素子、表示装置および照明装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、例えば具体例として、下式で例示される表される化合物が提供される：
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【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】優れた二酸化炭素分離性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】周期表の２族及び７〜１２族に属する金属から選択される少なくとも１種の金属イオンと、ルイス塩基性アニオンと、下記一般式（Ｉ）；


で表される該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】希土類元素（ＲＥ）、バリウム（Ｂａ）、銅（Ｃｕ）を含む酸化物超電導薄膜のＭＯＤ法を用いた製造において、３日以上に亘って連続塗布および熱処理が行われるような場合であっても、得られる超電導薄膜のＩｃが低下することがなく、製造開始時より終了時までＩｃの安定した超電導薄膜を効率的に製造することが可能なＭＯＤ溶液とその製造方法を提供する
【解決手段】塗布熱分解法を用いた酸化物超電導薄膜の製造において使用される酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液であって、希土類元素、バリウム、銅の各金属有機化合物が、比誘電率２７以上の混合溶媒に溶解されており、混合溶媒には、少なくとも水が含まれている。混合溶媒は、少なくとも、１−ブタノール、メタノール、水の３種類を含む混合溶媒である。混合溶媒に含まれる水の体積比率は、１／３未満である。 （もっと読む）

【課題】吸着等温線の傾きが十分に大きく、より低圧かつわずかなガス圧力変動でガスを多量に吸脱着することが可能な高分子金属錯体を提供する。
【解決手段】下記式（１）の単位構造を有する二次元平面格子積層型の結晶構造であって、赤外分光による１０５６ｃｍ^−１の吸収強度が１６１４ｃｍ^−１の吸収強度の１．４倍以上を示すことを特徴とする高分子金属錯体を採用する。
[Ｘ（ＣＦ_３ＢＦ_３）_２Ｌ_２] … (１)
（ただし、式中Ｘは、コバルト、ニッケル、銅のいずれかの二価イオンであり、Ｌは有機配位子である。） （もっと読む）

【課題】単核系金属錯体を有効成分とする新規酸化触媒を提供する
【解決手段】一般式（１）で表される単核系金属錯体を有効成分とする。なお、一般式（Ｉ）中のＲ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４は、それぞれ独立に、水素原子及び炭素数１〜３の炭化水素基から選択されるいずれかであり、Ｍは、平面四配位型の配位構造を形成する金属原子であり、Ｘはハロゲン原子である。
【化１】
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【課題】ベンゼンからのフェノールへの一段階反応において、過酸化水素存在下での加熱によっても、二核銅錯体が分解し難い酸化触媒を提供する。
【解決手段】１，１−ビス（Ｎ−メチルベンズイミダゾリル）−エタン（Me3bbim）を配位子とした、式Ｉで表される二核銅錯体を有効成分とする。
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