【課題】 高反射基板上でパターンを形成するための適度な吸収を有し、露光後のパターン形状と密着性と段差基板での埋め込み特性が良好で、また、イオンインプランテーションを行う際のイオンインプラント耐性を有するポジ型レジスト材料、及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 （Ａ）カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換された構造を有する繰り返し単位を含む、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子化合物と、（Ｂ）置換又は非置換のフルオレセインのノボラック樹脂とをベース樹脂として含有し、更に、光酸発生剤を含有するものであることを特徴とするポジ型レジスト材料。 （もっと読む）

【課題】 環境ホルモンの懸念があるビスフェノールＡを含まず、本来必要とされる特性を維持しつつ、良好な硬化性及び熱膨張特性が得られる共に爆熱時にススが発生しにくいシェルモールド用フェノール樹脂粘結剤を得ることができる製造方法及びこれを用いてなるシェルモールド用レジンコーテッドサンドを提供する。
【解決手段】 フェノール類（Ａ）と１−ナフトール（Ｂ）とアルデヒド類（Ｃ）とを、シュウ酸を含む少なくとも２種類以上のカルボン酸を触媒として反応することから得られることを特徴とするシェルモールド用フェノール樹脂粘結剤であって、前記シュウ酸以外のカルボン酸は、安息香酸、フタル酸、サリチル酸、マロン酸、コハク酸、フマル酸およびマレイン酸からなる群より選ばれる１種以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い植物由来率をもち、硬度、破断強度及び破断伸びに優れた加硫物を与え得る混練性良好なゴム組成物が得られる固形レゾール型バイオマスフェノール樹脂を提供する。また、硬度、破断強度及び破断伸びに優れた加硫物が得られるゴム組成物を提供する。
【解決手段】本発明の固形レゾール型バイオマスフェノール樹脂は、植物由来率が３０質量％以上、かつ重量平均分子量が１０，０００以上であることを特徴とする。本発明のゴム組成物は、上記レゾール型バイオマスフェノール樹脂と、ゴムとフィラーとを含有する。 （もっと読む）

【課題】半導体やＬＣＤを製造する際のリソグラフィーに使用されるフォトレジスト用として、高耐熱、高感度、高残膜率、高解像度を備えたフォトレジストの製造を可能にするノボラック型フェノール樹脂を提供すること。
【解決手段】
（Ａ）ｍ−クレゾ−ル及び／又はｐ−クレゾールを含有するフェノール成分（ａ）と、ポリアルデヒドを含有するアルデヒド成分（ｂ）とを反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂、
（Ｂ）感光剤、並びに
（Ｃ）プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びγ−ブチロラクトン
を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物に関する。 （もっと読む）

【課題】 ５０℃における低い粘度と低吸湿性を発揮し、エポキシ樹脂と反応硬化させた場合に良好な機械特性を発揮するフェノール系化合物を提供すること。
【解決手段】 フェノール類と、芳香族アルデヒド化合物と、ホルムアルデヒドとを反応させて得られるフェノール系化合物であって、前記ホルムアルデヒドのモル数に対して前記芳香族アルデヒド化合物を０．１〜４．０倍モル用い、かつ、前記フェノール系化合物は、５０℃における粘度が０．０１〜１００Ｐａ・ｓであるフェノール系化合物とする。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 低溶融粘度、高ガラス転移温度、低吸湿性、高密着性、耐熱性、及び難燃性などに優れた新規なフェノールノボラック樹脂を提供する。
【解決手段】 一般式（１）： 式中、Ｒは一般式（２）： で示されるビフェニリレン基及びキシリレン基から選択される少なくとも１の２価のアリーレン基を表し、更に一般式（３）： 式中、Ｒ^４は、ヒドロキシル基又は炭素原子数１〜６のアルキル基である、で示される構成単位を含んでいてもよく、ｍ及びｎは、ｍ／ｎが０．０４〜２０を満たす数であり、また、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ、ヒドロキシル基又は炭素原子数１から６個のアルキル基であり、ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ、０〜２の整数である、で示される構成単位を有し、１５０℃における溶融粘度が２０〜１００ｍＰａ・ｓである低軟化点フェノールノボラック樹脂に関する。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有することを特徴とするレジスト下層膜材料。


ＯＨＣ−Ｘ−ＣＨＯ（２） （もっと読む）

【課題】ノボラック型フェノール樹脂の性能を変えることなく、樹脂中の残留モノマー成分をｐｐｍオーダーまで低減する製造方法を提供する。
【解決手段】フェノール類とアルデヒド類を酸触媒存在下で反応させた後、前記フェノール類のモノマーの沸点よりも高い沸点を有する溶剤を添加し、それを加熱処理することを特徴とするノボラック型フェノール樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特には３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜としての最適なｎ、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種以上の化合物、並びに下記一般式（２）で示される１種以上の化合物及び／又はその等価体を縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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