【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、耐熱性等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好で、塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物の提供。
【解決手段】少なくとも下記一般式（１）及び（２）の化合物を含む原料を重合して得られる重合体。


Ｒ_０は水素原子または炭素数１〜６のアルキル基、Ａｒは置換基を有しても良いアリール基またはヘテロアリール基、Ｒ_Ａは水素原子または有機基、Ｒ_ｃは、少なくとも１つのＲ_Ａ−Ｃ≡Ｃ−基が橋頭位に直接結合したカゴ型構造を有する有機基を表わす。 （もっと読む）

【課題】優れた硬化性及び低誘電率を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、並びに、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜を提供。
【解決手段】（Ａ）ラジカル開始剤と、下記式（１）の化合物及び／又は下記式（１）の化合物を用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物。Ｒ¹は炭素と水素からなり、お互い連結し、６員環以上の環構造を形成していてもよい。
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【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつ基板との密着性が良好であり、更に塗布液の安定性に優れる層間絶縁膜形成用組成物を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）炭素−炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランを基質濃度１０質量％以下において加水分解して得られる加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素−炭素二重結合及び炭素−炭素三重結合から選択される結合を少なくとも２つ有する化合物、及び
（Ｃ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、低誘電率などの絶縁膜としての膜性能を維持しつつ、基板との密着性が改良された絶縁膜形成用組成物、更に、該組成物を用いて得られる絶縁膜及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】カゴ型構造と不飽和結合基を有する高分子化合物を含有する絶縁膜形成用組成物であって、上記高分子化合物が更に置換基としてアルコキシシラン基、アシルオキシシラン基またはヒドロキシシラン基を有する化合物であること特徴とする組成物、により解決される。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり、かつＥＢＲ形状が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、更には前記絶縁膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】以下の成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）を含有することを特徴とする膜形成用組成物により、上記課題が解決される。
（Ａ）かご型構造基を有する化合物。
（Ｂ）Ｓｉを含む界面活性剤。
（Ｃ）少なくとも一つの下記の構造を有する有機溶媒。
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【課題】開放電圧（Ｖｏｃ）の高い光起電力素子を提供する。
【解決手段】（ａ）ピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体、および（ｂ）電子供与性有機材料を含む光起電力素子用材料。 （もっと読む）

【課題】誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる膜、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノディスク構造を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物から形成された膜、絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。通常は該膜形成用組成物に、さらに熱化硬可能な材料を含む。該熱硬化可能な材料はかご型構造を有するモノマーの重合体である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる組成物を提供する。さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】三重結合及びまたは二重結合を合計で複数個有するトリプチセン誘導体を重合単位として重合した重合体を含有することを特徴とする組成物、該組成物を用いた絶縁膜及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高弾性率かつ密着性に優れる樹脂膜が得られる芳香族エチニル化合物、これを含む樹脂組成物及びワニスを提供し、また、前記樹脂膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のエチニル基と、１つ以上のｏ−ヒドロキシアミドフェニル基とを有する芳香族エチニル化合物により達成される。前記芳香族エチニル化合物は、一般式（１）で表される構造を有するものである。


（式（１）中、Ｒはｏ−ヒドロキシアミドフェニル基を含む基を示し、式（１）で表される構造における水素原子上の水素原子は、炭素数１以上２０以下のアルキル基で置換されていても良く、アダマンタン構造を含む基で置換されていても良い。ｎ₁及びｎ₂は、それぞれ、１以上４以下の整数である。） （もっと読む）

本発明は、伝導性高分子に前記高分子の繰返し単位内に移動性電荷キャリアを導入するドーパントがドープされるが、前記ドーパントをドープしながら、高分子が持つ伝導帯以上の電圧を印加して電子伝導度を改質することを特徴とする高電子伝導性高分子の製造方法、前記製造方法により製造された高電子伝導性高分子、前記高電子伝導性高分子を含む電極及び前記電極を備える電気化学素子を提供する。
本発明では、伝導性高分子の電子伝導度を向上させる新規なドーピング法を導入することで、導電剤と対等な伝導度を有する高分子を提供できる。
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