【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物及び熱分解性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】可視光領域の光吸収の変化を利用して酸化状態を検出することができる組成物を提供する。
【解決手段】式（１）で表される、繰り返し単位をｎ個有してなるアセチレン系ポリマー成分と、式（１）で表される、繰り返し単位をｎ個有してなるアセチレン系ポリマー成分を酸化して得られる成分とからなる組成物。


（式中、ｎは、１０から１００００である整数を示す。Ａは、ナフタレン基又はアントラセン基から選ばれる基である。Ｂは、ｍ又はｐの位置が置換基Ｘにより置換されているフェニル基、置換基Ｘは、アルキル基、Ｒ^１−Ｏ−基、−Ｓ−Ｒ^２基、−ＮＲ^３Ｒ^４、シアノ基、カルボキシル基、Ｒ^５ＳＯ_２−、−ＣＯＯＲ^６基、−ＣＯＮ（Ｒ^７）（Ｒ^８）基及び−ＣＯＲ^９から選ばれる基（Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９はアルキル基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又はアルキル基）である。） （もっと読む）

【課題】可視光領域の光吸収の変化を利用して酸化状態を検出することができる組成物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される繰り返し単位を有するアセチレン系ポリマー成分と、下記式（１）で表される繰り返し単位を有するアセチレン系ポリマーを酸化して得られる成分とからなる組成物。


（式中、ｎは、１０〜１００００の整数を、Ａは、ナフチル基、フェナントリル基、ピレニル基、又はアントリル基から選ばれる基を表す。これらの基は、アルキル基、芳香族炭化水素基により置換されているアルキル基、Ｒ^１−Ｏ−基、-Ｓ-Ｒ^２基、-ＮＲ^３Ｒ^４、シアノ基、カルボキシル基、Ｒ^５ＳＯ_２−、−ＣＯＯＲ^６基、−ＣＯＮ（Ｒ^７）（Ｒ^８）基及び-ＣＯＲ^９から選ばれる基でモノ又はジ置換されている。式中、Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^９はアルキル基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又はアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】 誘電率、機械強度等の膜特性が良好な膜を提供できる絶縁膜形成用塗布液、さらには該塗布液を用いて得られる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含有し、該化合物に芳香族炭化水素構造を実質的に含まないことを特徴とする膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて膜を形成した芳香族炭化水素構造を実質的に含まないことを特徴とする絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴがより細かく均一に分散したＣＮＴ分散液を得る。特に細かく分散した場合に起こりやすい再凝集を防ぐ。
【解決手段】カーボンナノチューブと共役系重合体と溶媒を混合してカーボンナノチューブ混合液を作製し、次いで該混合液に超音波を照射し、さらに追加の共役系重合体を添加して超音波照射を行うカーボンナノチューブ分散液の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率２．２以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。
【解決手段】
［１］下記の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用組成物。
成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；
成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；


［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高い気体透過性および高い熱安定性を示すポリマー膜を調製できる、新規なハロゲン含有ポリ（ジフェニルアセチレン）誘導体を提供する。
【解決手段】 上記ハロゲン含有ポリ（ジフェニルアセチレン）誘導体は下記式（１）で表される構造を有するものである。
【化１】
（式中、Ａｒはハロゲン化フェニル基であり、Ｒは水素、水酸基、シリル基またはシロキシ基から選択される少なくとも１種の基であり、ｎは１０以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】 膜形成組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成組成物、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物であって，組成物中の溶存酸化性ガスの含有率が該酸化性ガスの飽和濃度の１％以下であることを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜、および電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 膜形成組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成組成物、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 式（Ｉ）で表される化合物の重合体、塗布溶剤、およびラジカルクエンチャーを含有することを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス。
(Ｙ)ｍ−Ｘ−(Ｒ)ｎ 式（Ｉ）
式（Ｉ）中、
Ｘはカゴ型構造を表す。
Ｒはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基、または、エチレン性炭素二重結合を含む置換基を表す。
Ｙは置換基を表す。
ｍは０以上の整数を表す。
ｎは１以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に対する密着性が高い絶縁膜を形成し得る絶縁膜形成用塗布液を提供すること。ほか
【解決手段】 以下の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用塗布液。ほか
成分（Ａ）：非極性であり、かつ分子内に炭素−炭素二重結合を２個以上有するか、炭素−炭素三重結合を２個以上有するか、もしくは炭素−炭素二重結合を少なくとも１個と炭素−炭素三重結合を少なくとも１個有する熱反応性化合物、または該熱反応性化合物を重合して得られるポリマー。
成分（Ｂ）：式（１）〜（３）で示されるシラン化合物からなる群から選ばれる化合物を重縮合して得られる重合体。


（式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ³はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ⁴はアルキル基、アシル基またはアリール基を表し、Ｘは２価の基を表し、ｍは２または３を表す。） （もっと読む）