【課題】 リチウムイオン２次電池やハイブリットキャパシタなど、充放電時にリチウムイオンの移動を伴う蓄電デバイスの導電性に優れるＳｉ系合金負極材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ相とＳｉとＣｕとの金属間化合物であるＳｉｘＣｕｙ合金からなるＳｉｘＣｕｙ相の複合相からなる粉体であり、かつＳｉｘＣｕｙ相の組成がｘ＜ｙであり、またはＳｉを主相とするＳｉ相の平均粒径を１０μｍ以下とし、該Ｓｉ相の少なくとも１部をＳｉｘＣｕｙ相で取り囲んでなることを特徴とする導電性に優れるＳｉ系合金負極材料。 （もっと読む）

【課題】曲げ加工性を劣化させずに導電率を向上可能なコルソン系電子材料用銅合金の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ及びＣｏのうち１種以上を１．０〜５．０質量％含有し、Ｓｉを０．１〜１．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子材料用銅合金の製造方法であって、時効処理を水素ガス雰囲気で行う。 （もっと読む）

【課題】優れた強度及び曲げ加工性を有するチタン銅及びこれを用いた伸銅品、電子部品及びコネクタを提供する。
【解決手段】Ｔｉを１．０〜５．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなるチタン銅であって、電子顕微鏡による圧延面の電解研磨後の表面の組織観察において、平均結晶粒径が２０μｍ以下、結晶粒内に存在する粒径１μｍより大きい第二相粒子の平均個数密度（Ｘ）が１５×１０³個／ｍｍ²以下、結晶粒内に存在する粒径１００ｎｍ〜１μｍの第二相粒子の平均個数密度（Ｙ）が３０×１０³個／ｍｍ²以下であり、ＥＢＳＰ測定により、チタン銅の圧延方向と平行な方向［１００］の結晶方位の極密度を測定した場合に｛１１１｝から３０°以内の範囲に強度２〜３０のピークが存在することを特徴とするチタン銅である。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度をそれぞれ０．０５質量％以下に調整する。母材は、更にＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた強度及び曲げ加工性を有するチタン銅及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｔｉを１．０〜５．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなるチタン銅であって、電子顕微鏡による圧延面の電解研磨後の表面の組織観察において、平均結晶粒径が２０μｍ以下、結晶粒内に存在する粒径１μｍより大きい第二相粒子の平均個数密度（Ｘ）が１５×１０³個／ｍｍ²以下、結晶粒内に存在する粒径１００ｎｍ〜１μｍの第二相粒子の平均個数密度（Ｙ）が３５×１０³個／ｍｍ²以下であり、せん断帯が５本以上存在する結晶粒の割合が１５〜９０％であるチタン銅である。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲の熱処理を施した後でも優れた屈曲疲労寿命特性を発揮することが可能な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】主成分としての銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物と、ケイ素（Ｓｉ）及び鉄（Ｆｅ）の少なくとも一方と、ホウ素（Ｂ）と、銀（Ａｇ）とを含有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】プレス加工性、曲げ加工性及び強度に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金圧延板を提供する。
【解決手段】Ｃｏを０．５〜３．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．０質量％含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる銅合金圧延板であって、Ｘ線回折法により板表面から５μｍの深さまでの結晶方位を測定したとき、｛１１１｝正極点図上のα＝０〜１０°（但し、α：シュルツ法に規定する回折用ゴニオメータの回転軸に垂直な軸）の領域に相当する、せん断集合組織の極密度が１．５以上８以下であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金圧延板である。 （もっと読む）

【課題】 各種電子部品に用いるのに好適で、とりわけ、めっきの均一付着性に優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金を提供する。
【解決手段】 電子材料用銅合金は、Ｃｏ：０．５〜３．０質量％、Ｓｉ：０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、板厚中心の平均結晶粒径が２０μｍ以下で、表面に接した結晶粒でかつ長径が４５μｍ以上の結晶粒が、圧延方向長さ１ｍｍに対して５個以下である。 （もっと読む）

【課題】高次元で強度と導電率を達成するとともに、耐へたり性についても優れたＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系銅合金を提供する。
【解決手段】Ｃｏ：０．５〜３．０質量％、Ｓｉ：０．１〜１．０質量％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、母相中に析出した第二相粒子のうち、粒径が５ｎｍ以上５０ｎｍ以下のものの個数密度が１×１０¹²〜１×１０¹⁴個／ｍｍ³であり、粒径が５ｎｍ以上１０ｎｍ未満のものの個数密度は、粒径が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下のものの個数密度に対する比で表して３〜６である電子材料用銅合金。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのリード変形が生じにくく、且つ、プレス加工後の歪取り焼鈍に要する時間の短い銅合金板又は条を提供する。
【解決手段】Ｃｏ：０．４〜３．０質量％、Ｓｉ：０．０９〜１．０質量％を含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物から構成される電子材料用銅合金板又は条であって、表面から１μｍの深さにおける残留応力の絶対値が５０ＭＰａ以下であり、且つ、５００℃の温度で１分間加熱する熱処理によって引張強さが４０ＭＰａ以上低下する銅合金板又は条。 （もっと読む）