酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
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【課題】 後処理の工程を経ることなくＣｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。
【解決手段】 Ｃｕの薄膜を形成した後、Ｃｌ₂ ガス２１の供給を停止すると共に、ガスノズル１８からＡｒガス２２を供給してＡｒ^*を発生させ、基板３にＣｕ成分が成膜された後に残留するＣｌ^*とＡｒ^*とが置換される。これにより残留するＣｌ^*が再反応してコンタミ層の形成やパーティクルの形成を抑えてＣｕ層の表面を清浄に保ち、被エッチング部材１１の表面を清浄に保つ。 （もっと読む）

シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法。洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

金属層を基板の表面に接着させるための方法及びそれにより得られた構造体が記載されている。該方法は、金属層を基板上に堆積する前に、該基板表面に犠牲酸性有機層を適用する工程を含む。金属層の堆積時、この犠牲酸性有機層はほぼ消費され、それにより優れた接着特性を有する金属／基板界面が残る。
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基板を連続的に真空洗浄する方法であって、
-汚染の点から、スパッタリング効率が低く、化学的に活性な種を選択すること、
-少なくとも１つのリニアイオンソースを用いて、スパッタリング効率の低い種を主に含むガス混合物、特に酸素をベースとしたもの、からプラズマを発生させること、
-該基板の少なくとも一の表面部を該プラズマの照射対象とし、該イオン種が、該表面部に吸着または付着した汚染を、化学反応により、少なくとも部分的に除去することを特徴とする方法に関する発明である。 （もっと読む）

本発明は、
−ケイ素イオンまたはゲルマニウムイオンのビームを使用して、基材を照射することによる核生成サイト（４）の形成と、
−形成された核生成サイト上でのナノストラクチャー（８）の成長
とを含むナノストラクチャーの形成方法に関する。
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後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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【目的】 本発明はゲルマニウム基板に荒れを発生することを防止し、かつ、ゲルマニウム基板表面上の、炭素系不純物および酸素系不純物を、大幅に低減することができる方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明に係るゲルマニウム基板の表面清浄化法は、真空容器２内にゲルマニウム基板１を配置し、前記容器２内の空気を排出し、前記容器２内に水素ガス６を導入し、前記容器２内で、原子化された水素を、ゲルマニウム基板１の表面に照射することにより、前記ゲルマニウム基板１に吸着している酸素原子および炭素原子を除去することを特徴とする。 （もっと読む）