【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】処理室より排気されたガスから、未反応の有機ルテニウム化合物を簡単な構成で回収し、回収された有機ルテニウム化合物が処理装置のアイドリング時に昇華及び排気されることを防止することができる回収装置を提供する。
【解決手段】気化した有機ルテニウム化合物を含む原料ガスを用いて基板処理を行う処理室より排出された原料ガスから、該原料ガスに含まれる未反応の有機ルテニウム化合物を回収する回収装置３に、前記処理室から排出された原料ガスが通流する通流部５と、前記処理室から排出された原料ガスを前記通流部へ流入させる流入管５１と、前記原料ガスから有機ルテニウム化合物が回収されたガスを排出する排出管５２と、前記通流部の上流側と、下流側とを連通させる迂回管６１と、前記流入管に設けられた第１弁と、前記流入管を加熱する加熱部７と前記排出管に設けられた第２弁と、前記迂回管に設けられた第３弁とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、下地との密着性を良好にすることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、処理容器１内に気体状のコバルトカルボニルを供給し、基板Ｗ上でコバルトカルボニルを熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜するにあたり、基板ＷのＣｏ膜の下地が、Ｃｏ膜との界面近傍に混合層を形成する材料で構成されており、基板Ｗの加熱温度を１９０〜３００℃とする。 （もっと読む）

【課題】めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】炭素含有コバルト膜の成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内にウエハＷを搬入し、ステージ３上に配置する工程と、処理容器１内の圧力及びウエハＷの温度を調節する工程と、処理容器１内にＣｏ_２（ＣＯ）_８とアセチレンとをそれぞれ供給して処理容器１内で混合し、ＣＶＤ法によりウエハＷの表面に炭素含有コバルト膜を堆積させる工程と、成膜原料の供給を停止し、処理容器１内を真空引きする工程と、処理容器１内からウエハＷを搬出する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを基板Ｗに至るまでＣｏ_４（ＣＯ）_１２が生成されないようにして基板Ｗに供給し、前記基板上で熱分解によりＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、Ｃｏ膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、基板Ｗの温度を１６０〜３００℃とし、処理容器１内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜８１中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ｔｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ１）、Ｔｉ膜上にＣｏ膜を形成する工程（ＳＴＥＰ２）、Ｔｉ膜及びＣｏ膜を熱処理してＣｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜を形成する工程（ＳＴＥＰ３）を備えている。Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に単一原料として気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_４（ＣＯ）_１２を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。このとき、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させ、これにより生成された気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８をＣｏ_４（ＣＯ）_１２が安定に存在する温度にして気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２に変化させ、処理容器１内に供給する。または、成膜原料として固体原料であるＣｏ_４（ＣＯ）_１２を用い、これを気化させて処理容器１内に供給する。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）