【課題】 半導体装置の低誘電率層間絶縁膜として、フッ素含有シリコン酸化膜をＣＶＤ法で安定してつくるための新規な化合物を提供することにある。
【解決手段】 式［Ｉ］ （Ｒ^１Ｏ）_ｎＳｉ（ＯＲ^２）_４−ｎ［式中、Ｒ^１は炭素原子数２〜３の直鎖または分岐を有するフルオロアルキル基を表し、Ｒ^２はメチル基またはエチル基を表し、ｎ＝１〜３であることを表す］で表される（フルオロアルコキシ）（アルコキシ）シラン化合物である。トリエトキシクロロシランと１．１当量の１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロパノールをアンモニアの共存下で反応させ、副生物を除いた後、蒸留して（ヘキサフルオロイソプロポキシ）トリエトキシシランを得る。該化合物／テトラエトキシシラン／オゾンの混合ガスを加熱基板上に送り、分解堆積してフッ素含有シリコン酸化膜を作る。該化合物は、適度な蒸気圧をもち、安定でかつ腐食性、危険性の低い液体化合物で、安定して供給可能であるので、ＣＶＤ法でフッ素含有シリコン酸化膜を量産することができる。 （もっと読む）

【目的】 表面被覆ＷＣ基超硬合金製切削工具の耐チッピング性を向上させる。
【構成】 ＷＣ基超硬合金基体の表面に、ＴｉＣＮの単層または２層以上の積層からなる下部層と、ＴｉＣ，ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＣＯ、およびＴｉＣＮＯ、並びにＡｌ₂ Ｏ₃ のうちの１種の単層またはまたは２種以上の複層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成するに際して、上記下部層の構成層のいずれもが、（ａ）粒状結晶組織から縦長成長結晶組織へ変る結晶構造、（ｂ）粒状結晶組織から縦長成長結晶組織へ、さらにこの縦長成長結晶組織から粒状結晶組織へ変る結晶構造、（ｃ）縦長成長結晶組織から粒状結晶組織へ変る結晶構造のうちのいずれか、または２種以上の結晶構造からなる。 （もっと読む）

【目的】 苛酷な切削条件の下でも優れた性能を示す表面被覆切削工具に関する。
【構成】 Ｃｏ：６〜１６重量％、Ｃｒ：０．２４〜１．６重量％、必要に応じてＴａＣ：０．１〜２．０重量％を含有し、残りがＷＣおよび不可避不純物からなる組成を有し、ＣｒはＣｏに固溶し、ＷＣは平均粒径：０．５〜１．０μｍの範囲内の微細粒子として分散しているＷＣ基超硬合金を母材としその表面にＰＶＤ層、好ましくはＴｉＮ層−ＴｉＣＮ層−ＴｉＮ層の３層からなるＰＶＤ層を被覆してなる表面被覆切削工具。 （もっと読む）