国際特許分類[C23C16/32]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの (4,650) | 化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物 (3,477) | 炭化物 (93)
国際特許分類[C23C16/32]に分類される特許
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高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具
【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ti化合物層からなる下部層とAl2O3層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Al2O3層について、(0001)面の法線がなす傾斜角を測定して傾斜角度数分布グラフを作成した場合、0〜10度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、0〜10度の範囲内の度数合計が20〜50%の割合を占め、さらに、上部層のAl2O3粒について結晶粒内平均方位差を求めた場合、上記0〜10度の範囲内の傾斜角区分に存在するAl2O3結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は5度未満を示し、一方、上記0〜10度の範囲を外れる傾斜角区分に存在する結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は5度以上を示す。
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積層基板及びその製造方法
【課題】結晶性の炭化アルミニウム層及び窒化ガリウム層を有する積層基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板1としてサファイア基板、炭化ケイ素基板または窒化アルミニウム基板の上に結晶性のGaN層10、結晶性のAlC層20を順次積層して配置した
積層基板100であって、炭化アルミニウムの結晶の成長条件としては、アルミニウムを含むガスとしてトリメチルアルミニウムと、炭素を含むガスとしてメタンを供給し、有機金属気相成長法により成長させる。成長温度としては700℃以上が好ましく、さらには1100℃以上が好ましい。
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炭化アルミニウム薄膜、炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法
【課題】結晶性の炭化アルミニウム薄膜、結晶性の炭化アルミニウム薄膜を形成した半導体基板及びそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によると、炭化アルミニウムの結晶を含むことを特徴とする炭化アルミニウム薄膜が提供される。また、本発明によると、炭素を含むガスと、アルミニウムを含むガスとを供給し、基板上に炭化アルミニウムの結晶を成長させて、炭化アルミニウム薄膜を形成することを特徴とする炭化アルミニウム薄膜の製造方法が提供される。
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半導体装置の製造方法および半導体装置
【課題】CFx膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるCFx膜の利点を生かすことができ、かつCMP処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、CFx膜を成膜する工程(a)と、CFx膜に所定パターンの凹部を形成する工程(b)と、凹部を埋めかつCFx膜上にわたって配線層を設ける工程(c)と、凹部内以外の前記CFx膜上の余剰の配線層をCMP(化学機械研磨)によって除去してCFx膜の表面を露出させる工程(d)と、を有し、工程(b)の前または後において、CFx膜の表面を窒化する工程(e)を備える。
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半導体装置の製造方法
【課題】平坦なNiPtシリサイド層を形成する。
【解決手段】CVD法を用いて、シリコン層26(ゲート),29(ソース・ドレイン)上にPt層を形成する。次いで、CVD法を用いて、Pt層上にNi層を、Pt層より厚く形成する。次いで、シリコン層26,29、Pt層、及びNi層を熱処理することにより、NiPtシリサイド33を形成する。Pt層の平均膜厚が0.5nm以上2nm以下であるのが好ましい。またシリコン層は、例えばMISFETのソース・ドレインである。
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被覆超硬合金及びその製造法
【課題】 被覆超硬合金(以下CCCという)は被膜と母材の界面にEta相(W、Co、Cの化合物で非常にもろい物質)が生じCCCの強度を低下させ又被膜と母材との密着力を劣化させている。又強度低下を改善するために脱β層を持った母材も開発されているが刃先がダレ易い欠点をもつ。CCCは切削工具として優れた性質を多く持っているが、これら欠点を有するため適用範囲の拡大が制約されている。
【解決手段】 CCCの母材をフラーレンを添加し良く分散させたものにする。このフラーレンの効果で母材の強度が増すうえに、被膜と母材の界面にEta相の発生が抑制され、CCCの強度が向上するとともに、被膜の密着力を向上させことができ、高性能の工具を実現させ得る。 脱β層を持つ母材においては、脱β層の切削時の耐塑性変形性も改善できる。又クロム添加によっても脱β層の耐塑性変形性の改善をすることができる。
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アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成する方法及び装置
【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にSi−C結合を含む初期層を形成する工程(t4)と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程(t6)と、を具備する。
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表面被覆切削工具
【課題】 鋼、鋳鉄等の高速断続重切削加工において硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性、耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、(a)TiN層からなる下部層、(b)微粒縦長成長結晶組織を有するTiC層と、粒状結晶組織のTiC層、TiN層、TiCN層の何れかからなるTi化合物層との交互積層構造からなる中間層、(c)酸化アルミニウム層と、微粒縦長成長結晶組織を有するTiC層との交互積層構造からなる上部層を硬質被覆層として蒸着形成した、あるいは、必要に応じ、TiCO層、TiCNO層の何れかからなる密着層を前記(b)中間層と(c)上部層との間に介在形成した表面被覆切削工具。
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炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法
【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第1炭化タンタル被覆膜を形成する第1炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第1炭化タンタル被覆膜上に新たな第2炭化タンタル被覆膜を形成する第2炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。
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炭化タンタル被覆炭素材料
【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材41の表面に、炭素基材41を被覆した炭化タンタル被覆膜42が形成されている。炭化タンタル被覆膜42は、X線回折により炭化タンタルに対応した回折ピークの(311)面の配向角度において80°以上に最大のピーク値を有する。
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