【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＰＢＮ製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面２がＰＢＮからなる本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面をＰＢＮオーバーコート３で被覆して、ＰＢＮオーバーコート製品４が製造される。ＰＢＮオーバーコートの膜厚を７００μｍ以下とすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。黒鉛はＰＢＮの物性に悪影響を与えないので、これを用いて形成されるトレーサビリティ表示が本体ＰＢＮ表面とＰＢＮオーバーコートとの間に介在しても、ＰＢＮ製品本来の機能や耐久性を損なわない。 （もっと読む）

【課題】ＰＧコート製品に適用可能な新規有用なトレーサビリティ表示手法を提供する。
【解決手段】ＰＢＮなどで本体１を製造した後、該本体表面の任意箇所に純化黒鉛でトレーサビリティ表示２を設け、該トレーサビリティ表示を含めた本体表面を膜厚１００μｍ以下のＰＧ膜３で被覆して、ＰＧコート製品４が製造される。ＰＧ膜厚を１００μｍとすれば、本体表面に表示した製品シリアル番号を読み取るに十分な透明性を与えることができるので、トレーサビリティ表示手法として好適である。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】基体への密着性が良い立方晶窒化ホウ素膜を得るためのコーティング法の提供。
【解決手段】鉄系金属を含まない基体、或いは鉄系金属の触媒作用を封じた鉄系金属を含む基体の表面に、一次元、或いは二次元規則性をもつ直線状の溝を複数形成し、その上に立方晶窒化ホウ素をコーティングすることで、溝の垂直方向に対する膜密着性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長層にダメージを与えることなくサファイア基板から結晶成長層を容易に分離することが可能なＧａＮ系化合物半導体の成長方法及び当該成長層付き基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上にコラム状結晶層１１を成長する工程と、コラム状結晶層１１上にバッファ層１２を成長する工程と、バッファ層１２上にＧａＮ系化合物結晶１３を成長する工程と、を有する。結晶成長後に降温すると、サファイア基板１０とナノコラム状態のＺｒＢ2層１１の界面に大きな歪みが生じ、サファイア基板１０から結晶成長層１８が容易に分離する。 （もっと読む）

【課題】高速条件下の切削においてクレーター摩耗を低減するとともに高度な耐摩耗性を付与する被膜を備えた表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基材と該基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、この被膜は、１層または２層以上の層からなり、被膜のうち少なくとも１層は、ＡｌとＺｒとを少なくとも含む硬質酸化物被膜層であり、ＡｌとＺｒの含有量が該被膜層の厚み方向に沿って変化する組成構造を有し、この変化は、Ａｌの含有量が極大となるＡｌ極大点とＺｒの含有量が極大となるＺｒ極大含有点とを含み、Ａｌ極大含有点とＺｒ極大含有点とが繰り返し存在し、Ａｌ極大含有点におけるＡｌの含有比率Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．９９９９＜Ａｌ≦１であり、Ｚｒ極大含有点におけるＺｒの含有量比率Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）は、原子比で０．００１≦Ｚｒ／（Ａｌ＋Ｚｒ）≦０．２であり、該被膜層は、酸化ジルコニウムを含む。 （もっと読む）

【課題】昇降温を繰り返しても接触面での接触不良が生じ難く、長寿命なだけではなく、ヒータ本来の温度分布を低下させずに均一な加熱を可能とするユニットを提供すること。
【解決手段】支持基材１の主面に設けられた導電路を有する発熱体２と、端部端子が導電路および電源部に設けられた端子と接続された棒状電極４と、棒状電極４を発熱体２に押圧して密着させるためのばね部であるコイルばね５と、棒状電極４をサポートする電極支持部６を備えている。コイルばね５はブッシュ９によりサポートされ、当該ブッシュ９と固定ボルト７及びナット８の作用によりコイルばね５が圧縮されて、棒状電極４の一方端部に設けられた端子が発熱体２の導電路に設けられた端子と密着することとなる。支持基材１の加熱試料支持面と反対の面側に設けられている電極支持部６は、断熱又は発熱体側への熱輻射により、発熱体２からの放熱を抑制する効果を奏する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜のパーティクルレベルを低減させて、また当該硼窒化ジルコニウム膜の耐酸化性や抵抗選択性を向上させることで半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒素ガスにマイクロ波を照射することで生成した窒素ラジカルと成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４とを成膜室３１Ｓへ供給して成膜温度下にある基板Ｓの表面に硼窒化ジルコニウム膜を成膜するに際し、成膜装置は、成膜流量のＺｒ（ＢＨ_４）_４が熱分解により形成する膜の成膜速度に関して成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を基準増加率とすると、硼窒化ジルコニウム膜の成膜速度に関しては成膜温度の増加に対するその成膜速度の増加率を前記基準増加率にする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低リーク電流、高機械的強度の特性を備え、これらの特性の経時変化が小さく、耐水性に優れた半導体装置用絶縁膜、当該半導体装置用絶縁膜の製造方法及び製造装置、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のアルキルボラジン化合物を気化した原料ガスを含有するガスをチャンバ２内に供給し、誘導結合型プラズマ発生機構（４、５、６）を用いて、チャンバ２内に電磁波を入射して、ガスをプラズマとし、プラズマのプラズマ拡散領域に基板８を配置し、プラズマにより解離されたアルキルボラジン化合物中のボラジン骨格系分子を基本単位として気相重合し、半導体装置用絶縁膜として基板８に成膜する。 （もっと読む）