【課題】 銅又は銅合金表面の置換めっき前処理用のソフトエッチング液であって、置換めっき後の外観及び半田付け性に優れるソフトエッチング液、及び、当該ソフトエッチング液を用いためっき方法を提供する。
【解決手段】 銅又は銅合金表面の置換めっき前処理用ソフトエッチング液であって、過酸化水素又は過硫酸塩と、無機酸と、カルボキシル基を２個以上有する有機酸と、を含むことを特徴とするソフトエッチング液、及び当該ソフトエッチング液にて銅又は銅合金表面をソフトエッチングした後、直接に置換めっき皮膜を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

鉛含有銅合金を溶液中にクロム酸を含まずリン酸化合物を含む酸性溶液に浸漬し、表面の鉛を除去することを特徴とする鉛含有銅合金の鉛溶出低減処理方法及び鉛含有銅合金製水道用器具であるため、酸性のリン酸化合物による若干のエッチング効果と微小なリン酸皮膜が形成されるのみであるので大きな変色を伴うことなく、商品価値も低下しない。また、塩化ナトリウムを添加してもよく、鉛溶出低減についても十分効果がある。前工程として、鉛含有銅合金をアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面の鉛を除去してもよい。これらの鉛含有銅合金は外部表面が、ニッケルクロムめっきをはじめとするめっきが施されていても問題はない。
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【課題】 本発明は、近年の回路微細化に対応可能なセミアディティブ工法用の回路形成エッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の一態様は、過酸化水素及び硫酸を主成分とし、更にアゾール類を添加剤として含むことを特徴とするセミアディティブ工法用銅回路形成エッチング液を提供する。また本発明の他の態様は、樹脂基板上に銅下地層として銅の薄層を形成した銅張り積層板の銅下地層の上にドライフィルムレジストによって非回路部分のマスクパターンを形成し；基板を銅メッキ処理にかけて、ドライフィルムレジストのマスクパターンの間に銅回路パターンを作成し；ドライフィルムレジストを除去し；非回路部分の銅下地層をエッチングして銅回路を形成する；ことによって銅回路基板を形成する方法であって、非回路部分の銅下地層のエッチングを、上記記載のエッチング液によって行なうことを特徴とする方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近年の回路微細化に対応可能なサブトラクティブ工法用の回路形成エッチング液を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の一態様は、過酸化水素及び硫酸を主成分とし、更にアミン類及び／又はアジン類を添加剤として含むことを特徴とするサブトラクティブ工法用銅回路形成エッチング液を提供する。また本発明の他の態様は、樹脂基板上に銅の薄層を形成した銅張り積層板の銅層の上にドライフィルムレジストによって非回路部分のマスクパターンを形成し；ドライフィルムレジストのマスクパターンの間の非回路部分の銅層をエッチングし；ドライフィルムレジストを除去して銅回路を形成する；ことによって銅回路基板を形成する方法であって、非回路部分の銅層のエッチングを、上記記載のエッチング液によって行なうことを特徴とする方法を提供する。 （もっと読む）

共通の基材の一部として作製された個々の電子パッケージのシンギュレーションは、マスクパターニングおよび化学曝露を物理的ソーイングと組み合わせることによって達成される。本発明のシンギュレーション法の一つの態様では、基材のパッケージ間領域への最初の浅いソーカットが、下にある金属をその後の化学エッチング工程のために露出させる。他の態様では、別個のフォトレジストマスクを基材上にパターニングして、パッケージ間領域の金属を化学エッチングのために選択的に露出させることもできる。

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塩化第二銅溶液中に、エッチング抑制効果のある被膜を形成可能な高濃度のトリアゾール系化合物を添加したエッチング液を提案する。このエッチング液を用いたエッチング処理による回路パターン形成の工程では、エッチングレジストの端縁部から下方に位置する銅箔の一部に選択的にエッチング抑制被膜が形成されるので、エッチングレジストの端縁部から水平方向への銅箔のサイドエッチングを効果的に抑制できる。また、エッチング処理によって形成された回路パターンの側壁には、不均一な微細凹凸が形成されるので、回路パターンを被覆する樹脂絶縁層との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセスを提供することに関するさらに、本発明は、回路パターン素子からの金属損失を防ぐことに関する。
【解決手段】
（ａ）第１主面を有しパターン形成されていない金属層を提供すること；
（ｂ）該第１主面に微細粗面化を施し、微細粗面化された表面を形成すること；および、
（ｅ）該金属層をエッチングし、該金属層に回路パターンを形成することを含み、
該微細粗面化がエッチングの前に行われ、該微細粗面化された表面が、粗面計の測定で約０．３〜約０．６ミクロンの表面粗さｒ_ａを有する、誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセス。 （もっと読む）