【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】金属被覆されたウエハのレベリング方法を提供する。
【解決手段】固体のイオン伝導性材料を有する工具１が、少なくとも部分的に、シリコンウエハ表面として形成された基体表面２と接触されており、前記工具は陰イオン伝導体として形成されており、かつ前記工具に電位が印加されることにより、陰イオン伝導体から陰イオンが出て、前記陰イオンがシリコンウエハ表面で、シリコンウエハ表面と反応する化合物へと変化し、ならびに、シリコンと反応可能な前記化合物が、シリコンウエハ表面で気体状の化合物を遊離し、これによりシリコンウエハ表面が局所的に除去される。 （もっと読む）

【課題】サイズ、深さ等が制御された細孔が全面に形成された多孔性微粒子を煩雑な工程を経ることなく高スループットに製造できる方法、およびその方法により製造された多孔性微粒子を提供する。
【解決手段】金属または半導体のうち少なくともいずれか一つを含む微粒子９を、電解液中３に設けられたバレル内４に分散させ、該微粒子がバレル内に配置された電極５に直接的にまたは他の微粒子を介して間接的に接触したときに微粒子表面で電気化学反応を進行させて細孔を形成することにより、微粒子表面に多孔質構造を形成することを特徴とする多孔性微粒子の製造方法、およびその方法により製造された多孔性微粒子。 （もっと読む）

【課題】半導体の金属密着性を向上させることができる、半導体の電気化学エッチング方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸化エミッター層を有する前面、裏面、及びＰＮ接合を有する半導体ウエハを提供し、ｂ）半導体ウエハを１以上のビフルオリド源、１以上のフッ化物塩、又はこれらの混合物及び１以上の金属イオン源を含有する組成物に接触させ、ｃ）該組成物に電流を発生させ、ｄ）前もって決定された時間アノード電流を適用し、続いて前もって決定された時間アノード電流を切断し、このサイクルを半導体ウエハの酸化エミッター層にナノ細孔が形成されるまで繰り返し、そしてｅ）ナノ細孔の層上に金属が析出するようカソード電流及び光を適用する方法、 （もっと読む）

【課題】広範な材料に適用可能であり、サイズ、深さ、ピッチ等が制御された細孔が形成された多孔質層を有する微粒子を煩雑な工程を経ることなく高スループットで製造できる方法、およびその方法により製造された多孔性微粒子を提供する。
【解決手段】金属または半導体のうち少なくともいずれか一つを含む微粒子１の集合体２を電解液中で電解エッチングすることを特徴とする多孔性微粒子３の製造方法、およびその方法により製造された多孔性微粒子。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム（Ｒｕ）膜などの金属膜を電解エッチングした場合に気泡が発生せず、エッチング形状に凹凸が生じず、良好にエッチングすることができる電解エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】腐食すべき金属材料若しくはその酸化物又は窒化物を含む腐食対象材料に対して所定の直流電圧を印加しながら、上記腐食対象材料に対して、非水系溶液に酸又はアルカリを添加してなるエッチング溶液を付与して電解エッチングする。ここで、上記直流電圧は、水系における上記腐食対象材料のｐＨ−電位図における酸素過電圧境界よりも当該腐食対象材料の腐食領域の高電位側の電圧に設定される。また、上記腐食すべき金属材料はルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）又はシリコン（Ｓｉ）である。 （もっと読む）

【課題】任意形状で且つ滑らかな曲面を容易に形成することが可能な曲面の形成方法を提供する。
【解決手段】ｐ形のシリコン基板からなる半導体基板１０（図１（ａ））の一部を除去して半導体レンズ１（図１（ｅ））の曲面２を形成する曲面２の形成方法であって、所望の曲面形状（曲面２の形状）に応じて半導体基板１０との接触パターンを設計した陽極１２（図１（ｃ））を半導体基板１０の一表面側にオーミック接触をなすように形成する陽極形成工程と、半導体基板１０の構成元素の酸化物を溶かす電解液中で半導体基板１０の他表面側に対向配置した陰極と陽極１２との間に通電して半導体基板１０の他表面側に除去部位となる多孔質シリコンからなる多孔質部１４（図１（ｄ））を形成する陽極酸化工程と、多孔質部１４を除去する多孔質部除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ周縁部にフォトレジストを形成することなく半導体ウェハ周縁部の半導体層に不純物イオンが注入されるのを防止し、電解エッチング処理の際に半導体ウェハの表面側と裏面側で電気的に短絡するのを防止する。
【解決手段】半導体ウェハ１の周縁部に、後工程のイオン注入工程でＮ型領域５に注入されるＰ型不純物イオンが突き抜けない程度の膜厚で周縁部絶縁膜１３を形成する。半導体ウェハ１の主表面上にＰ型不純物イオンの注入領域を画定するためにフォトレジスト１７を形成する。イオン注入法により、フォトレジスト１７及び周縁部絶縁膜１３をマスクにして半導体ウェハ１のＮ型領域５の所定の領域にＰ型不純物イオンを注入してＰ型領域１９を形成する。フォトレジスト１７を除去し、半導体ウェハ１の主表面に配線処理を行なった後、半導体ウェハ１のＰ型シリコン基板３に対して電解エッチング処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィー工程を経ず、曲面にも大面積で形成可能であり、大量生産や設備コスト面で有利な湿式方式によって、凹凸構造を有する基板を作製するための光学素子成形用金型を提供する。
【解決手段】 酸化反応における標準電極電位が負である表面を持つ基板と、前記基板の上に設けられた前記標準電極電位が正となる保護層と、前記保護層の上に設けられたアルミニウム陽極酸化層と、を有することを特徴とする光学素子成形用金型。 （もっと読む）