【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法）により大口径の単結晶を製造する際にも、原料結晶棒の溶融パワーを低減することができ、これによって浮遊帯域の最細部を太くし、安定した単結晶成長を行うことができ、更には単結晶製造時におけるパワー低減による誘導加熱コイルのスリット間での放電の改善及び省エネを達成することができる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料結晶棒１を誘導加熱コイル７で加熱して浮遊帯域１０を形成し、前記浮遊帯域１０を下方から上方に向けて移動させることで単結晶棒２を前記浮遊帯域１０の下方に育成するＦＺ法による単結晶製造方法であって、少なくとも、前記浮遊帯域１０の上方に位置する前記原料結晶棒１の周囲に、該原料結晶棒１を保温する保温筒１４を設置して前記単結晶棒２を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】超低圧の酸素分圧の精製ガスを提供し得る酸素分圧制御装置、また、従来可能な低酸素分圧を得る上で製造コストを低廉化し得る酸素分圧制御装置を提供する。
【解決手段】酸素分圧を制御したガスを精製するガス精製部１と、処理装置Ｆにガス精製部１から精製ガスを供給して該ガス精製部に環流させるための循環路４と、該循環路中に設けられた循環用ポンプ５とを備え、ガス精製部１は、酸素ポンプ２１と水素ポンプ３１とを備え、循環路４が、ガス精製部１及び循環用ポンプ５を経る共通流路４１と、該共通流路から、処理装置Ｆを経る流路を形成する作動流路４２と、該共通流路から、処理装置Ｆを経ない循環のための流路を形成するバイパス流路４３とを備えていることを特徴とする酸素分圧制御装置。 （もっと読む）

【課題】 装置構成の複雑化を回避するとともに、適切な単結晶生成を可能とする半導体単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 半導体単結晶の成長速度で移動する低速モードと、半導体単結晶の成長速度を超える速度で移動する高速モードと、を有する種結晶ホルダ５を備えた半導体単結晶製造装置Ａ１であって、種結晶ホルダ５およびルツボ１に対して単一の駆動経路で連結されたサーボモータ７１Ａ，７１Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂの回転量を検出するロータリーエンコーダ７２Ａ，７２Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂを制御するサーボアンプ７５Ａ，７５Ｂと、サーボアンプ７５Ａ，７５Ｂに対して、少なくとも上記低速モードにおいて位置制御指令を送るシーケンサ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法（フローティングゾーン法、または浮遊帯域溶融法）における画像計測用カメラ位置の自動調整方法及び自動調整システムを提供する。
【解決手段】ＦＺ法に用いられる画像計測用カメラ２０の誘導加熱コイル１４との相対位置を調整するＦＺ法における画像計測用カメラ位置の自動調整方法であって、前記誘導加熱コイル１４の現在コイル位置を測定し、前記現在コイル位置と前記誘導加熱コイル１４の設計コイル位置との差分を算出し、前記現在コイル位置の方向に前記差分だけ前記画像計測用カメラ２０を平行移動させる。 （もっと読む）

【課題】温度勾配炉を用い、加熱源の移動を要さずに所望の温度勾配を形成し、横断面内の温度分布も均一化し、連続的に単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】柱状ワークＷの外周を取り囲む断熱壁１０４と、加熱用サセプタ１１０を介して柱状ワークの下端ＷＢを加熱する加熱部１０８と、冷却用サセプタ１１４を介して柱状ワークの上端ＷＴを冷却する冷却部１１２とを備えた温度勾配炉１００を用い、原料棒１０、溶媒１２、種結晶１４、支持棒１６を積層して柱状ワークＷとし、原料棒１０下端を柱状ワーク下端ＷＢとして加熱部１０８で加熱させ且つ支持棒１６上端を柱状ワーク上端ＷＴとして冷却部１１２で冷却させることにより、溶媒１２を介して柱状ワークＷ内に温度勾配を形成し、柱状ワーク下端ＷＢの加熱温度を漸減させ、これと同期して上端ＷＴの温度を降下させることにより、種結晶１４を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させる。 （もっと読む）

多結晶質ロッド（１）を加熱区域（２）に通し、溶融帯域（３）を形成すること、該溶融帯域に磁界を印加すること、及び種単結晶（４）上で該溶融材料が凝固する際に、単結晶（５）の成長を誘発することを含んでなる、単結晶の製造方法を開示する。該成長している単結晶を、時計及び反時計回転方向の間で交互に変化するパターンで回転させる。本方法は、一様な電気的特性を有するシリコン単結晶の製造に有用である。該方法を実行するための装置も開示する。
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【課題】均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させることができるバルク結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長中に熱パルスを所定の周期で加えることにより、不純物の濃度縞を結晶内に形成し、この濃度縞の位置及び間隔から、均一組成を有するバルク結晶を任意の組成比で成長させるために必要な温度保持時間、結晶成長速度、温度勾配を求める。そして、均一組成を有するバルク結晶を成長させる際は、成長させる結晶の組成比が目的の値となるまで所定時間温度を保持した後に、目的の組成比に対応した結晶成長速度と温度勾配との積から求まる温度降下速度に従って加熱炉内の温度を下げる、又は、目的の組成比に対応した結晶成長速度に応じた移動速度で容器を低温側に相対移動させることによって、結晶成長界面の温度を一定に保つようにする。 （もっと読む）

【課題】浮遊帯溶融法（ＦＺ法）により大直径のシリコン半導体結晶を製造する場合であっても、コーン部における有転位化および放電による無転位化の阻害の両方を防止することができ、高品質のシリコン半導体結晶を高歩留まりで製造することのできるシリコン半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料となるシリコン半導体棒を溶融して種結晶に融着させた後、チャンバ内で直径を拡大させながらシリコン半導体結晶のコーン部を育成し、その後、１７０ｍｍ以上の所望の直径に制御しつつ該シリコン半導体結晶の直胴部を育成する浮遊帯溶融法において、シリコン半導体結晶の育成中に前記チャンバ内の圧力を、予め準備したパターンにしたがって、低い状態から高い状態へ変化させる。 （もっと読む）

【課題】より自由度の高い粒子配列制御を可能とする単結晶育成方法および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】加熱源としてのレーザ源１１，１２，１３と、被加熱部１４、上結晶駆動軸に支持された原料棒、下結晶駆動軸に支持された種結晶棒、石英管２２を有すると共に、被加熱部１４の周囲に、複数の磁場付与手段２３，２４，２５を円周方向等間隔、かつ、レーザ源１１，１２，１３と交互に配置し、レーザ源１１，１２，１３のレーザを被加熱部１４に集中させて、被加熱部１４の原料棒および種結晶棒を加熱溶融すると共に、複数の磁場付与手段２３，２４，２５のコイル２９，３０，３１に３相または多相交流電流を供給して、フローティングゾーンに位相差を有する回転磁場を付与して単結晶を育成する。 （もっと読む）