【課題】ヒータの変形を抑制して、熱効率の悪化の無い単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、該ルツボが囲繞される円筒状発熱部１４を有するヒータ１３と、該ヒータ１３を格納するメインチャンバーと、前記ヒータ１３を支持して電流を供給するヒータ電極１１と、前記ヒータ１３の円筒状発熱部１４の下方に配置される断熱板１０とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶製造装置であって、前記断熱板１０が前記ヒータ電極１１に絶縁性固定部材１６を介して固定支持され、前記断熱板１０の上面の前記円筒状発熱部１４の下端に対応する位置に絶縁性支持部材２３が配置されたものである単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】８×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置１において、成長軸方向の上下２つに分割された下ヒーター４−２に対する上ヒーター４−１の出力比を４以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンＳを成長させることができる。単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を８ｒｐｍ以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により原料融液から単結晶を成長させる際、インゴットの尾部の凸形状を小さくすることができる単結晶引き上げ装置、単結晶引き上げ方法及び製造された単結晶を提供する。
【解決手段】底部及び底部周縁から立ち上がる壁部を有し、アルミナ融液（原料融液）３００を収容する坩堝２０と、坩堝２０を加熱する加熱コイル（加熱手段）３０と、坩堝２０の壁部の外側を含む第１の領域に配置された断熱容器（第１の断熱部材）１１と、坩堝２０の底部の外側中央部を含む第２の領域に配置され、断熱容器１１より熱伝導性が低い断熱部材（第２の断熱部材）１６と、坩堝２０に収容されたアルミナ融液（原料融液）３００から柱状の単結晶２００を引き上げる引き上げ棒（引き上げ手段）４０と、を備える単結晶引き上げ装置１。 （もっと読む）

【課題】液体封止チョクラルスキー法（LEC法）による結晶成長において、種結晶における局所的で不測な熱分解・再結晶の発生を抑制して、良質な単結晶インゴットを再現性よく育成する化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶２の長さが液体封止剤融液７の厚みよりも長く、前記種結晶２において前記液体封止剤融液７に浸漬されない部分の位置が、前記液体封止剤融液７を加熱するヒータ８の発熱帯上端の位置よりも常に鉛直方向の上方に位置する。 （もっと読む）

【課題】引き上げによって得られる単結晶における残留応力を低減することができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】底部２１および底部２１の周縁から立ち上がる壁部２２を有し、アルミナ融液を収容するるつぼ２０と、るつぼ２０の壁部２２の外側に巻き回され、交流電流の供給によって壁部２２を誘導加熱する加熱コイル３０と、るつぼ２０の上方に配置され、るつぼ２０に収容されるアルミナ融液からサファイアインゴット２００を引き上げる引き上げ棒４０と、るつぼ２０の底部２１の下方であって引き上げ棒４０にて引き上げられるサファイアインゴット２００の下方且つ内側に配置され、加熱コイル３０によって誘導加熱されることによりるつぼ２０の底部２１の中央部を加熱する筒状ヒータ１６とを含む単結晶引き上げ装置。 （もっと読む）

【課題】低酸素濃度で、かつ直径方向の欠陥分布が均一な無欠陥の単結晶を引き上げることができる単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】周囲に配置されたカーボンヒータ１８によりルツボ１４内の原料融液２３を溶融し、該原料融液２３から単結晶Ｓを引き上げる単結晶製造方法において、前記単結晶Ｓを引き上げる際、該単結晶Ｓの直胴部を成長させるときの引上げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）、結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｃ（℃／ｍｍ）、結晶周辺部の固液界面近傍の結晶温度勾配をＧｅ（℃／ｍｍ）で表したとき、下部より上部の方が薄肉なカーボンヒータ１８を使用し、前記結晶中心部の温度勾配Ｇｃと前記結晶周辺部の温度勾配Ｇｅとの差ΔＧ＝｜（Ｇｃ−Ｇｅ）｜が０．３℃／ｍｍ以下となるように前記原料融液２３および前記単結晶Ｓを加熱するとともに、引上げ速度Ｖを所望の欠陥領域を有する前記単結晶Ｓが引き上げ可能なように制御する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引き上げ過程において、トップ側からボトム側までの酸素濃度を均一に保ったまま、部位によるＢＭＤ（Ｂｕｌｋ Ｍｉｃｒｏ Ｄｅｆｅｃｔ）密度の不均一を改善するシリコン単結晶の引き上げ方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、ルツボ内の溶融液から単結晶を引き上げる工程と、引き上げた単結晶にアフターヒートを行う工程と、アフターヒートを行った単結晶をプルチャンバー内に引き上げる工程とを有する単結晶の引き上げ方法であって、予め、引き上げ炉内の温度測定、又は、シミュレーションにより酸素析出核形成温度領域を求め、アフターヒート工程において、単結晶のボトム側の酸素析出核形成温度領域での滞在時間を、単結晶のトップ側の酸素析出核形成温度領域での滞在時間の１／８〜１／４倍の範囲内になるように、単結晶の引き上げ速度を調節してアフターヒートを行うシリコン単結晶の引き上げ方法。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝を加熱する円筒状ヒータ部３と円盤状ヒータ部４を有するカーボン製ヒータ30と、坩堝が保温される断熱空間室６と、断熱空間室の底面部60に設けられた絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されカーボン製ヒータに接続されて電力を供給するヒータ電極５を備え、サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、断熱空間室の底面部60を構成する断熱材料の厚さが９０ｍｍ以上、断熱空間室の底面部表面から円盤状ヒータ部４下端までの距離が１０ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の結晶欠陥を効率的に制御することができる単結晶製造用上部ヒーター、および、その単結晶製造用上部ヒーターを用いて、結晶欠陥を効率的に制御し、また、酸素濃度の制御性を向上して、高品質の単結晶を製造する単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、電流が供給される電極と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、チョクラルスキー法により単結晶を製造する際に用いられるシリコン融液を収容するルツボを囲繞するように配置される黒鉛ヒーターの上部に配置される上部ヒーターであって、発熱部は、リング状でルツボを囲繞するように配置され、発熱部の内側および外側から、それぞれ水平方向にスリットが形成されたものであることを特徴とする単結晶製造用上部ヒーターである。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝の外周面を加熱する円筒状本体部30を有するカーボン製ヒータ３と、カーボン製断熱材料により構成されかつ坩堝とカーボン製ヒータが収容されて坩堝が保温される断熱空間部６と、断熱空間部底面60に設けられた開口部に嵌入された絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されかつ先端側が上記カーボン製ヒータに接続されたカーボン製ヒータ電極３とを備え、上記サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、上記絶縁筒８の内径とカーボン製ヒータ電極３の外径について、絶縁筒とヒータ電極の間で放電が発生しない関係に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）