【課題】常温のガスが炉内に入り、一時的にヒータ内周囲に較べヒータ外周囲の雰囲気ガスが温度低下しても、これに敏感に反応しない熱電対及び半導体結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＣ法による半導体結晶製造装置において、耐圧容器３０内に配置され原料融液を収容するルツボ５４の外周に該ルツボを囲んで設けられた円筒形のヒータ３８と、前記ヒータの内部に設けられた熱電対４０と、前記熱電対により計測される実測温度に基づいて前記ヒータ３８の温度を制御する温度制御系４１とを有する構成とする。 （もっと読む）

本発明は、単結晶ワイヤおよびその製造方法を開示する。この方法は、金、銅、銀、アルミニウムおよびニッケルよりなる群から選択された少なくとも１種の金属を成長坩堝に収容させる段階と、成長坩堝に収容された金属を加熱して溶融させる段階と、金属結晶をシードとして用いてチョコラルスキまたはブリッジマン方法によって単結晶を成長させる段階と、育成された単結晶を放電加工を用いて切断する段階と、切断された前記単結晶を線材に形成させる段階とを含んでなる。本方法において、前記育成された金属単結晶は放電加工によって円形欠片に形成し、前記欠片はワイヤカット放電加工によって単結晶ワイヤに形成する。前記単結晶ワイヤは、指輪、パンダント、またはオーディオと映像機器間を連結する高品位ケーブル内部の線材として活用される。また、放電加工によって円形欠片に形成された単結晶は、基板および蒸着用ターゲットとして用いられる。 （もっと読む）

ルツボに隣接して該ルツボを加熱する側方ヒータ、及びメルトの表面近くに配されてインゴットを包囲する寸法及び形状を有するメルト熱交換器を有する単結晶インゴットを成長させるための結晶引上げ装置を提供する。前記熱交換器は、メルトの上側表面での熱伝達を制御するための、メルトに熱を輻射する所定の面積の熱源を有している。メルト熱交換器は、露出する上側表面部分の熱損失を減らすように適応している。所望の欠陥特性を有する単結晶シリコンインゴットを成長させるための方法も開示する。
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【課題】
A₂B₆型、A₂B₅型等の種々の化学組成や、またサファイア等の耐熱性酸化物などに対し、汎用性の高い単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】
以下の方法で、高性能、かつ仕上がり構造が改良された結晶が得られる。その方法は、結晶化熱の除去を制御し、出発材料を溶融し、種結晶に溶融物を結晶化することで単結晶を引き上げる工程から成る。その方法で、独立の熱源が、２つの同サイズで同軸に配置された熱帯域を構成する。出発材料の溶融のため上部ヒーターに、溶融物を得るための電力の３０〜５０％を供給し、種結晶の安定した固相状態を確保する最大温度に達するまで上部帯域を加熱する。それから、残りの電力を、下部ヒーターに供給する。単結晶の拡大と成長は、上部加熱域において制御された温度低下と、一定に保たれている下部加熱域に供給された電力量で行われる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造において、ヒータの発熱領域長さと製造しようとする最終的な単結晶の結晶長さとの関係を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上すること。
【解決手段】ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を引き上げ育成するに際し、ヒータの発熱部の上下方向長さをＬ、製造しようとする最終的な単結晶の上下方向長さをＴとしたとき、Ｔ／３≦Ｌ＜Ｔ／２の関係となるヒータを用いて製造する。 （もっと読む）

単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。複数の結晶引上チャンバは、連続的処理及び高スループットを提供する。
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【目的】 高品位な単結晶を生産性良く得ることができるとともに、高い製品歩留を確保することができる単結晶引上装置を提供すること。
【構成】 石英ルツボ３内のメルト１４Ａにポリシリコン１４Ａを連続的に供給しながら単結晶１７を育成させる単結晶引上装置１において、前記チャンバー２内の前記石英ルツボ３の上方にアッパーリング７を設置し、チャンバー２内上部から下方に延在するカーボン筒１０を前記アッパーリング７に上下動自在に貫通せしめる。本発明によれば、メルト１４Ａの表面からの輻射熱はアッパーリング７によって石英ルツボ３側に再反射され、アッパーリング７の断熱効果によってアッパーリング上方への伝達が遮断されるため、チャンバー２内のアッパーリング７より下方の空間が保温され、石英隔壁１２近傍や原料供給部におけるメルト１４Ａの固化が防がれて単結晶１７の育成速度ＳＥが高められる。 （もっと読む）