【課題】半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体材料の顆粒物１３を、コイル端子５、コイル体１及び複数のセグメント２から構成された第１の誘導加熱コイルにより、前記半導体材料からなる流出管１１を備えた皿９上で溶融させ、溶融した顆粒物１３の、融液ネック部１８及び融液肩部１６の形で前記流出管１１から相界面４にまで延びる融液を形成させ、前記融液ネック部１８が貫通する開口部６を有する第２の誘導加熱コイル１５により前記融液に熱を供給しながら前記相界面４で前記融液を結晶化させる半導体材料単結晶の製造方法において、前記流出管１１と前記融液ネック部１８との間の界面の軸方向位置を制御するために、冷却ガスを前記流出管１１及び前記溶融ネック部１８に向かって供給する。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により、単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造する際に、単結晶製造装置の駆動部をデジタル信号で制御して、無欠陥結晶を安定して育成し、単結晶の歩留まりと生産性を向上させることができる単結晶製造装置の駆動部の制御方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する単結晶製造装置の駆動部の制御方法において、駆動部のモーターを制御するモーターアンプに送信する信号をデジタル信号とし、モーターアンプにデジタル信号を送信して所定の回転速度になるように駆動部のモーターを制御し、さらに、駆動部への供給電源がバックアップ用電源に切り換わる停電時には、送信する信号をアナログ信号に切り換えて、所定の回転速度になるように駆動部のモーターを制御する。 （もっと読む）

【課題】円筒形状をなす分割式ヒーター、およびこのヒーターを用いたＣＺ法による単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】（１）ルツボ２内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するための円筒形状のヒーター（発熱体）１であって、ヒーター１が長さ方向に３段以上に分割されている分割式ヒーター１である。各分割片１ａ、１ｂ、１ｃの発熱量をそれぞれ調節して高さ方向における熱分布を制御することができる。（２）ルツボ２の外側に同心円状に配置され、ルツボ２内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーター１を備え、ルツボ２内の溶融液５からＣＺ法により単結晶１０を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーター１が組み込まれている引上げ装置である。特に大口径（例えば、直径４５０ｍｍ）のシリコン単結晶１０の製造に好適である。 （もっと読む）

【課題】円筒形状をなす分割式のヒーターおよびそれに付帯する断熱材等、ならびにこのヒーター、断熱材等を用いたＣＺ法による単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】（１）ルツボ内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するための円筒形状のヒーター（発熱体）であって、ヒーターが円周方向に分割されているヒーター１、および、同じく円周方向に分割されている断熱材および断熱材保護円筒である。ヒーターを大型化することができ、また、ヒーター、断熱材等のハンドリングを容易に行える。
（２）ルツボの外側に同心円状に配置され、ルツボ内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーターを備え、前記ルツボ内の溶融液からＣＺ法により単結晶を育成する単結晶引上げ装置であって、前記のヒーターまたは断熱材等が組み込まれている引上げ装置である。 （もっと読む）

【課題】円筒形状をなす分割式ヒーター、ならびにこのヒーターを用いたＣＺ法による単結晶引上げ装置および引上げ方法を提供する。
【解決手段】（１）ルツボ内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するための円筒形状のヒーター（発熱体）１であって、ヒーターが円周方向に分割されており、当該分割された個々の分割片のうちの背の高い分割片１ａと低い分割片１ｂとが交互に配置され、かつ背の低い分割片の上方に、背の高い分割片の上部が延出している分割式ヒーターである。（２）ルツボの外側に同心円状に配置され、ルツボ内に供給される原料を加熱して溶融状態に保持するためのヒーターとして、前記の分割式ヒーターが組み込まれている引上げ装置であり、この引上げ装置を用いれば、ルツボの上部と下部の加熱状態を制御して、ルツボ上部の変形の防止、ルツボ内に供給された原料の速やかな溶融が可能である。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により大口径の単結晶の引き上げに適した単結晶引上げ装置、およびこれを用いた単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１内に供給される原料を加熱し、溶融状態に保持するためのヒーター２が内部に配置されたチャンバー（メインチャンバー４、トップチャンバー６）を有し、ルツボ１内の溶融液９からチョクラルスキー法により単結晶１６を育成する単結晶引上げ装置であって、ヒーターがチャンバー４，６に取り付けられている引上げ装置。特に大口径の単結晶１６を育成する場合に有効である。この引上げ装置を用いた単結晶１６の引上げ方法によれば、直径４５０ｍｍの大口径のシリコン単結晶１６の引き上げに際し、引き上げ終了毎に行われるルツボ１や装置構成パーツのハンドリングを支障なく実施することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱炉を用いた溶融固化法により単結晶を成長させる際に、種付け（シーディング）後の結晶径の急成長を抑制して高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱炉を用い、その炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、所定の結晶方位に切り出した種結晶１を原料融液表面に接触させ、所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料が加熱溶融した後、種結晶１を下降させて融液表面の上方１０ｍｍ以内の位置に保持し、種結晶１の先端が融解するのを確認してから、種結晶１の融解温度よりも１〜４℃低い温度を種付け温度として、種結晶１を原料融液表面に接触させる。さらに、単結晶を引き上げる際に、固液界面の結晶が融液に向かって凸部３を形成するように、結晶周辺部からの放熱を抑制しながら原料融液を加熱する。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程と、前記原料融解槽５１に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程と、前記原料融解槽５１から坩堝本体に原料融液を供給する工程と、を有する結晶製造方法において、前記原料融解槽５１に原料供給手段５５，５６を介して原料を供給する工程および前記原料融解槽に供給した原料を融解させて原料融液を生成する工程が、原料を複数回に分けて供給するとともに、前記原料融解槽に原料を供給するつど融解させて原料融解槽５１内における所定量の原料融液を生成する工程からなる結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】電流と磁場の相互作用による力のヒータへの負荷を軽減し、ヒータの破損を防止することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】抵抗加熱ヒータ４には、ヒータ４に接続される電極により印加された所定電圧に基づき直流電流が供給され、抵抗加熱ヒータ４の電極接続側上端においてスリット４ａ、４ｂにより形成される電流路の水平方向の幅寸法をＬ、ヒータ上端からスリット上端までの高さ方向の距離寸法をＤとすると、スリット４ａ、４ｂは２≦（Ｌ／Ｄ）≦４の条件を満たすよう形成され、抵抗加熱ヒータ４の下端には、電極に接続された導電性のクランプ部材に取り付けられる端子部４ｃが形成され、端子部４ｃはクランプ部材に螺設されている。 （もっと読む）