【課題】高温部材の寿命延長及び高品質単結晶の製造効率を向上させる単結晶引上げ装置用高温部材の製造方法、単結晶引上げ装置用高温部材及び単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】炭素質基材の表面に熱分解炭素を被覆した単結晶引上げ装置用高温部材の製造において、前記熱分解炭素の被覆層は、下層の炭素質基材が露出する開口部を有していて、前記開口部は、予め開口部を所望の形状に加工された可撓性シートにより形成されている。特に、炭素質基材の表面の一部に可撓性シートを密着した後化学反応操作を行って、前記炭素質基材の表面に該炭素質基材が露出する開口部を有する緻密質の被覆層が形成された高温部材を得ることが好ましい。なお、可撓性シートとして、可撓性炭素質シートを用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】改善された歩留まりで低欠陥半導体ウェハを製造することができるＭＣＺ法を提供する。
【解決手段】ルツボ中に含まれる融液から単結晶を引き上げ、引き上げられた単結晶から半導体ウェハをスライシングするシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に成長する単結晶の融液との界面の中心に熱を導入し、ＣＵＳＰ磁場の中立面が単結晶の引き上げ軸を、融液表面から少なくとも５０ｍｍの距離で横切るようにＣＵＳＰ磁場を融液に印加する。 （もっと読む）

【課題】黒鉛部材の角部の形状を変えることにより、黒鉛部材の劣化を防止すること。
【解決手段】半導体単結晶引き上げ装置を構成する黒鉛部材であって、角部を所定の曲率（又は曲率半径）となるようにＲ加工する。例えば、黒鉛ヒータ７において、上端部７ａの両側の角部にＲ加工を施す。このときの曲率半径ｒは、黒鉛ヒータ７の幅をｔとすると、ｔ／８からｔ／４の範囲内であることが好ましい。これにより、黒鉛ヒータ７の端部の剥離・破損を防止することが可能になり、黒鉛部材の劣化を防止することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】融液の温度分布を制御可能な結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料が充填される導電性るつぼ１６と、導電性るつぼ１６の側面を囲み、導電性るつぼ１６内の原料を加熱溶融して融液を生成可能な誘導加熱コイル２０と、融液から単結晶を引き上げるホルダー２８と、導電性るつぼ１６を支持する支持台２４と、ホルダー２８を加熱する誘導加熱コイル３０及び支持台２４を加熱する誘導加熱コイル３２と、を備えた結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】インゴット軸方向に対して、その熱履歴均一化を図る。
【解決手段】シリコン単結晶の引き上げ時に、その軸方向における引上熱履歴を記録するとともに、前記引上熱履歴に対して前記軸方向に熱履歴を均一化するように、加熱処理することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記加熱処理が、前記単結晶を前記軸方向部分的に低温状態とする低温加熱処理と、前記軸方向部分的に前記低温状態よりも高温の部分高温加熱処理とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を育成している際のシリコン融液表面の温度分布を制御することができ、シリコン融液表面の温度に起因する直径の変動を小さくすることができる単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液４からシリコン単結晶３を引き上げながら成長させる単結晶製造装置３０において、固液界面周囲近傍の融液面上側に配置され、前記固液界面周囲近傍において融点以下に温度が低下する可能性のある部分のシリコン融液４を加熱する発熱体４０が設けられているものとする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の製造に際し、供給管の先端部における粉末原料の溶融及び詰まりが生じ難く、従って育成速度に応じて粉末原料を円滑に供給でき、均一な組成の単結晶を容易に得ることを可能とする単結晶製造装置を得る。
【解決手段】粉末原料を供給する供給管９と、供給された粉末原料を溶融するためのルツボ５，６と、ルツボ５，６を囲むように設けられた高周波誘導加熱コイル３を含む高周波発生手段とを備え、供給管９の先端部９ａに切欠１０ａが設けられている、単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】実際のデバイス製造時にも不良を起こさない程度で成長欠陥が極めて制御された高品質シリコン単結晶インゴットを多様な酸素濃度を有するように制御しながら高生産性で製造することができる高品質シリコン単結晶インゴットの成長装置，その装置を利用した成長方法，それから製造されたシリコン単結晶インゴット及びウエハを提供する。
【解決手段】チャンバーと，前記チャンバーの内部に設けられ，シリコン融液を受容する坩堝と，前記坩堝の側方に設けられ，前記シリコン融液を加熱し，前記坩堝内の特定位置で発熱量が最大である最大発熱部位が形成されたヒータと，前記シリコン融液から成長されるシリコン単結晶を引上げる引上機構と，を含むチョクラルスキ法によるシリコン単結晶成長装置を使用し、シリコン単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ルツボ７の底壁外周部側の下方に、リング状のルツボ下ヒータ１０を設け、そのヒータ面をルツボ側壁７aの底部側に向けるために、水平面に対して傾斜させる。このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ＫＴａ_ｘＮｂ_1-ｘＯ_３を一例とする酸化物結晶であって、利用効率の高い円形結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して結晶を育成しながら引き上げる結晶製造装置において、炉５内の温度を調整するヒータ４と、るつぼ１内部の原料溶液８と接して、原料溶液８の一部を局所的に加熱する内ヒータ１１と、育成された結晶９の形状を検出する光センサ１４と、光センサ１４で検出された結晶の形状に応じて、内ヒータ１１を制御する温度制御器１５とを備えた。 （もっと読む）