【課題】ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第１ピーク及び第２ピークを示し、前記前面及び背面から各々第１ピーク及び第２ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第１ピーク及び第２ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつ。 （もっと読む）

【課題】自動的に結晶軸とルツボ軸の軸芯出しを精度よく行うことができ、育成中の単結晶の振れを抑制することができ、生産性よく単結晶を製造できる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶引上方法において、少なくとも単結晶のクラウンあるいは直胴部育成時、原料溶液に磁場を印加しながら、結晶の芯出し位置を確定する芯出しを行い、単結晶育成中にワイヤが所定振幅以上の振れが生じたとき、水平面内でワイヤを水平面内で移動させて振れを収束させる。軸芯調整方法としては、ワイヤ１２の位置をレーザセンサ１４で検知し、予めＲＡＭに記憶されたルツボ軸芯情報とワイヤ軸芯（結晶軸芯）情報を比較して、結晶軸芯がルツボ軸芯とずれている場合には、コントローラ１６を介して、調芯機能を備えるＸＹテーブル機構１０のＸＹテーブルをサーボ機構により動かし、結晶軸芯とルツボ軸芯を一致させる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｎ型ドーパントを添加したシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する際に、前記シリコン融液中のドーパント濃度をＣ（atoms／ｃｍ^３）、育成結晶側の平均温度勾配をＧave（Ｋ／mm）、引き上げ速度をＶ（mm／min）、ドーパントの種類に応じた係数をＡとしたときに、下記式（１）の関係を満たすように結晶を育成する。臨界ラインＧ１の左側の領域となるようにシリコン単結晶を育成することにより、組成的過冷却現象に起因する異常成長が発生することを防止できる。
【数１】
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【課題】 処理後のウエハの不良品発生率を低減することが可能な半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 直径Φが４インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓウエハであって、ウエハの半径Ｒに対してウエハ中心から（２／３）・Ｒの半径を有する円の部分を中心部とし、前記ウエハ面内の中心部以外の部分である外周部の平均転位密度が、前記中心部の平均転位密度より大きい。 （もっと読む）

【課題】超電導コイルの経験磁場や起磁力を抑制でき、且つ製作性を良好にできること。
【解決手段】超電導コイル１４Ａ及び１４Ｂで構成される超電導マグネット装置１０において、これらの超電導コイル１４Ａ、１４Ｂが対を成し、この対を成す超電導コイルは、超電導コイル１４Ａの内側に超電導コイル１４Ｂが貫入し、それぞれの赤道面が交差するよう配置されて構成され、これらの超電導コイル１４Ａ及び１４Ｂのそれぞれが発生する磁場Ｂ１、Ｂ２が、水平方向に相互に強め合い、鉛直方向に相互に弱め合うよう設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を製造することが可能な単結晶製造装置、該単結晶製造装置を用いて製造される単結晶材料、電子部品並びに単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の原料１０２が収容される金属ルツボ１０１と、該金属ルツボ１０１を高周波加熱する加熱手段（高周波誘導加熱コイル１０３、高周波加熱電源１０４）と、電磁シールド１０９でシールドされ前記金属ルツボ１０１の温度を熱電対１１０で検出する温度センサーと、前記金属ルツボ１０１の原料融液１０２から単結晶１０７を成長させる単結晶成長手段と、前記加熱手段を制御する制御手段である温度調節器１１１とを備え、前記温度調節器１１１は、前記温度センサーの検出信号に基づいて、前記加熱手段を制御して単結晶成長過程における前記原料融液１０２の温度調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 パーフェクト領域［Ｐ］からなるインゴットから切出されたシリコンウェーハであっても、ウェーハ面内で均一なゲッタリング効果が得られる。
【解決手段】 純炭素をインゴット中の炭素濃度が１〜５×１０¹⁵／ｃｍ³になるように多結晶シリコン原料に添加するとともに、インゴット中の酸素濃度が１×１０¹⁸〜１．４５×１０¹⁸／ｃｍ³(旧ＡＳＴＭ)になるように、かつ領域［Ｐ_V］と領域［Ｐ_I］の双方からなり領域［Ｐ_V］／領域［Ｐ_I］が面積比で約１になるようにＶ／Ｇ（ｍｍ²／分・℃）を制御することによりインゴットを引上げた後、鏡面シリコンウェーハ裏面に厚さ０．１〜１．６μｍのポリシリコン層を形成することによりシリコンウェーハを製造する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルとして検出される結晶欠陥が低密度であり、パーティクルモニター用シリコンウェーハを製造するのに適するシリコン単結晶を生産性よく安価に引上げることができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法を用い、輻射シールド６と融液表面のギャップを１５〜３０ｍｍ、固化後１１００〜１０００℃の温度を経験する時間が２０分以上、２００分以下になるように温度帯幅と引上速度を設定するとともに、固液界面高さが３０ｍｍ以下となるよう結晶回転、ルツボ回転及び磁場強度を調整し、窒素濃度が５Ｅ１３〜５Ｅ１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３となるようドープする。 （もっと読む）

【課題】全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、単結晶Ｃと融液Ｍとの境界面である固液界面Ｍ２から、少なくとも所定深さｄ１までの融液内の領域において、単結晶の引上げ軸方向に沿って下方から上方に向かう磁場強度の減少率を、０．４ガウス／ｍｍ以上とした状態で、ルツボ３を０．２ｒｐｍ〜５．０ｒｐｍの範囲の回転速度で回転させ、単結晶Ｃの回転方向をルツボ３の回転方向とは逆方向に８ｒｐｍ以上の回転速度で回転させる。 （もっと読む）

【課題】結晶の大口径化に伴い発生する問題を解決しつつ、生産性高く、ＣＯＰの無い半導体単結晶を引き上げ成長させる方法を提供する。
【解決手段】Ｉ‐リッチ領域（格子間型点欠陥優勢領域）に入る条件で半導体単結晶を引上げ成長させるに際して、融液から引き上げられる半導体単結晶の周囲にクーラを配置して、クーラによって半導体単結晶を冷却しつつ、かつ融液に磁場を印加して、半導体単結晶の引上げ速度を０．４ｍｍ／ｍｉｎ以上とする条件で、半導体単結晶を引き上げる。 （もっと読む）