【課題】結晶欠陥が少ないシリコン単結晶を安定的に製造する方法、及び、この安定条件を決定するための方法を提供すること。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶１１を引き上げて製造する方法は、当該引き上げ時には、シリコン単結晶１１を囲むように配置されたクーラー２４と、当該クーラー２４の外側及び下側を囲むように配置される熱遮蔽体２３とによって、シリコン単結晶１１を冷却する冷却工程を行い、あらかじめ、クーラー２４の下側に設けられた熱遮蔽体２３の下面からシリコン融液１３の表面までの距離（以下、Ｍｓ）を調整することによって、結晶欠陥が少ないシリコン単結晶１１が得られる引き上げ速度の許容範囲を決定するＭｓ調整工程を行い、当該決定された許容範囲内の引き上げ速度で前記引き上げを行う。 （もっと読む）

【課題】各単結晶引上げ装置を、遠隔監視し遠隔操作することで、オペレータが実際に各単結晶引上げ装置の場所まで出向いて監視、操作を行うことによる作業負担や異常事態発生時の被害を回避すること。
【解決手段】単結晶引上げ装置の遠隔監視・操作装置において、複数台の単結晶引き上げ装置の監視情報を収集する手段と、該監視情報を遠隔監視・操作システムに送信する第１の送信手段とが備えられ、該遠隔監視・操作システムは、各単結晶引上げ装置毎の監視情報を分割画面上に表示する第１モニタ装置と、前期分割画面より特定の分割画面を選択する手段と、その特定の分割画面の情報をモニタに表示する第２のモニタ装置と、選択された特定の分割画面に対応する単結晶引上げ装置を操作する手段とを含み、操作手段の操作情報を、対応する単結晶引上げ装置に送信する第２の送信手段と、送信された操作情報に応じて単結晶引上げ装置を制御する手段とを備えた装置。 （もっと読む）

【課題】ある引き上げ速度プロファイルで育成されたSi単結晶の欠陥領域あるいは無欠陥領域のタイプを明確に検出し、このデータを次の引き上げにフィードバックすることよって、欠陥領域のないSi単結晶を安定して育成する。
【解決手段】ＣＺ法によるSi単結晶インゴットの製造に際し、先行して育成されたSi単結晶インゴットの横断面における原子空孔の濃度分布を、原子空孔の直接観測法によって検出し、それを後続の引き上げ処理にフィードバックして、後続の引き上げにおける速度プロファイルを調整する。 （もっと読む）

【課題】高重量の単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断するような大きな地震が発生しても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぎ、装置への破損を回避することのできる単結晶引上装置、及びその制御方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、下面中央に凹部が形成されることにより下面周縁が最下端となる前記単結晶Ｃを引上げる引上げ手段５と、底面３ａが平らに形成された前記ルツボ３と、前記ルツボ３を昇降させるルツボ昇降手段１１と、所定値以上の振動を検知する振動検知手段１７と、前記引上げ手段５と前記ルツボ昇降手段１１の動作を制御する制御手段８ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造工程で、ウェーハ表面に亘りＯＳＦリング領域およびその他領域を拡張し、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の発生を効果的に抑制することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、窒素が１×１０¹²ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度でドープされたシリコン単結晶を育成する方法であって、（Ｄｍａｘ−Ｄｍｉｎ）／Ｄｍｉｎ×ｌ００（％）で表される結晶変形率が１．５〜２．０％となる速度を最大引上げ速度として予め算出しておき、この最大引上げ速度の０．４倍〜０．８倍の引上げ速度で育成することにより、高温酸化処理を施した場合に、ウェーハ表面が酸化誘起積層欠陥領域からなり、またはこの領域に加え酸素析出領域および酸素析出抑制領域からなる単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】無欠陷高品質単結晶インゴットを速い成長速度で製造できる高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による高品質シリコン単結晶の製造方法において、単結晶成長の固液界面の下部を中心部と外周部に分け、前記中心部の温度勾配と外周部の温度勾配をそれぞれ個別に制御する。これにより、固液界面の下部に位置するシリコン融液を中心部と外周部に分けたとき、中心部の温度勾配は融液の温度分布を調節することで直接的に制御し、且つ、外周部の温度勾配は単結晶の温度勾配を調節して間接的に制御して、融液の温度分布を効果的に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、凸度の小さいサファイア単結晶を、従来の安価な装置を用いて、安価で且つ簡便に育成する方法の提供を課題とする。
【解決手段】 引き上げ法によるサファイア単結晶育成において、種結晶部から直胴までの肩部の長さ、すなわち肩部が構成する面と種結晶中心を通り引き上げ方向に引いた直線との交点と、前記種結晶下部との間の距離Ａと、直胴部の平均直径Ｂとの比（Ｂ／Ａ）が２〜４．５になるように結晶の回転数と引き上げ速度と融液温度とを制御して結晶育成をする。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなくウェーハ面内で均一なゲッタリング能を有する単結晶シリコンウェーハを製造する単結晶シリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げ育成する工程を有するシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、少なくともインゴットの引き上げ方向における全長の３０〜７０％の範囲の直胴部の引き上げを、結晶育成中の温度が１３７０℃〜１３１０℃であって、結晶育成中の温度が１３７０℃〜１３１０℃の時に結晶成長軸方向の温度勾配値の比Ｇｃ／Ｇｅ（但し、Ｇｃ：結晶中心部の平均温度勾配、Ｇｅ：結晶外周部の平均温度勾配）を１．１４≦Ｇｃ／Ｇｅ≦１．２８の範囲とし、窒素を０．８×１０^１４ atoms／ｃｍ^３ 以上添加し、高温酸化熱処理を施した場合に酸化誘起積層欠陥がウェーハ全面に発生するように、窒素濃度に応じた所定の引き上げ速度で引き上げ育成を行う。
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【課題】直流磁場印加引き上げ法において、融液を回転軸で回転させたときの回転方向等の流動方向における流動制御をより均一に細かく行ない、結晶組成が均一で欠陥の少ない単結晶の育成を可能とする。
【解決手段】Ｓｉ融液１１の液面近傍に試料棒１３の種結晶が設けられた一端および電極１５を配置し、これらの間に通電すると共に、液底近傍に電極１６およびＬ型電極１７を配置し、これらの電極間に通電することにより、融液の液面近傍と共に、液面から離れた液底に近い融液中において融液を流動させるローレンツ力が得られ、より均一で細かい融液の流動制御が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。
【解決手段】 単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。単結晶棒の肩部と直胴部の前部の形成工程で、坩堝のヒータ温度又は融液温度を単結晶棒の長さ又は経過時間の増加に伴って低下させていき、その途中で少なくとも１回は一時的に上昇させる。 （もっと読む）