【課題】改善された歩留まりで低欠陥半導体ウェハを製造することができるＭＣＺ法を提供する。
【解決手段】ルツボ中に含まれる融液から単結晶を引き上げ、引き上げられた単結晶から半導体ウェハをスライシングするシリコン半導体ウェハの製造方法において、単結晶の引き上げの間に成長する単結晶の融液との界面の中心に熱を導入し、ＣＵＳＰ磁場の中立面が単結晶の引き上げ軸を、融液表面から少なくとも５０ｍｍの距離で横切るようにＣＵＳＰ磁場を融液に印加する。 （もっと読む）

【課題】クーラによってシリコン単結晶を冷却する能力が変化したときの変化量と、他の引上げ条件の修正量との関係を明らかにし、簡単な方法で再現よく無欠陥のシリコン単結晶を安定して製造できる方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の引上げ中にクーラの吸熱量Ｑを計測し、吸熱量Ｑの計測値Ｑと参照値Ｑrefとの差Ｑ−Ｑrefに応じた引上げ速度修正量Ｖqを求め、この引上げ速度修正量Ｖqによって、ベース値Ｖpgを修正して、修正された引上げ速度Ｖにて、シリコン単結晶を引上げる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法により単結晶を育成する単結晶引上げ方法において、テイル工程中の過冷却融液中に発生する育成単結晶の成長界面以外の固化物を抑制し、大型の単結晶を高い生産性、高歩留りで製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、種結晶をルツボ内の融液に接触させた後、拡径部を形成する拡径工程と、直胴部を育成する直胴工程と、テイル部を形成するテイル工程とを備え、かつ育成単結晶を囲繞するように円環状の構造物を融液表面上方に配置し、該構造物の下端と融液表面との距離を制御しつつ前記育成単結晶を引上げる、チョクラルスキー法により単結晶を育成する単結晶引上げ方法において、前記テイル工程中の前記構造物下端と融液表面との距離を、前記直胴工程中の前記構造物下端と融液表面との距離より小さくなるように制御して前記育成単結晶を引上げることを特徴とする単結晶引上げ方法。 （もっと読む）

【課題】結晶品質を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、複数に分割可能なチャンバ２、２０、２１、２２、２３を具備し、チョクラルスキー法により単結晶を製造するための単結晶製造装置１であって、複数に分割されたチャンバ２、２０、２１、２２、２３のうち少なくとも１つは、チャンバを冷却する循環冷却媒体が流通する循環冷却媒体用流路３１と、循環冷却媒体の、循環冷却媒体用流路３１における入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量を測定するそれぞれの測定手段３４、３５、３６とを有するものであり、入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量の測定値から、チャンバからの除去熱量及び／または除去熱量の割合を算出する演算手段３７と、算出した除去熱量及び／または除去熱量の割合に基づいて単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御手段３８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 複数段のヒータを用いたチョクラルスキー単結晶製造装置において、結晶直径の制御性を改善する。
【解決手段】 結晶直径を制御するために、引上速度が操作される。引上速度を所定の速度設定値に近づけるともにヒータ温度を所定の温度目標値に近づけるために、複数段のヒータ（１６，１８）の電力が操作される。ヒータ（１６，１８）の電力比率は、所定の電力比率設定値に一致するように制御される。電力比率設定値は、結晶引上長さに応じて変化し、その変化に伴ってヒータ温度が変化して、これが直径制御の外乱となる。この外乱を補償するために、温度目標値を決定する基礎となる温度設定値には、電力比率設定値の変化に伴うヒータ温度の変化が予め加味される。従って、温度設定値は、電力比率設定値の変化に伴って、現在の電力比率設定値に適した値へと変化する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に拘わらず、スリップ転位の発生を抑制し、無転位化を簡易に達成し、結晶品質の向上を図ることができ、特に、スリップ転位を消滅させるのが難しい結晶方位が＜１１０＞である種結晶を用い、＜１１０＞の単結晶を引上げるのに最適であるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、坩堝内の結晶原料を融解させ、種結晶１を坩堝内に保持される溶融液に浸漬させた後、種結晶１を引上げてネック部４を形成するネック工程に次いで、単結晶のショルダー部およびボディー部を形成する単結晶製造方法において、種結晶１を溶融液に浸漬させる際に、溶融液温度を種結晶１が溶融液表面に接触するのに最適な温度とした後、溶融液温度を低下させるとともに、種結晶１の引上げ速度を速めながら引上げ、引上げ径が目標のネック径に到達した時点で引上げ速度を一定の速度としてネック部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ルツボの変形を発生させることなく融液中の気泡を低減し、ウェーハに生じるピンホール不良を抑制する。
【解決手段】ルツボと側面ヒータ５を初期位置であるルツボ側面４ａが主に熱せられる位置に保持し、ルツボ内に素材３０を投入する。側面ヒータ５でルツボ側面４ａを熱すると素材３０が溶解し融液３１が生成される。融液３１の一部又は全てが溶解したらルツボを初期位置よりも上昇させるか又は側面ヒータ５を初期位置よりも下降させる。この際ルツボと側面ヒータ５の初期相対位置よりもルツボ側面４ａ下側湾曲部の被熱量が大きくなるように、ルツボ又は側面ヒータ５の位置を調整する。そしてルツボと側面ヒータ５の相対位置を保持しつつ側面ヒータ５でルツボ底部４ｂを熱するとルツボ底部４ｂの被熱量がルツボ側面４ａの被熱量よりも大きくなり、気泡が外部にとばされるような対流が融液３１内で強くなる。こうして融液３１から気泡が消滅する。 （もっと読む）

【課題】引き上げ時におけるシリコン融液の対流を制御することができ、シリコン融液の残液量に依存する単結晶の品質差を小さくできる単結晶製造装置を実現する。
【解決手段】シリコン融液４の表面４ａとルツボの底面との距離とされる深さＬａが鉛直方向距離Ｌｂを超えている際に、シリコン融液４において、育成される単結晶３の品質に影響を及ぼす固液界面直下の対流範囲が距離Ｌｂ以内となるように、ルツボ底面と略平行な板状体である対流制御部材３５が、ルツボの底面と固液界面との間に位置可能として設けられる単結晶製造装置３０とする。 （もっと読む）

【課題】引き上げ時におけるシリコン融液の対流を制御することができ、シリコン融液の残液量に依存する単結晶の品質差を小さくできる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン融液４内に配置可能とされる対流制御部材３５と、対流制御部材３５をルツボ上方から支持する支持手段とを具備し、対流制御部材３５が、ルツボ底面と略平行状態に位置可能な略円板形状とされ、平面視して引き上げられるシリコン単結晶３の中心軸１５位置を中心として外縁部へと延在する複数の線分で分割された複数の板状片３６からなり、支持手段が、中心軸に沿う断面において、中心における板状片３６の上面３６ａの接平面と中心軸１５方向下向きとのなす角度αを設定してシリコン融液４の対流を制御可能とするように対流制御部材３５の板状片３６を角度調整可能に支持する単結晶製造装置とする。 （もっと読む）

この発明は、単結晶シリコンインゴットを製造する方法、そのインゴットおよびそれから得られるウエハに関する。１つの態様において、方法は、成長速度ｖと、本発明にてそれぞれ定義する有効平均軸方向温度勾配Ｇ_{ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ}または修正平均軸方向温度勾配Ｇ_{ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ}とを、インゴットの所定のセグメントにおいて、比ｖ／Ｇ_{ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ}またはｖ／Ｇ_{ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ}が、そのセグメントの半径の実質的な部分についてそれらの臨界値に実質的に近くなるように制御すること、（ｉ）凝固温度から約１２５０℃までの間、および（ｉｉ）約１２５０℃と約１０００℃との間の温度範囲で、セグメントの冷却速度を、その中の真性点欠陥の側方包含の効果を操作するように制御すること、それによって、インゴットセグメントのほぼ側表面から半径方向内側へ延びるリング内に、凝集真性点欠陥および／もしくは酸素析出クラスターが生成することを制限することを含む。この態様またはその他の態様において、前記リング内に、凝集真性点欠陥および／もしくは酸素析出クラスターが生成することを制限するように、軸方向温度勾配および／もしくはメルト／固体界面を制御する。
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