【課題】 チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。
【解決手段】 コントローラ１０４が、引上げ機１０２のヒータ温度又は融液温度を入力、単結晶棒１１６の直径を出力とした場合の入出力間の伝達特性を表す複数種の係数設定値を含むモデルを予め記憶する。モデルに含まれる少なくとも一種の係数設定値は、単結晶棒１１６の肩部及び直胴部の形成過程において単結晶棒の長さ又は経過時間に応じて変化するように設定される。コントローラ１０４が、モデルに基づいて、引上げ機１０２により引上げられている単結晶棒１１６の肩部及び直胴部の直径を所定の目標値に制御するようにフィードバック制御動作を行って、ヒータ又は融液の温度を操作する。 （もっと読む）

【課題】 転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスが、水素含有物質の気体を含み、前記シリコン単結晶の径方向断面の少なくとも一部に転位クラスター発生領域が形成される引き上げ速度であり、かつ、赤外線散乱体欠陥発生領域が形成される引き上げ速度よりも遅い引き上げ速度でシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法による単結晶棒の製造において、肩部と直胴部の双方での直径の制御性を向上させ、直胴部の結晶品質を向上させる。
【解決手段】 単結晶棒は、単結晶棒の固体と液体の界面の温度勾配を一定するような速度設定に従い引上げられる。単結晶棒の肩部と直胴部の前部の形成工程で、坩堝のヒータ温度又は融液温度を単結晶棒の長さ又は経過時間の増加に伴って低下させていき、その途中で少なくとも１回は一時的に上昇させる。 （もっと読む）

【課題】 結晶全長にわたって径方向の結晶欠陥分布の変化が小さく、径方向の切断面の全面が１種類の結晶欠陥領域であるシリコン単結晶を容易に製造できるシリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 坩堝２に収容されたシリコン融液Ｍからシリコン単結晶ＳＩを引き上げながら成長させて製造するシリコン単結晶製造方法において、シリコン単結晶ＳＩの径方向に磁場を印可する磁場印可ステップを備え、シリコン融液Ｍの液面に対する磁場の中心Ａ高さ位置を、シリコン単結晶ＳＩの径方向における温度勾配を一定とするように制御するシリコン単結晶製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶を育成する際に、固液界面近傍の温度勾配の変動を最小限に抑制し、結晶成長方向に所望欠陥領域が形成された高品質の単結晶を容易に、かつ高い生産性及び歩留りで製造できる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引上げる水平磁場印加チョクラルスキー法により単結晶を製造する方法において、前記引上げる単結晶が所望の欠陥領域となるように、引上げ速度Ｆ(mm/min)と結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配Ｇｃ（℃/mm）の比Ｆ／Ｇｃ(mm²/℃・min)を制御して結晶を引上げる場合に、前記結晶中心部の固液界面近傍の結晶温度勾配Ｇｃ（℃/mm）の大きさに応じて、前記融液に印加する磁場強度Ｂ（Ｔ）の設定値を変えることを特徴とする単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶の引上環境の変化に対応して水素混合ガス中の水素原子濃度を容易に制御可能であり、かつ、水素混合ガスをローコストな設備で長期間に渡って連続的に安定して供給可能な半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 水素混合ガス供給装置１２は、水素含有ガス供給機５１と不活性ガス供給機５２とを備えている。水素含有ガス供給機５１は、水素含有ガス源５１ａと水素含有ガス精製器５１ｂとから構成されている。水素含有ガス流量制御器５４は、シリコン単結晶製造装置１０全体の動作を制御するための制御部１３によって流量が設定される。 （もっと読む）

【課題】 半導体単結晶の引上環境の変化に対応して水素混合ガス中の水素原子濃度を容易に制御可能であり、かつ、水素混合ガスをローコストな設備で長期間に渡って連続的に安定して供給可能な半導体単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】 水素混合ガス供給装置１２は、水素含有ガス供給機５１と不活性ガス供給機５２とバッファタンク５８とを備えている。水素含有ガス供給機５１は、水素含有ガス源５１ａと水素含有ガス精製器５１ｂとから構成されている。水素含有ガス流量制御器５４は、シリコン単結晶製造装置１０全体の動作を制御するための制御部１３によって流量が設定される。 （もっと読む）

【課題】 ゲッタリング能を充分に確保できる酸素析出物密度を有する酸素析出促進領域（ＰＶ領域）および／または酸素析出抑制領域（ＰＩ領域）からなるシリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決の手段】 本発明のシリコン単結晶の育成方法は、チョクラルスキー法により酸素濃度が１２×１０^１７〜１８×１０^１７ａｔｏｍｓ/ｃｍ^３（ＡＳＴＭ−Ｆ１２１ １９７９）であるシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスを、不活性ガスと水素原子含有物質の気体との混合ガスとし、融点から１３５０℃までの結晶中心部での軸方向温度勾配Ｇｃと融点から１３５０℃までの結晶外周部での軸方向温度勾配Ｇｅとの比Ｇｃ／Ｇｅが１．１〜１．４、前記結晶中心部での軸方向温度勾配Ｇｃが３．０〜３．５℃／ｍｍとなるように育成中のシリコン単結晶の温度を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度分布が均一な単結晶を低コストで育成することができるシリコン単結晶引き上げ方法を提供する。
【解決手段】本シリコン単結晶の製造方法は、ルツボ内の融液に磁場を印加するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ネック部育成時から直胴部育成前までは、磁場強度５００〜１０００ガウスの範囲で融液に磁場を印加し、直胴部育成直後から直胴部長さ１５０〜２５０ｍｍまでは、磁場強度２００〜４００ガウスまで徐々に磁場強度を低下させ、さらに、直胴部長さ１５０〜２５０ｍｍ以降では、磁場強度３５０〜５００ガウスの範囲で融液に磁場を印加する。 （もっと読む）

【課題】
Ｉ−リッチ領域に入る引上げ成長条件でシリコン単結晶を引き上げ成長させるに際して、シリコン単結晶の肩部から直胴部のトップ部までの部位で、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しないようにする。
【解決手段】
肩部１０Ａから直胴部１０Ｂのトップ部までの範囲でスリップを発生させないために、シリコン単結晶１０の肩部１０Ａから直胴部１０Ｂのトップ部までの部位の酸素濃度Ｏiを、格子間型点欠陥を起点にしてスリップが発生しない所定濃度以上とする条件で、具体的には、９．０×１０１７atoms/ｃｍ３ 以上とする条件で、シリコン単結晶１０を引き上げることを特徴とする。
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