【課題】種結晶近傍でのＳｉＣ多結晶の発生を抑制し得るＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】成長炉内に、原料からＳｉＣ種結晶基板上にＳｉＣ単結晶を成長させるための種結晶、該種結晶を支え且つ種結晶から熱を外部に伝達するための支持軸、原料を収容する坩堝および坩堝からの放熱を防ぐための断熱材、および炉外に設けた複数の異なる出力を放出可能なエネルギー放出体から出力されたエネルギーで発熱して成長炉内を加熱するために断熱材の内側に発熱部材が設けられているＳｉＣ単結晶の製造装置より濡れ性の低い多結晶発生阻害部が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ＳｉＣ種結晶近傍に炭素を供給しやすいＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１００内の坩堝６は、内径ＩＤＴを有する上部収納室６２１Ａと、上部収納室６２１Ａの下方に配置され、内径ＩＤＴよりも小さい内径ＩＤＢを有する下部収納室６２２Ａとを備える。誘導加熱装置３は、上部収納室６２１Ａの周りに配置される上部コイル部３１１と、下部収納室６２２Ａの周りに配置される下部コイル部３１２とを備える。下部コイル部３１２は、上部コイル部３１１が上部収納室６２１Ａ内のＳｉＣ溶液８に生成する電磁力よりも大きい電磁力を、下部収納室内６２２ＡのＳｉＣ溶液８に生成する。 （もっと読む）

【課題】窒素プラズマ合成法において、より大きな結晶粒度を有するIII族窒化物結晶、或いはバルク状のIII族窒化物結晶を生成できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】III族元素を含む融液７に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマＰを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成する。この方法により、より大きな結晶粒度のIII族窒化物結晶、或いは肉眼にて視認可能な程度にまで成長したバルク状III族窒化物結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易に転位密度の小さな結晶薄膜を製造することができる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】基板１８に供給された金属原料および融剤からなる液体原料に気体原料を反応させ、金属原料および気体原料のうち、それぞれ少なくとも１元素同士から構成される結晶原料を液体原料および気体原料からなる混合物から結晶化することによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法であり、基板１８上における結晶原料の結晶化が開始される成長開始部から、その周囲に亘って、結晶原料の温度を変化させるよう上記結晶原料の温度分布を制御し、生じた結晶薄膜の周囲に亘る結晶原料の溶解濃度が結晶成長可能な過飽和度となるよう、上記結晶原料の溶解濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】多結晶の成長やエピフロントでの融液の取り込みがなく、多形制御に対する自由度の高い手法によって、液相エピタキシー法により高品質のバルク単結晶を製造する。
【解決手段】単結晶原料の融液を収容する坩堝を、融液保持部３と、スリットを有し、冷却機構を備えた、導電性材質から構成された第１の側壁部（低温壁）１と、冷却機構を有しない第２の側壁部（高温壁）２とから構成する。側壁部の外周に配置した通電コイル８に高周波電流を通電すると、原料が誘導加熱されてて融液となり、融液はローレンツ力によって隆起すると電磁攪拌される。基板６は、図示のように上方から挿入される結晶保持具５の先端に取付けてもよく（引き上げ法）、或いは融液保持部３の上面を平面にして、この上面に取付けてもよい。その場合は融液保持部３を単結晶の成長につれて下方に移動させる。 （もっと読む）

【課題】 次世代の単結晶ＳｉＣの形成に好適な、圧力１０^-2Ｐａ以下又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で１２００℃〜２,３００℃に加熱することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物５を１２００℃〜２,３００℃に加熱する加熱室２を備える熱処理装置１を用い、前記被処理物５を密閉容器に収納した状態で、予め１２００℃〜２,３００℃に加熱された圧力１０^-2Ｐａ以下、又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の前記加熱室２に移動することで、前記被処理物を１２００℃〜２,３００℃に加熱する。前記加熱室２の内部には加熱ヒータ１１が前記被処理物５（密閉容器）を覆うように設けられており、その加熱ヒータ１１の周囲には反射鏡１２が配置されている。 （もっと読む）