【課題】セリウム低濃度側と高濃度側の蛍光出力差を十分に低減することができるシンチレータ用単結晶、その製造のための熱処理方法、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｇｄ_{２−（ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ａＬｕ_ｘＣｅ_ｙＬｍ_ｚＳｉＯ_５ ……（１）
（一般式（１）中、ＬｍはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＬｎはＰｒ、Ｔｂ及びＴｍを除くランタノイド系元素、並びにＳｃ、Ｙから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａは０以上１未満の値を示し、ｘは１を超え２未満の値を示し、ｙは０を超え０．０１以下の値を示し、ｚは０を超え０．０１以下の値を示す。なお、ａ＋ｘ＋ｙ＋ｚの値は２以下である。） （もっと読む）

【課題】一度ＰＶ法によるエタノールの分離に使用した後で長期保管しても、分離性能が低下しにくいゼオライト膜を製造する。
【解決手段】種付け用ゾル並びに支持体を、耐圧容器内に入れ、前記耐圧容器内を加熱して前記支持体の表面にゼオライト種結晶を生成させる種結晶生成工程と、前記ゼオライト種結晶を成長させて支持体の表面にゼオライト膜を形成する膜形成工程と、前記ゼオライト膜を加熱処理することにより、構造規定剤を除去する加熱処理工程と、水とエタノールとの混合溶液を、前記支持体の表面に形成されたゼオライト膜に透過させる透過処理工程と、前記透過処理工程後、膜形成用ゾル並びに前記ゼオライト膜が表面に形成された前記支持体を、耐圧容器内に入れ、前記耐圧容器内を加熱して前記支持体の表面に形成された前記ゼオライト膜を更に成長させる膜再形成工程とを有するゼオライト膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、２３８８００（Ａ／ｍ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。酸化物単結晶がランガサイトである場合、磁場や電場を印加すると、ランガサイトの初晶域がランガサイトの化学量論組成に近づき、ランガサイトの初晶が析出するのが促進されるので、ランガサイトの結晶化を容易に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アパタイト相が実質的に存在せず、蛍光強度が十分に大きく、蛍光減衰時間が十分に短い単結晶シンチレーターを提供すること。
【解決手段】下記の一般式（１）で表される組成を有し、光、電子線及び／又は放射線刺激に対して発光する単結晶を備える単結晶シンチレーター。
（Ｇｄ_１−ｘＣｅ_ｘ）_２Ｓｉ_２Ｏ_７ （ただし、０＜ｘ＜０．３） （１） （もっと読む）

【課題】圧電デバイス用基板及びこれを用いた表面弾性波デバイスにおいて、均一な単結晶で結晶育成の成功率が高く、生産コストが低い圧電デバイス用基板、及びこれを用いた表面弾性波デバイスを提供する。
【解決手段】Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶で形成された圧電デバイス用基板であって、前記Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶は、点Ａ（Ｌａ_２Ｏ_３が４４重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が４６重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）、点Ｂ（Ｌａ_２Ｏ_３が４５重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５２重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｃ（Ｌａ_２Ｏ_３が３２重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が６５重量％、ＳｉＯ_２が３重量％）、点Ｄ（Ｌａ_２Ｏ_３が３７重量％、Ｇａ_２Ｏ_３が５３重量％、ＳｉＯ_２が１０重量％）で囲まれる組成範囲内で秤量してルツボ内で融解させ、該ルツボ内から引き上げる。 （もっと読む）

【課題】 良好な品質の圧電単結晶（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄の単結晶、Ｓｒ₃Ｇａ₄Ｇｅ₂Ｏ₁₄の単結晶）の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。
【解決手段】 坩堝２の底面のダイ部９の直下の位置と、そこから１０ｍｍ下方の位置との温度差をΔＴ（℃）と定め、また育成時の種結晶４の引き下げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）と定める。このとき、温度差ΔＴが１０℃≦ΔＴ≦２５℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦１．５ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔＴが２５℃≦ΔＴ≦５０℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦０．３ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】 フィルター、発振子、ジャイロ等の波動デバイスに用いられる圧電単結晶振動子、およびこれらを用いたデバイスの小型化、高感度化を可能にすることができる、電気機械結合係数ｋ₁₂が化学式Ｓｒ₃Ｇａ₂Ｇｅ₄Ｏ₁₄のランガサイト系単結晶よりも大きい、１８％以上であり、エッチングレートが水晶よりも速い、０．８μｍ／ｍｉｎ以上である材料を提供する。
【解決手段】 化学式Ｍ１_XＭ２_3-XＧａ_5-XＳｉ_X+1Ｏ₁₄（式中Ｍ１は２価金属、Ｍ２は３価金属）で表され、０．１≦Ｘ≦１．５であることを特徴とする圧電単結晶組成物である。化学式中、Ｍ１はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａの少なくとも１種以上、また、Ｍ２はＬａ、Ｎｄ、Ｐｒの少なくとも１種以上であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】結晶インゴット内の元素間の偏析現象を低減することによって蛍光特性が向上したシンチレータ用単結晶を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるセリウム付活オルト珪酸塩化合物を含むシンチレータ用単結晶。
Ｌｍ_{２−（ｘ＋ｙ＋ｚ）}Ｌｎ_ｘＬｕ_ｙＣｅ_ｚＳｉＯ_５ （１）
（式中、ＬｍはＬｕよりも原子番号が小さいランタノイド系元素、並びにＳｃ及びＹの中から選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｌｎはイオン半径がＬｍとＬｕとの間にあるランタノイド系元素並びにＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ｘは０超０．５以下の値を示し、ｙは１超２未満の値を示し、ｚは０超０．１以下の値を示す。） （もっと読む）

【課題】光学フィルタや固体レーザ等の光学素子に好適なフォルステライト単結晶を、結晶のクラックや割れ、曲がりがなく、また、結晶内部に気泡等の欠陥が混入していない高品質で、かつ、直径５０ｍｍ以上の大口径の結晶として、歩留よく得られる製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるフォルステライト単結晶の製造方法において、ｂ軸に対して±５°以内の方位のフォルステライト単結晶を種結晶として用いて、単結晶引上げを行う。 （もっと読む）

【課題】デバイスとして望ましい方位における圧電特性の温度依存性を改善した圧電単結晶材料及びこの圧電単結晶材料を用いた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】Ｃａ_３Ｇａ_２Ｇｅ_４Ｏ_１４構造を有しており、主要成分がＬａ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｇａ及びＳｉよりなり、組成式Ｌａ_３−ｘＳｒ_ｘＴａ_ｙＧａ_{６−ｙ-ｚ}Ｓｉ_ｚＯ_１４で表され、この組成式のｘ、ｙ、ｚが、（ｘ＝０、ｙ＝０．３５、ｚ＝０．３）、（ｘ＝０．２、ｙ＝０．４、ｚ＝０．４）、（ｘ＝０．８、ｙ＝０．５、ｚ＝０．８）、（ｘ＝１．２、ｙ＝０．５、ｚ＝１．２）、（ｘ＝１．０、ｙ＝０．３、ｚ＝１．４）、（ｘ＝０．６、ｙ＝０．１、ｚ＝１．４）、（ｘ＝０．２、ｙ＝０、ｚ＝１．２）、（ｘ＝０、ｙ＝０．１５、ｚ＝０．７）、（ｘ＝０、ｙ＝０．３５、ｚ＝０．３）を順次結ぶことで得られる組成範囲にある。 （もっと読む）