本発明は、少なくともＧａ表面（３）を含む基板（１）上に、単結晶ＧｅＮ層（４）を形成する方法に関する。方法は、基板（１）を５５０℃と９４０℃の間の温度に加熱するとともに、基板（１）を窒素ガス流に晒す工程を含む。本発明は、更に、基板（１）上に単結晶ＧｅＮ層（４）を含む構造を提供する。本発明の具体例にかかる方法で形成された単結晶ＧｅＮは、Ｇｅ表面（３）に存在する表面状態を保護する。
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【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分（水蒸気ガス）あるいはＯ₂ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも１３００℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるＡｌＮを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、ＡｌＮの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なＡｌＮ単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相エピタキシャル成長法においてアルミニウム系III族窒化物結晶膜を製造するに当たり、より高速で、より欠陥の少ない単結晶からなる結晶膜であって、膜の平坦性が良好な結晶膜を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】反応容器内でハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて、加熱基板２４上にアルミニウム系III族窒化物結晶を成長させる工程を含むアルミニウム系III族窒化物結晶の製造方法において、内部に発熱抵抗体が埋設された窒化アルミニウムと窒化ホウ素との複合焼結体のようなセラミックスからなり加熱機能を有する支持台２３の上に基板２４を保持し、基板２４を、たとえば１１５０℃以上といった高温であって、反応領域における反応容器壁の温度より高い温度に保持して結晶の成長を行う。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）の上に、例えばＧａＮ層（５）のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法を提供するものであり、基板（１）は、少なくともＧｅ表面（３）、好適には六方対称を有する。この方法は、基板（１）を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板（１）を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面（３）の上に、例えばＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。本発明の具体例にかかる方法では、良好な結晶品質を有するＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる。本発明は、更に、本発明の具体例にかかる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基板の主面上に金属Ａｌ膜を蒸着させたＡｌ膜付きサファイア基板を、Ａｌに対する窒化能（窒化作用）を有する窒素元素含有ガス雰囲気の下で、少なくとも１４００℃以上に、好ましくは１５００℃以上に加熱する。これにより、サファイア基板の主面上に、表面平坦性の良好なＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。さらに、上記の窒化処理を酸化物結晶の存在下で行うと、より表面平坦性の優れたＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。 （もっと読む）

【課題】大型で高品質なＡｌＮ結晶基板を製造することができるＡｌＮ結晶基板の製造方法、大型で高品質なＡｌＮ結晶を成長させることができるＡｌＮ結晶の成長方法およびその成長方法により成長したＡｌＮ結晶からなるＡｌＮ結晶基板を提供する。
【解決手段】異種基板１上に異種基板１の口径ｒに対して０．４ｒ以上の厚さにＡｌＮ結晶２を昇華法により成長させる工程と、異種基板１から２００μｍ以上離れたＡｌＮ結晶２の領域からＡｌＮ結晶基板３を形成する工程と、を含む、ＡｌＮ結晶基板３の製造方法である。また、その製造方法により製造されたＡｌＮ結晶基板３上にＡｌＮ結晶２を昇華法により成長させるＡｌＮ結晶２の成長方法とその成長方法より成長したＡｌＮ結晶２からなるＡｌＮ結晶基板３である。 （もっと読む）

【課題】薄いＩＩＩ族元素窒化物層であっても積層基板から割れることなく剥離可能であり、低コストで容易に実施できるＩＩＩ族元素窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物基板１１の上にＩＩＩ族元素窒化物層１２が形成された積層基板を準備し、アルカリ金属を含む液４１により、酸化物基板１１のＩＩＩ族元素窒化物層１２と接する面の一部もしくは全部を溶解することにより、積層基板からＩＩＩ族元素窒化物層１２を剥離して、ＩＩＩ族元素窒化物層１２をＩＩＩ族元素窒化物基板とする。 （もっと読む）

本出願は、成長の媒体としての希ガスの存在下でMOVPEによって基板上に窒化インジウムを成長させるための方法に関する。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
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【課題】III族窒化物系化合物半導体エピタキシャル成長条件としての、サファイア基板のＲ面からのオフ角αとＶ／III比ρの調整
【解決手段】サファイア基板にIII族窒化物系化合物半導体をエピタキシャル成長させる際、Ｖ族元素の供給量とIII族元素の供給量の比であるＶ／III比を適正な値よりも小さいρ₁と大きいρ₂とで交互に行う。Ｖ／III比を適正な値よりも小さいρ₁のみで行うと、ｃ軸方向の不連続（ｍ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ａ〜５．Ｄ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｍ軸指向の成長が生じるからである。Ｖ／III比ρを適正な値よりも大きいρ₂のみで行うと、ｍ軸方向の不連続（ｃ軸方向に延びた凹部等の非平滑部）が表面に表れる（５．Ｅ〜５．Ｈ）。エピタキシャル膜のＡ面内でｃ軸指向の成長が生じるからである。そこでＶ／III比を当該ρ₁とρ₂とで交互に切り替える。 （もっと読む）