【課題】安定した高い収率で化合物半導体単結晶を製造し得る技術を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造に用いられる縦型の熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）製容器１ｂは、溶融酸化硼素の液滴２ａが８０度以上１４０度未満の範囲内の接触角（θ）を生じる内壁を有する。この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 急激な温度変化が与えられても、ウェハの両面において、デバイスを形成する領域にスリップラインが発生しない構造の化合物半導体ウェハを提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体ウェハは、化合物半導体結晶を切断して得られる化合物半導体ウェハで、ウェハ両面におけるウェハ外周縁３からウェハ中心方向に向かって距離Ｄまでの領域が、転位密度が１００，０００ｃｍ^-2以上の高転位密度領域２となっているものである。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法において、原料融液からの輻射熱を断熱材で遮断することで、固液界面の凸面形状の凸度のバランスをとり、固液界面とルツボ底部との接触による不良を低減することを可能にする。
【解決手段】 ルツボ７からサセプター９のベース部９ａへの輻射熱を、サセプター９のベース部９ａの内側に設けた断熱材１０で遮断することにより、化合物半導体単結晶と原料融液の固液界面１２を原料融液側に凸面形状に維持し、かつ、その固液界面１２が成長中にルツボ７の底部に接触しないように固液界面１２の凸面形状のバランスをとる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面のＭｇ、Ｃａを効果的に除去する半導体ウェハの洗浄方法およびその方法で得られたウェハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 （もっと読む）

【課題】縦型温度傾斜法（ＶＧＦ法）や縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）等の縦型ボート法を用いてＳｉドープ型ＧａＡｓ単結晶を製造する際に、ＳｉがＧａＡｓ単結晶中に再現性良くドープされ、かつＳｉ濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるＳｉドープｎ型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器３内に設けたるつぼ４に種結晶５とＧａＡｓ原料を装入し、その上にＳｉ酸化物を予めドープした封止材（Ｂ₂Ｏ₃）８を置き、ヒーター１７で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液７からＧａＡｓ結晶６を晶出育成させる際、上記封止剤よりもＳｉ濃度が低い第２の封止剤９を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド１２を攪拌板１０で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体単結晶の育成に好ましい温度分布を形成することができかつヒータの寿命を伸ばし得る化合物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶の製造装置は、少なくとも一方端部に開放端をする反応管１と、その反応管の周囲で大気雰囲気下に配設された第１の加熱手段３と、反応管を密閉するようにその開放端に取付けられるフランジと、反応管内に設置されて半導体結晶の原料を収容するための坩堝２と、反応管の内壁と坩堝との間に第２の加熱手段１１とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 大口径の単結晶を育成する際にも、固液界面形状を融液側に凸面に制御可能としたＬＥＣ法による化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 ルツボ７の底壁外周部側の下方に、リング状のルツボ下ヒータ１０を設け、そのヒータ面をルツボ側壁７aの底部側に向けるために、水平面に対して傾斜させる。このルツボ下ヒータ１０によりルツボ底壁を介してルツボ側壁を加熱して、ルツボ壁の近傍から上昇して育成中のＧａＡｓ単結晶３に向かう大きなＧａＡｓ融液６の自然対流Ｓを形成する。これにより、ＧａＡｓ単結晶３とルツボ７との相対回転に起因する固液界面付近の強制対流に打ち勝って、ＧａＡｓ融液６内の対流は自然対流Ｓが支配的となり、固液界面形状をＧａＡｓ融液６側に凸面に制御可能となる。 （もっと読む）

不純物の密度を低減し、熱応力なく基板の電気特性の均一性を改善するための、複数のウェハを処理する装置および方法。ウェハは、化学処理され、封止された反応チューブにおいてヒ素過圧下で調整された温度プロフィールによりウェハを加熱するように加熱処理される。温度プロフィールは、封止された反応チューブを含む炉内のそれぞれのゾーンの温度を調整する。ウェハの不純物は、溶解され、ウェハの内部から外部へ外方拡散される。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を低下させることなく、引き上げ結晶の肩部形成時において、固液界面形状の安定化および平坦化を図ることで、結晶欠陥の原因となる転位の集合および多結晶化を防止する。
【解決手段】るつぼ内の種結晶の周囲を、頂部を平坦にした傘状の保温カバーで覆うことにより、肩部形成時において結晶の引上げ方向における肩部付近の温度変化を小さく抑えることができ、結晶の引上げ方向と垂直方向における肩部付近の温度変化も小さく抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器８内に化合物半導体の種結晶１３と原料を収容し、加熱手段によって種結晶の一部と原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１７を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材１１を単結晶成長用容器の外周に配置し、原料融液の温度を降下させることによって結晶成長を進行させるとを特徴とする。 （もっと読む）