【課題】 表面において所望の電気特性を有する化合物半導体基板、エピタキシャル基板、化合物半導体基板の製造方法及びエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１０ａは、ｐ型の化合物半導体からなる基板１２と、基板１２の表面１２ａに結合しておりｐ型の不純物原子を含む物質１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程において発生するスリップ転位や割れを防止できる半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供する。
【解決手段】直径６インチ以上の半絶縁性ＧａＡｓ単結晶ウエハを対象にし、ウエハの中心から０．９Ｒを超える外周部の転位密度をウエハの中心から０．９Ｒより内側に位置する中心部の転位密度の平均値の１．５倍以上にすると共に外周部の転位密度を１２０，０００個／ｃｍ^２以上にしている。 （もっと読む）

【課題】超音波散乱法における被検査物の欠陥評価の感度を向上させた半導体単結晶中の欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】板状の半導体単結晶である被検査物に対して超音波を入射させ、被検査物内で散乱又は反射された超音波に基づいて、被検査物内の結晶欠陥の有無を測定する半導体単結晶中の欠陥検査方法において、被検査物に対して波長が６０μｍ以下、又は周波数が７８ＭＨｚ以上の超音波を、被検査物の表面に垂直な方向と超音波の入射方向のなす角が１０．０度以上１６．４度以下の範囲となるように入射させる方法である。 （もっと読む）

【課題】単位面積あたりのエッチピット密度（ＥＰＤ）で評価した結晶性の値が低く良好な結晶性を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ化合物原料を別の合成炉で合成し、当該原料中にＳｉドーパントを挟み込んで、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂとした。当該Ｓｉドーパントを挟み込む位置は、当該ＧａＡｓ化合物原料を溶融したとき、その平均温度より低くなる位置とした。単結晶成長装置のるつぼに種結晶を挿入した後に、Ｓｉドーパントを収納したＧａＡｓ化合物原料３１Ｂ、液体封止剤３２をるつぼに投入し、単結晶成長装置１にセットして加熱溶融後、当該液体封止剤を攪拌しながら、縦型温度傾斜法により融液を固化、結晶成長させてＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴット３３を得る。 （もっと読む）

【課題】高純度のＧａＡｓのエピタキシャル成長層をＧａＡｓ基板上に得ること。
【解決手段】試料台上に、Ｇａ及びＧａＡｓを配置して、少なくとも水素を含むキャリアガスを流した雰囲気において、第１温度で加熱する高純度化工程を有する。高純度化工程の後に、冷却した後、反応管から試料台を取り出し、試料台にＧａＡｓ半導体基板を設置して、反応管に戻した後、キャリアガスを流した雰囲気において、エピタキシャル成長層の成長を開始させる成長開始温度以上の第２温度で加熱する前加熱工程を有する。雰囲気温度を第２温度から冷却させながら、雰囲気温度が成長開始温度に達した時に、Ｇａ及びＧａＡｓの溶液をＧａＡｓ半導体基板表面に接触させて、ＧａＡｓのエピタキシャル成長を開始させる成長工程を有する。高純度化工程における処理時間を、該処理時間とエピタキシャル成長層の移動度との関係において、最大移動度が得られる極限時間の０．９６倍以上、極限時間以下の時間範囲の値とした。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。 （もっと読む）

【課題】 高品質の焼結金属製品の製造や、結晶成長を行う事前作業として、原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスの除去を確実に行い、製品品質、結晶品質の改善を行う準備作業に関する。
【解決手段】 原材料の表面に吸着している水分や吸着ガスを高真空下で除去し、さらに、高温不活性ガスで原材料を昇温し、原材料表面に吸着しているガス成分や、水分の再吸着を防止し、焼結製品品質、結晶品質の改善を行うことを目的とした焼結金属材料や結晶材料準備作業方法に関する。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の基板を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満のシリコン濃度を有し、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満のシリコン濃度と、１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有する。また、ｎ型リン化インジウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の硫黄濃度を有し、または１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の錫濃度を有し、そして半絶縁性リン化インジウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の転位密度と１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有して鉄がドープされている。 （もっと読む）

【課題】大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３０ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満でありかつ比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が５０ｃｍ^-2未満であって硫黄濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって錫濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）