【課題】低温でもアルシンを用いたＧａＡｓ系化合物半導体の成長を可能とする気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応管１０と、前記反応管に成長ガスを導入するガス導入管９と、前記反応管内に基板を設置する手段２と、前記基板を加熱する手段４を具備しエピタキシャル層を気相成長する装置において、前記反応管１０またはガス導入管９の少なくとも一方に、アルシンを分解する手段（電磁波を放射する手段１１）を設ける。 （もっと読む）

【課題】 装置をコンパクトにでき、原料ガスを効率よく使用して、均一な半導体結晶を成長できるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ガス排出口２６を有する反応菅１５と、この反応菅１５の上部に設けられ、反応菅１５に外部から結晶成長用のガスを供給するガス供給口を備えたフランジ１６と、反応菅１５中に基板１１を載置する載置台１２と、を有するＭＯＣＶＤ装置１０において、反応菅１５の内側にあって、かつガス供給口２６の下部のフランジ１６に対向配置された基板１１に対する前記結晶成長用のガスの流速を均一とする回転数で回転させる回転体２２を設けた。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法において結晶中に取り込まれる不活性ガスを軽減する化合物半導体単結晶の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 不活性ガス側から液体封止剤２を貫き原料融液３中に達するように、高温耐熱性物質からなる円筒材８を、引き上げる化合物半導体単結晶１の周囲に設置し、該円筒材８でるつぼ５と単結晶１との間における液体封止剤２及び原料融液３を内外の領域に仕切り、これにより単結晶成長中に取り込まれる不活性ガスの気泡を減らした環境下で、化合物半導体単結晶１を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により結晶径１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。
【解決手段】 ＬＥＣ法により結晶径が１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を８〜１２（ｒｐｍ）の範囲に定める。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の高いＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきを低減する。
【解決手段】 比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶を、８００℃〜１０００℃で、１０時間〜５０時間熱処理するＧａＡｓ結晶の熱処理方法。ここで、上記熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことができる。また、上記ＧａＡｓ結晶は、５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3の炭素濃度を有することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＡｓ融液中の酸化物の発生を抑止することが可能で、単結晶化率の高いＧａＡｓ単結晶製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 チャンバー２内で加熱させるるつぼ５を有し、るつぼ５内のＧａＡｓ融液９ｓに種結晶７を接触させ、その種結晶７を回転させながら引き上げて単結晶１０を成長させるＧａＡｓ単結晶製造方法において、上記ＧａＡｓ融液９ｓよりも酸化物の生成自由エネルギーの低い元素１１をＧａＡｓ融液以外の場所に配置するＧａＡｓ単結晶製造方法及びＧａＡｓ単結晶製造装置１である。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 固液界面が凹面状に形成されるのを防ぎ、多結晶部の発生を抑制する半導体化合物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 原料及び液体封止剤１９を入れたるつぼ１２を加熱して原料及び液体封止剤１９を融解し、融解した原料融液１８に接触させた種結晶１６を引き上げることにより、単結晶１７を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、
始めに、所定の初期引き上げ速度で単結晶１７の引き上げを行い、単結晶１７の体積がるつぼ内１２に投入した原料融液１８の体積の所定の割合に達した時点で、単結晶１７の引き上げ速度を減速することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内で合成したＧａＡｓをるつぼの下部から，浮上させること無く，上部に向って固化させていくことができるＧａＡｓ多結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】 略円筒形状のるつぼ内にＧａとＡｓと封止材を入れ，るつぼ内において，上方を封止材で封止した状態で，ＧａとＡｓを融解させてＧａＡｓを合成した後，るつぼ底面の均熱を保持しながら融解させたＧａＡｓをるつぼの下方から上方に向って固化させる。るつぼの下方から上方に向ってＧａＡｓを固化させるに際し，７℃／ｃｍ以上で上方に向って昇温する温度勾配をＧａＡｓの固液界面で形成させ，かつ，ＧａＡｓの固液界面の上昇速度を５ｍｍ／ｈｒ以上とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）