国際特許分類［C30B29/42］の内容
化学；冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長；そのための装置 (9,714) | 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 (5,187) | 無機化合物または組成物 (3,206) | ＡＩＩＩＢＶ化合物 (184) | ひ化ガリウム (82)
国際特許分類［C30B29/42］に分類される特許
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化合物半導体引き上げ装置
化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置
【目的】 化合物半導体単結晶を融液より育成させた後、坩堝内の当該化合物半導体単結晶を該坩堝から取出すことを容易にする。
【構成】 化合物半導体単結晶の育成が終了した後、種結晶を坩堝に対し相対的に上部に移動させ、当該単結晶を坩堝および残留液体封止剤から分離させることを特徴とする。
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