ＧａＡｓ結晶基板
【課題】比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。
【解決手段】本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子素子の基板などに用いられるＧａＡｓ結晶基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半絶縁性ＧａＡｓ結晶は、高速動作および低消費電力を必要とする電子デバイス用の基板材料として用いられている。かかるＧａＡｓ結晶の結晶面内における結晶特性のばらつきが大きいと、そのＧａＡｓ結晶を用いて作製された電子デバイスのデバイス特性のばらつきも大きくなり、電子デバイスの歩留まりが低下する。
【０００３】
このため、結晶特性のばらつきを低減させるために、結晶成長後のＧａＡｓ結晶インゴットまたはＧａＡｓ結晶ウエハに熱処理を行なうことが提案されている。現在までに、炭素濃度が０．５×１０15ｃｍ-3〜２．５×１０15ｃｍ-3で、１．５×１０7Ω・ｃｍ程度の比抵抗を有するＧａＡｓ結晶について、所定の条件の熱処理を行なうことにより、比抵抗の面内分布のばらつきを１０％未満とすることが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、電子デバイスにおいてより高速動作化、低消費電力化が求められ、半絶縁性ＧａＡｓ結晶にもより高い比抵抗が求められている。ＧａＡｓ結晶の比抵抗を高くするほど、ＧａＡｓ結晶中のキャリア濃度は低くなるため、ＧａＡｓ結晶内における比抵抗のばらつき、キャリアの移動度のばらつきなどが大きくなる。
【０００５】
特に、比抵抗が従来よりも１桁以上高い１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような半導体領域から絶縁体領域に位置する半絶縁性ＧａＡｓ結晶において、比抵抗のばらつきおよびキャリア移動度のばらつきを低減する方法については、今まで知られていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６８９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記状況に鑑みて、本発明は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満であるＧａＡｓ結晶基板である。ここで、比抵抗のばらつきとは、比抵抗の平均値に対する標準偏差の百分率（１００×標準偏差／平均値）をいう。
【０００９】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶基板において、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを１０％未満とすることができる。ここで、キャリア移動度のばらつきとは、キャリア移動度の平均値に対する標準偏差の百分率（１００×標準偏差／平均値）をいう。
【００１０】
さらに、本発明にかかるＧａＡｓ結晶基板において、ＧａＡｓ結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、８００℃〜１０００℃で１０時間〜５０時間の熱処理をしたものとすることができる。また、熱処理の時間を２０時間〜５０時間とすることができる。また、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにおけるＧａＡｓ結晶の成長条件は、融液側の温度勾配を１〜２℃／ｃｍとし、結晶側の温度勾配が５〜６℃／ｃｍとすることができる。また、熱処理は不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことができる。
【発明の効果】
【００１１】
上記のように、本発明によれば、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理方法は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶を８００℃〜１０００℃で、１０時間〜５０時間熱処理する方法である。かかる条件の熱処理を施すことにより、比抵抗の高いＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗および／またはキャリア移動度のばらつきを低減することができる。
【００１３】
ここで、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶は、その製造方法には特に制限はないが、以下の方法により得ることができる。たとえば、特開平１０−３６１９７号公報にも開示されているように、縦型ブリッジマン法（Vertical Bridgman method；以下、ＶＢ法という）、縦型温度傾斜法（Vertical Gradient Freeze method；以下、ＶＧＦ法という）などの結晶成長方法において、結晶成長容器内に種結晶、ＧａＡｓ原料および封止剤としての酸化ホウ素とともにドーパント原料として所定量のカーボンを収納し、炭素原子を含むＧａＡｓ融液を種結晶に接触させて形成し、このＧａＡｓ融液から種結晶上に炭素原子をドーパントとして含むＧａＡｓ結晶を成長させる。
【００１４】
ここで、炭素原子はアクセプターキャリアとして働き、ＧａＡｓ結晶内のドナーキャリア濃度（たとえば、ＥＬ２濃度）を低減するため、炭素原子をドーピングすることによりＧａＡｓ結晶の比抵抗を高めることができる。上記方法においては、ドーパント原料としてカーボンをＧａＡｓ原料に添加することによって、多量の炭素原子をＧａＡｓ結晶にドーピングすることができ、１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍの高い比抵抗を有するＧａＡｓ結晶の製造が可能となる。
【００１５】
上記のようにして得られた比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶を、８００℃〜１０００℃で、１０時間〜５０時間熱処理する。熱処理温度が８００℃未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理温度が１０００℃を超えるとＥＬ２濃度などのドナーキャリア濃度が変動する。また、処理時間が１０時間未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理時間が５０時間を超えても比抵抗のばらつきの低減は進まない。
【００１６】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理方法において、熱処理を行なう雰囲気には特に制限はないが、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことにより、ＧａＡｓ結晶の酸化劣化を低減することができる。ここで、不活性ガス雰囲気下における不活性ガスは、ＧａＡｓ結晶と反応しないガスであれば特に制限はないが、Ｎ2ガス、Ａｒガスなどが好ましく用いられる。また、減圧雰囲気下における減圧度は、特に制限はないが、１０2Ｐａ〜１０4Ｐａが好ましく用いられる。
【００１７】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理に用いられるＧａＡｓ結晶は、その炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3であることが好ましい。ＧａＡｓ結晶に炭素原子をドーピングして、ＧａＡｓ結晶の炭素濃度を５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3とすることにより、容易にＧａＡｓ結晶の比抵抗を１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍとすることができる。また、このときＧａＡｓ結晶のＥＬ２濃度は、１．０×１０16ｃｍ-3〜１．５×１０16ｃｍ-3となる。
【００１８】
本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは１０％未満となる。ここで、ＧａＡｓ結晶の結晶主面とは、結晶における最大面をいい、基板または電子デバイスに用いられる際の基板の主面または電子デバイスの主面となる。
【００１９】
また、本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきは１０％未満となる。ここで、キャリア移動度μは、ＧａＡｓ結晶の主面に垂直の方向に電界Ｅをかけたときのキャリア速度Ｖとすると、μ＝Ｖ／Ｅ（単位：ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1）で与えられる。ここで、キャリアとは電気伝導に関わる電子および正孔をいう。
【００２０】
本発明に用いられるＧａＡｓ結晶においては、比抵抗とキャリア移動度とには大きな相関関係があって、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのとき、キャリア移動度は１×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1〜７×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1となる。また、本発明にかかる熱処理によって、比抵抗のばらつきが低減するとともに、キャリア移動度のばらつきも低減する。
【００２１】
上記のように、本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理により、比抵抗のばらつきおよびキャリア移動度のばらつきが低減したＧａＡｓ結晶基板が得られる。さらに、このＧａＡｓ結晶基板を用いた電子デバイスのデバイス特性のばらつきが低減し、電子デバイスの歩留まりが向上する。
【００２２】
また、上記ＧａＡｓ結晶基板を電子デバイスの基板などの用いる場合には、結晶のひずみの除去などのためにＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）などの熱処理を行なう場合があり、ＧａＡｓ結晶基板上に半導体層を形成させるためにＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＶＰＥ（Vapor Phase Epitaxy）法などを適用する場合がある。このような場合には、熱処理されたＧａＡｓ結晶が、その後のＲＴＡ、ＭＢＥなどにおいて、さらに熱処理されることになるが、本発明者は、ＲＴＡ、ＭＢＥなどにおける熱処理温度および熱処理時間が、本発明にかかる熱処理の熱処理温度および熱処理時間に比べて低温度および短時間である限り、ＧａＡｓ結晶の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは低く維持されることも確認した。
【００２３】
したがって、本発明にかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶に対して、ＲＴＡを行なう場合は窒素雰囲気下で７００℃〜９００℃程度で１分間〜５分間程度の条件とすることが好ましく、ＭＢＥを行なう場合は減圧雰囲気下で５００℃〜７００℃程度で０．５時間〜２時間程度の条件とすることが好ましい。
【実施例】
【００２４】
以下の実施例および比較例に基づいて、本発明をさらに具体的に説明する。
（比較例１）
ＶＢ法により、以下のようにして比抵抗の高いＧａＡｓ結晶を作製した。すなわち、結晶成長容器として内径１０．１６ｃｍ（４インチ）×高さ２０ｃｍのｐＢＮ（pyrolytic boron nitride）製の坩堝を用いて、この坩堝に、ＧａＡｓ種結晶と、ＧａＡｓ多結晶体（ＧａＡｓ結晶原料）と、カーボン（ドーパント原料）とを収納した。次に、１２４０℃以上に加熱して、ＧａＡｓ、Ｃ（炭素原子）およびＡｓを含む融液を、ＧａＡｓ種結晶に接触するように形成した。次に、この融液と結晶（ＧａＡｓ種結晶または成長させるＧａＡｓ結晶）との界面における結晶成長温度を１２３８℃、融液側の温度勾配を１〜２℃／ｃｍ、結晶側の温度勾配を５〜６℃／ｃｍとして、ＧａＡｓ単結晶を成長させた。結晶成長時間１００時間で、直径１０．１６ｃｍ（４インチ）×高さ２０ｃｍのＧａＡｓ結晶が得られた。
【００２５】
得られたＧａＡｓ結晶を厚さ６００μｍのＧａＡｓ結晶基板にスライスして、ＧａＡｓ結晶の中央部のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度を荷電粒子放射化分析法により測定したところ８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度を赤外光吸収法により測定したところ８．９×１０15ｃｍ-3であった。
【００２６】
また、得られたＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチでそれぞれの位置における比抵抗をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきを算出した。上記比抵抗は平均値が５．５×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が１．２×１０8Ω・ｃｍであり、比抵抗のばらつきは２２％であった。
【００２７】
また、得られたＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチでそれぞれの位置におけるキャリア移動度をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを算出した。上記キャリア移動度は平均値が３．４×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が７．６×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、キャリア移動度のばらつきは２３％であった。結果を表１にまとめた。
【００２８】
（実施例１）
比較例１で得られたＧａＡｓ結晶を、９５０℃で２０時間の熱処理（本発明にかかる熱処理）を行なった。熱処理後のＧａＡｓ結晶を厚さ６００μｍのＧａＡｓ結晶基板にスライスして、ＧａＡｓ結晶の中央部のＧａＡｓ結晶基板を取り出した。
【００２９】
得られたＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が３．９×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が２．９×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは７％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が４．６×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が１．７×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは４％であった。結果を表１にまとめた。
【００３０】
（比較例２）
比較例１で得られたＧａＡｓ結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、８００℃、２分間の条件で、ＲＴＡを行なった。ＲＴＡ後のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が４．４×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が７．１×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは１６％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が２．２×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が９．４×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは４３％であった。結果を表１にまとめた。
【００３１】
（実施例２）
実施例１で得られたＧａＡｓ結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、８００℃、２分間の条件で、ＲＴＡを行なった。ＲＴＡ後のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が３．５×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が３．０×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは９％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が３．６×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が１．７×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは５％であった。結果を表１にまとめた。
【００３２】
【表１】
【００３３】
表１において比較例１と実施例１とを対比すると、比抵抗の平均値が５．５×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶に本発明にかかる熱処理を行なうことにより、ＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは２２％から７％に低減し、キャリア移動度のばらつきは２３％から４％に低減した。このような比抵抗およびキャリア移動度のばらつき低減により、かかるＧａＡｓ結晶を基板として用いた電子デバイスのデバイス特性が著しく安定する。
【００３４】
また、比較例２と実施例２とを対比すると、本発明にかかる熱処理を行なわずにＲＴＡを行なったＧａＡｓ結晶基板においては、比抵抗のばらつきが１６％、キャリア移動度のばらつきが４３％であったのに対し、本発明にかかる熱処理を行なった後にＲＴＡを行なったＧａＡｓ結晶基板においては、比抵抗のばらつきが９％、キャリア移動度のばらつきが５％と、いずれもばらつきが低減した。
【００３５】
すなわち、実施例２に示すように、本発明をかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でＲＴＡを行なっても、ＧａＡｓ結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったＧａＡｓ結晶基板に比べて、低く維持された。同様に、本発明にかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でＭＢＥ成長と同一の熱履歴の熱処理を行なっても、ＧａＡｓ結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったＧａＡｓ結晶基板に比べて、低く維持された。
【００３６】
なお、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子素子の基板などに用いられるＧａＡｓ結晶基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半絶縁性ＧａＡｓ結晶は、高速動作および低消費電力を必要とする電子デバイス用の基板材料として用いられている。かかるＧａＡｓ結晶の結晶面内における結晶特性のばらつきが大きいと、そのＧａＡｓ結晶を用いて作製された電子デバイスのデバイス特性のばらつきも大きくなり、電子デバイスの歩留まりが低下する。
【０００３】
このため、結晶特性のばらつきを低減させるために、結晶成長後のＧａＡｓ結晶インゴットまたはＧａＡｓ結晶ウエハに熱処理を行なうことが提案されている。現在までに、炭素濃度が０．５×１０15ｃｍ-3〜２．５×１０15ｃｍ-3で、１．５×１０7Ω・ｃｍ程度の比抵抗を有するＧａＡｓ結晶について、所定の条件の熱処理を行なうことにより、比抵抗の面内分布のばらつきを１０％未満とすることが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、電子デバイスにおいてより高速動作化、低消費電力化が求められ、半絶縁性ＧａＡｓ結晶にもより高い比抵抗が求められている。ＧａＡｓ結晶の比抵抗を高くするほど、ＧａＡｓ結晶中のキャリア濃度は低くなるため、ＧａＡｓ結晶内における比抵抗のばらつき、キャリアの移動度のばらつきなどが大きくなる。
【０００５】
特に、比抵抗が従来よりも１桁以上高い１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような半導体領域から絶縁体領域に位置する半絶縁性ＧａＡｓ結晶において、比抵抗のばらつきおよびキャリア移動度のばらつきを低減する方法については、今まで知られていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６８９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記状況に鑑みて、本発明は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満であるＧａＡｓ結晶基板である。ここで、比抵抗のばらつきとは、比抵抗の平均値に対する標準偏差の百分率（１００×標準偏差／平均値）をいう。
【０００９】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶基板において、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを１０％未満とすることができる。ここで、キャリア移動度のばらつきとは、キャリア移動度の平均値に対する標準偏差の百分率（１００×標準偏差／平均値）をいう。
【００１０】
さらに、本発明にかかるＧａＡｓ結晶基板において、ＧａＡｓ結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、８００℃〜１０００℃で１０時間〜５０時間の熱処理をしたものとすることができる。また、熱処理の時間を２０時間〜５０時間とすることができる。また、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにおけるＧａＡｓ結晶の成長条件は、融液側の温度勾配を１〜２℃／ｃｍとし、結晶側の温度勾配が５〜６℃／ｃｍとすることができる。また、熱処理は不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことができる。
【発明の効果】
【００１１】
上記のように、本発明によれば、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理方法は、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶を８００℃〜１０００℃で、１０時間〜５０時間熱処理する方法である。かかる条件の熱処理を施すことにより、比抵抗の高いＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗および／またはキャリア移動度のばらつきを低減することができる。
【００１３】
ここで、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶は、その製造方法には特に制限はないが、以下の方法により得ることができる。たとえば、特開平１０−３６１９７号公報にも開示されているように、縦型ブリッジマン法（Vertical Bridgman method；以下、ＶＢ法という）、縦型温度傾斜法（Vertical Gradient Freeze method；以下、ＶＧＦ法という）などの結晶成長方法において、結晶成長容器内に種結晶、ＧａＡｓ原料および封止剤としての酸化ホウ素とともにドーパント原料として所定量のカーボンを収納し、炭素原子を含むＧａＡｓ融液を種結晶に接触させて形成し、このＧａＡｓ融液から種結晶上に炭素原子をドーパントとして含むＧａＡｓ結晶を成長させる。
【００１４】
ここで、炭素原子はアクセプターキャリアとして働き、ＧａＡｓ結晶内のドナーキャリア濃度（たとえば、ＥＬ２濃度）を低減するため、炭素原子をドーピングすることによりＧａＡｓ結晶の比抵抗を高めることができる。上記方法においては、ドーパント原料としてカーボンをＧａＡｓ原料に添加することによって、多量の炭素原子をＧａＡｓ結晶にドーピングすることができ、１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍの高い比抵抗を有するＧａＡｓ結晶の製造が可能となる。
【００１５】
上記のようにして得られた比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶を、８００℃〜１０００℃で、１０時間〜５０時間熱処理する。熱処理温度が８００℃未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理温度が１０００℃を超えるとＥＬ２濃度などのドナーキャリア濃度が変動する。また、処理時間が１０時間未満であると比抵抗のばらつきの低減は小さく、処理時間が５０時間を超えても比抵抗のばらつきの低減は進まない。
【００１６】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理方法において、熱処理を行なう雰囲気には特に制限はないが、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことが好ましい。不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なうことにより、ＧａＡｓ結晶の酸化劣化を低減することができる。ここで、不活性ガス雰囲気下における不活性ガスは、ＧａＡｓ結晶と反応しないガスであれば特に制限はないが、Ｎ2ガス、Ａｒガスなどが好ましく用いられる。また、減圧雰囲気下における減圧度は、特に制限はないが、１０2Ｐａ〜１０4Ｐａが好ましく用いられる。
【００１７】
本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理に用いられるＧａＡｓ結晶は、その炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3であることが好ましい。ＧａＡｓ結晶に炭素原子をドーピングして、ＧａＡｓ結晶の炭素濃度を５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3とすることにより、容易にＧａＡｓ結晶の比抵抗を１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍとすることができる。また、このときＧａＡｓ結晶のＥＬ２濃度は、１．０×１０16ｃｍ-3〜１．５×１０16ｃｍ-3となる。
【００１８】
本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは１０％未満となる。ここで、ＧａＡｓ結晶の結晶主面とは、結晶における最大面をいい、基板または電子デバイスに用いられる際の基板の主面または電子デバイスの主面となる。
【００１９】
また、本発明にかかる熱処理を行なうことにより、熱処理後のＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきは１０％未満となる。ここで、キャリア移動度μは、ＧａＡｓ結晶の主面に垂直の方向に電界Ｅをかけたときのキャリア速度Ｖとすると、μ＝Ｖ／Ｅ（単位：ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1）で与えられる。ここで、キャリアとは電気伝導に関わる電子および正孔をいう。
【００２０】
本発明に用いられるＧａＡｓ結晶においては、比抵抗とキャリア移動度とには大きな相関関係があって、比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍのとき、キャリア移動度は１×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1〜７×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1となる。また、本発明にかかる熱処理によって、比抵抗のばらつきが低減するとともに、キャリア移動度のばらつきも低減する。
【００２１】
上記のように、本発明にかかるＧａＡｓ結晶の熱処理により、比抵抗のばらつきおよびキャリア移動度のばらつきが低減したＧａＡｓ結晶基板が得られる。さらに、このＧａＡｓ結晶基板を用いた電子デバイスのデバイス特性のばらつきが低減し、電子デバイスの歩留まりが向上する。
【００２２】
また、上記ＧａＡｓ結晶基板を電子デバイスの基板などの用いる場合には、結晶のひずみの除去などのためにＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）などの熱処理を行なう場合があり、ＧａＡｓ結晶基板上に半導体層を形成させるためにＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＶＰＥ（Vapor Phase Epitaxy）法などを適用する場合がある。このような場合には、熱処理されたＧａＡｓ結晶が、その後のＲＴＡ、ＭＢＥなどにおいて、さらに熱処理されることになるが、本発明者は、ＲＴＡ、ＭＢＥなどにおける熱処理温度および熱処理時間が、本発明にかかる熱処理の熱処理温度および熱処理時間に比べて低温度および短時間である限り、ＧａＡｓ結晶の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは低く維持されることも確認した。
【００２３】
したがって、本発明にかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶に対して、ＲＴＡを行なう場合は窒素雰囲気下で７００℃〜９００℃程度で１分間〜５分間程度の条件とすることが好ましく、ＭＢＥを行なう場合は減圧雰囲気下で５００℃〜７００℃程度で０．５時間〜２時間程度の条件とすることが好ましい。
【実施例】
【００２４】
以下の実施例および比較例に基づいて、本発明をさらに具体的に説明する。
（比較例１）
ＶＢ法により、以下のようにして比抵抗の高いＧａＡｓ結晶を作製した。すなわち、結晶成長容器として内径１０．１６ｃｍ（４インチ）×高さ２０ｃｍのｐＢＮ（pyrolytic boron nitride）製の坩堝を用いて、この坩堝に、ＧａＡｓ種結晶と、ＧａＡｓ多結晶体（ＧａＡｓ結晶原料）と、カーボン（ドーパント原料）とを収納した。次に、１２４０℃以上に加熱して、ＧａＡｓ、Ｃ（炭素原子）およびＡｓを含む融液を、ＧａＡｓ種結晶に接触するように形成した。次に、この融液と結晶（ＧａＡｓ種結晶または成長させるＧａＡｓ結晶）との界面における結晶成長温度を１２３８℃、融液側の温度勾配を１〜２℃／ｃｍ、結晶側の温度勾配を５〜６℃／ｃｍとして、ＧａＡｓ単結晶を成長させた。結晶成長時間１００時間で、直径１０．１６ｃｍ（４インチ）×高さ２０ｃｍのＧａＡｓ結晶が得られた。
【００２５】
得られたＧａＡｓ結晶を厚さ６００μｍのＧａＡｓ結晶基板にスライスして、ＧａＡｓ結晶の中央部のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度を荷電粒子放射化分析法により測定したところ８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度を赤外光吸収法により測定したところ８．９×１０15ｃｍ-3であった。
【００２６】
また、得られたＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチでそれぞれの位置における比抵抗をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきを算出した。上記比抵抗は平均値が５．５×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が１．２×１０8Ω・ｃｍであり、比抵抗のばらつきは２２％であった。
【００２７】
また、得られたＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチでそれぞれの位置におけるキャリア移動度をホール測定法により測定することにより、結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきを算出した。上記キャリア移動度は平均値が３．４×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が７．６×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、キャリア移動度のばらつきは２３％であった。結果を表１にまとめた。
【００２８】
（実施例１）
比較例１で得られたＧａＡｓ結晶を、９５０℃で２０時間の熱処理（本発明にかかる熱処理）を行なった。熱処理後のＧａＡｓ結晶を厚さ６００μｍのＧａＡｓ結晶基板にスライスして、ＧａＡｓ結晶の中央部のＧａＡｓ結晶基板を取り出した。
【００２９】
得られたＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が３．９×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が２．９×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは７％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が４．６×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が１．７×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは４％であった。結果を表１にまとめた。
【００３０】
（比較例２）
比較例１で得られたＧａＡｓ結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、８００℃、２分間の条件で、ＲＴＡを行なった。ＲＴＡ後のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が４．４×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が７．１×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは１６％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が２．２×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が９．４×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは４３％であった。結果を表１にまとめた。
【００３１】
（実施例２）
実施例１で得られたＧａＡｓ結晶基板に、さらに、窒素雰囲気下、８００℃、２分間の条件で、ＲＴＡを行なった。ＲＴＡ後のＧａＡｓ結晶基板の炭素原子濃度は８．０×１０15ｃｍ-3であり、ＥＬ２濃度は１．２×１０16ｃｍ-3であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置における比抵抗は、平均値が３．５×１０8Ω・ｃｍ、標準偏差が３．０×１０7Ω・ｃｍであり、結晶基板主面内における比抵抗のばらつきは９％であった。また、このＧａＡｓ結晶基板の面内において１０ｍｍピッチ毎の位置におけるキャリア移動度は、平均値が３．６×１０3ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1、標準偏差が１．７×１０2ｃｍ2・Ｖ-1・sec-1であり、結晶基板主面内におけるキャリア移動度のばらつきは５％であった。結果を表１にまとめた。
【００３２】
【表１】
【００３３】
表１において比較例１と実施例１とを対比すると、比抵抗の平均値が５．５×１０8Ω・ｃｍのＧａＡｓ結晶に本発明にかかる熱処理を行なうことにより、ＧａＡｓ結晶の結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきは２２％から７％に低減し、キャリア移動度のばらつきは２３％から４％に低減した。このような比抵抗およびキャリア移動度のばらつき低減により、かかるＧａＡｓ結晶を基板として用いた電子デバイスのデバイス特性が著しく安定する。
【００３４】
また、比較例２と実施例２とを対比すると、本発明にかかる熱処理を行なわずにＲＴＡを行なったＧａＡｓ結晶基板においては、比抵抗のばらつきが１６％、キャリア移動度のばらつきが４３％であったのに対し、本発明にかかる熱処理を行なった後にＲＴＡを行なったＧａＡｓ結晶基板においては、比抵抗のばらつきが９％、キャリア移動度のばらつきが５％と、いずれもばらつきが低減した。
【００３５】
すなわち、実施例２に示すように、本発明をかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でＲＴＡを行なっても、ＧａＡｓ結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったＧａＡｓ結晶基板に比べて、低く維持された。同様に、本発明にかかる熱処理を行なったＧａＡｓ結晶基板に、その熱処理温度よりも低い温度およびその熱処理時間よりも短い時間でＭＢＥ成長と同一の熱履歴の熱処理を行なっても、ＧａＡｓ結晶基板の比抵抗およびキャリア移動度のばらつきは、本発明にかかる熱処理を行なわなかったＧａＡｓ結晶基板に比べて、低く維持された。
【００３６】
なお、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満であるＧａＡｓ結晶基板。
【請求項２】
結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきが１０％未満であるとなる請求項１に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項３】
前記ＧａＡｓ結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、８００℃〜１０００℃で１０時間〜５０時間の熱処理をしたものである請求項１または請求項２に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項４】
前記熱処理の時間が２０時間〜５０時間である請求項３に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項５】
前記縦型ブリッジマン法および前記縦型温度傾斜法のいずれかにおける前記ＧａＡｓ結晶の成長条件は、融液側の温度勾配が１〜２℃／ｃｍであり、結晶側の温度勾配が５〜６℃／ｃｍである請求項３または請求項４に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項６】
前記熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なう請求項３から請求項５のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項１】
比抵抗が１×１０8Ω・ｃｍ〜８×１０8Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０15ｃｍ-3〜１×１０16ｃｍ-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満であるＧａＡｓ結晶基板。
【請求項２】
結晶主面に平行な面内におけるキャリア移動度のばらつきが１０％未満であるとなる請求項１に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項３】
前記ＧａＡｓ結晶は、縦型ブリッジマン法および縦型温度傾斜法のいずれかにより成長させた後、８００℃〜１０００℃で１０時間〜５０時間の熱処理をしたものである請求項１または請求項２に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項４】
前記熱処理の時間が２０時間〜５０時間である請求項３に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項５】
前記縦型ブリッジマン法および前記縦型温度傾斜法のいずれかにおける前記ＧａＡｓ結晶の成長条件は、融液側の温度勾配が１〜２℃／ｃｍであり、結晶側の温度勾配が５〜６℃／ｃｍである請求項３または請求項４に記載のＧａＡｓ結晶基板。
【請求項６】
前記熱処理は、不活性ガス雰囲気下または減圧雰囲気下で行なう請求項３から請求項５のいずれかに記載のＧａＡｓ結晶基板。
【公開番号】特開２０１１−２１９３６２（Ｐ２０１１−２１９３６２Ａ）
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１６１７６５（Ｐ２０１１−１６１７６５）
【出願日】平成２３年７月２５日（２０１１．７．２５）
【分割の表示】特願２００４−３０６７１８（Ｐ２００４−３０６７１８）の分割
【原出願日】平成１６年１０月２１日（２００４．１０．２１）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１１月４日（２０１１．１１．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月２５日（２０１１．７．２５）
【分割の表示】特願２００４−３０６７１８（Ｐ２００４−３０６７１８）の分割
【原出願日】平成１６年１０月２１日（２００４．１０．２１）
【出願人】（０００００２１３０）住友電気工業株式会社 (12,747)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]