【課題】従来の蛍石に比べてレーザ耐久性がより一層優れた蛍石を提供する。
【解決手段】蛍石の（１１１）面をエッチングして得られるエッチピットの分布において、各エッチピットを母点としてVoronoi図を定義したとき（Voronoi分割）のVoronoi領域の面積（「Voronoi面積」と記す）の標準偏差が６０００μｍ^２以下であるか、或いは、（１１１）面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が８０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】水平ボート法を用いて形成されたインゴットから十分な薄さの化合物半導体基板を低コストで得ることが可能な化合物半導体単結晶基板の製造方法および当該化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶基板の製造方法は、（１１１）方向に水平ボート法を用いて形成された化合物半導体からなる単結晶インゴット１を準備する工程と、当該インゴット１を治具により固定する工程と、治具により固定されたインゴット１を、ワイヤソーを用いて（１００）±７°または（５１１）±７°の面方位で、ワイヤソーのワイヤ７を（０１−１）方向に往復に送りながら、治具により固定されたインゴット１をワイヤ７の往復方向と直行する方向に上昇させて、ワイヤ７を用いてスライスする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さい遅延時間定数、特に少なくともＣｅ：ＬＳＯと同等な遅延時間定数を有することができる物質を与える。
【解決手段】本発明は、一般式Ｍ_1−xＣｅ_xＢｒ₃の無機シンチレーション物質に関する。ここで、Ｍは、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、特にＬａ、Ｇｄからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、またｘは、セリウムによるＭの置換の程度であり、０．０１ｍｏｌ％又はそれよりも大きく、厳密に１００ｍｏｌ％未満である。また本発明は、単結晶シンチレーション物質を成長させる方法、並びに産業、医療及び／又は原油掘削探知の用途のためのシンチレーション検知器の部品としてシンチレーション物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】紫外線放射に対して高い耐放射線性を有するフッ化物結晶、特にフッ化カルシウム結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物を含有する結晶粉末６を供給して結晶原料塊を形成するステップと、結晶原料塊を結晶成長ユニット内で溶融するステップと、溶融した結晶原料塊を冷却により凝固させるステップと、を含む方法。複合フルオロ酸のアンモニウム塩７及び脂肪族アルコール８を前記結晶粉末６又は前記結晶原料塊に添加して、酸化物系不純物を減らす。この方法により製造したフッ化物結晶、及び該フッ化物結晶から形成した光学コンポーネント。 （もっと読む）

【課題】フッ化カルシウム単結晶体のレーザー耐性を向上させるために、その原料となるフッ化カルシウムのレーザー耐性を向上させる精製方法を提供する。
【解決手段】気密化可能な精製炉を用い、原料フッ化カルシウムを溶融させた後、降温することにより凝固させるフッ化カルシウム単結晶体育成用の原料フッ化カルシウムの精製方法において、少なくとも降温開始時から凝固点以下、１２００℃以上の所定の温度に到達するまでの間は、炉内を真空排気された状態とし、かつ該所定の温度に到達した後に精製炉内にフッ素系ガスを導入するとともに、少なくとも、１０００℃から５００℃までの間は、降温速度を５０℃／ｈｒよりも遅くする。前記の原料フッ化カルシウムの精製方法により、レーザー誘起吸収（ＬＩＡ）は、２００〜８００ｎｍの波長領域において、ピークトップが０．００２以下に大幅に低減し、レーザー照射後のカラーセンターの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】波長１．０６μｍ域（０．９〜１．１μｍ）でのベルデ定数が大きく、かつ、高い透明性を有する、酸化テルビウムを含む酸化物を主成分として含有する磁気光学材料を提供すること、及び、加工機用ファイバーレーザに好適に使用される小型化した光アイソレータを提供すること。
【解決手段】下記式（Ｉ）で表される酸化物を９９％以上含有することを特徴とする磁気光学材料。
（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、テルビウム以外のランタノイド元素群よりなる集合から選択された少なくとも１つの元素を含む。） （もっと読む）

【課題】 光リソグラフィー装置などに用いられるフッ化金属単結晶（フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなど）のレーザー耐久性を、比較的短期間で、かつ高精度に評価する。
【解決手段】 ＡｒＦレーザー等の実際の使用条件での波長のレーザー光のパルス照射と、該レーザー光照射後の光透過率（Ｔ）の測定とを、試料に環境光の当たらない暗環境下で、繰り返して２回以上行い、パルス照射回数（Ｘ）と、初期値に比しての光透過率の低下から求めた差分吸光度の２００〜８００ｎｍの範囲での積分値（Ｙ）とから、Ｙ＝ａＸ＋ｂの関係を求める。得られる傾き（ａ）の大きさからレーザー耐久性を評価する。暗環境下で行うことにより精度が格段に向上する。なお傾きの小さなものほどレーザー耐久性に優れたフッ化金属単結晶である。 （もっと読む）

【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】 半導体リソグラフィー装置の光学系に用いるレンズ、プリズム、窓材等の真空紫外光を透過させて使用するフッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を簡便に高精度で評価する。
【解決手段】 フッ化カルシウム単結晶の透過スペクトルを測定し、前記透過スペクトルにおける、亜鉛不純物濃度を評価するための基準透過率となる吸収波長を、該透過スペクトルにおける吸収波長が１２０〜２００ｎｍの範囲から決定し、該吸収波長の変化により、前記フッ化カルシウム単結晶中の亜鉛不純物濃度を決決定する。この方法により高度な分析技術の必要なＩＣＰ質量分析等の精密化学分析に比べて、非破壊で、短時間かつ簡便に亜鉛不純物濃度を評価することができる。 （もっと読む）

本発明は、９９．９９％以上の純度を有するαアルミナに関する。このαアルミナは、大部分が８５０μｍ以上のサイズを有し、球形粒子（１）の形状をしている。本発明はまた、上記で定義したαアルミナの使用形態と、関連する合成方法および装置とに関する。
【参考図】図１
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【課題】 特に、室温よりも高い温度、具体的には、擬立方晶と正方晶との間の変態温度
Ｔ_rtとするとき、Ｔ_rt〜（Ｔ_rt−20）℃の特定の高温域（例えば50〜70℃程度）で、圧電
特性に優れた圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】 ［Pb(Mg, Nb)O₃］_(1-X)・［PbTiO₃］_(X)：(Ｘ＝0.26〜0.29)の組成をもち
、かつ複合ペロブスカイト構造を有する単結晶からなり、25℃における比誘電率の値が50
00以上であり、前記単結晶の擬立方晶と正方晶との間の変態温度における比誘電率の値が
、25℃における比誘電率の値の2.5倍以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータなどの磁気光学デバイスを構成するのに好適な酸化物及びこの酸化物を備えた磁気光学デバイスを提供する。
【解決手段】（Ｔｂ_xＲ_1-x）₂Ｏ₃（ｘは、０．４≦ｘ≦１．０であり、Ｒは、スカンジウム、イットリウム、ランタン、ユウロピウム、ガドリニウム、イッテルビウム、ホルミウム、及び、ルテチウムよりなる群から選択された少なくとも１つの元素を含む）で表される酸化物を主成分とする単結晶あるいはセラミックスであって、波長１．０６μｍでのベルデ定数が０．１８ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上であり、かつ、波長１．０６μｍ、光路長３ｍｍでの透過率が７０％以上である。前記酸化物は光アイソレータ３００のファラデー回転子３１０として使用され、該ファラデー回転子３１０の前後に、偏光材料である偏光子３２０及び検光子３３０が備えられる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 （もっと読む）

【課題】るつぼ内で凝固して当該るつぼの内面に付着した固体物質を十分且つ効率的に取り除くことが可能な方法及びこれを用いたるつぼ再生方法を提供する。
【解決手段】るつぼ２０内で凝固して当該るつぼ２０の内面に付着した除去対象物質Ｓの除去方法であって、除去対象物質Ｓとともに当該除去対象物質Ｓの融点よりも低い温度で液相を形成する添加物質を、るつぼ２０内に供給する供給工程と、るつぼ２０を加熱して当該るつぼ２０内の除去対象物質Ｓ及び添加物質を融解させる加熱工程と、除去対象物質Ｓと添加物質とを含有する融液をるつぼ内から排出する排出工程とを備える。 （もっと読む）

約３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面内熱伝導率、および約２Ｗ／ｍ・Ｋ以下の面間熱伝導率を有する熱分解窒化ホウ素材料が開示される。その密度は、１．８５ｇ／ｃｃ未満である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用の液浸式露光装置のラストレンズ等として有用であり、２００ｎｍ以下の真空紫外光の透過性に優れたＢａＬｉＦ3単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＢａＬｉＦ₃単結晶体をＬｉ過剰な溶融液を原料として融液成長法で製造する場合に、ＢａＦ₂とＬｉＦとＭｇＦ₂とからなり、これらの含有比率がモル基準で、Ｂａ／（Ｂａ＋Ｌｉ＋Ｍｇ）が０．３５〜０．４８の範囲であり、かつＭｇ／（Ｌｉ＋Ｍｇ）が０．００１〜０．０３の範囲にある溶融液を調製し、この原料溶融液を用いて単結晶体を育成する。これによりＬｉ成分の析出に起因する白濁が低下し、良好な光透過率がえられる。また、育成後のＢａＬｉＦ3単結晶をアニール処理し歪除去をおこなえば、単結晶体中の白濁をさらに低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 面内の組成が均一で、極めて低温ではない温度領域（０℃以上）にて、高い発光効率を有するアップコンバージョン材料をフッ化物バルク単結晶で実現すること。
【解決手段】 Ｍ_ｘＹｂ_ｙＣａ_{（1−ｘ−ｙ）}Ｆ_{２＋ｘ＋ｙ}で表されることを特徴とするアップコンバージョン用フッ化物バルク単結晶材料。ただし、結晶中の酸素濃度が１０００重量ｐｐｍ以下であり、さらに０．０１００＜ｘ＜０．３０００、０．０００５＜ｙ＜０．３０００。（ＭはＥｒ，Ｐｒ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎから選ばれた１種又は２種以上の希土類元素、あるいは遷移金属） （もっと読む）

【課題】ＩＩ−ＶＩ族の固体の半導体材料の沈殿物を除去するアニーリング法を提供する。
【解決手段】アニールによってＩＩ−ＶＩ族固体の半導体材料２中に含まれる沈殿物３を除去するための方法である。固体の半導体材料２が合同の昇華固体の半導体材料２であり、下記の一連の段階が実行される。固体の半導体材料２は温度Ｔまで不活性ガスフロー８の下で加熱される。温度Ｔは、ＩＩ−ＶＩ族化合物／ＶＩ族元素の共晶に対応する第１の温度Ｔ_１と、最大の合同の昇華温度に対応する第２の温度Ｔ_２との間にある。固体材料２は、沈殿物３を除去するのに十分な期間に中性ガスフロー８の下で、この温度Ｔで保たれる。固体の半導体材料２は、冷却中に固体材料２がその合同の昇華線に合致するような割合で、温度Ｔから周辺温度まで不活性ガスフロー８の下で冷やされる。沈殿物３の無い固体の半導体材料２が回収される。 （もっと読む）

本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびＣＺ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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【課題】高い性能指数を有するＭｎＳｉ_ｙ（１.７≦ｙ≦１.８）系のＰ型熱電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】この熱電材料の製造方法は、原料として、母材であるマンガンシリサイドＭｎＳｉ_ｙの化学量論的組成を満たすマンガン及びシリコンと、母材に添加されるゲルマニウムと、母材に添加される不純物とを用意する工程であって、ゲルマニウムを、シリコン及びゲルマニウムの和の０.３ａｔ.％〜１ａｔ.％に相当する量だけ用意する工程と、原料を溶融することにより溶融物とする工程と、該溶融物を、０℃／分より大きく、１．５℃／分以下の冷却速度で冷却することにより、結晶成長させる工程とを含む。 （もっと読む）