【課題】昇華ガスによる欠陥およびクラックの発生を抑制する炭化珪素単結晶材の焼鈍方法を提供する。
【解決手段】焼鈍用容器１６の収容部１９に、焼鈍用容器１６から離間するように炭化珪素単結晶材２０を配置し、焼鈍用容器１６と炭化珪素単結晶材２０との間に炭化珪素単結晶材２０全体を覆うように高熱伝導性の充填材粉末１８を充填した後、焼鈍用容器１６を外部から加熱して、炭化珪素単結晶材２０を焼鈍する炭化珪素単結晶材２０の焼鈍方法。 （もっと読む）

【課題】表面が（１１１）面であり、ペロブスカイト構造を有する結晶基板を高い確率で平坦化することができる結晶表面の平坦化方法を提供する。
【解決手段】結晶の表面を、フッ化アンモニウムを含有するエッチング液でエッチングする工程Ｓ２０と、結晶を不活性ガス中でアニール処理する工程Ｓ３０とを備える。エッチング工程Ｓ２０の前に、結晶の表面を有機溶剤で洗浄する工程Ｓ１０を備えるのが好ましい。結晶は、例えばチタン酸ストロンチウムである。 （もっと読む）

【課題】良好なゲッタリング特性を有し、電子デバイスの集積のために重要な領域において実質的に欠陥のない単結晶シリコンからなる半導体ウェハを提供し、かつ前記半導体ウェハを高い歩留まりで提供できる極めて経済的な方法を提供する。
【解決手段】窒素でドープされていて、ＯＳＦ領域及びＰ_v領域を有し、その際、前記ＯＳＦ領域は、前記半導体ウェハの中心から前記半導体ウェハの縁部の方向に向かってＰ_v領域にまで延在し；少なくとも３．５×１０⁸ｃｍ^-3のバルク中のＢＭＤ密度を有し、３より大きくないＢＭＤ_max／ＢＭＤ_minの商により表される変動幅を有する前記ＢＭＤ密度の半径方向の分布を有し、その際、ＢＭＤ_max及びＢＭＤ_minは、それぞれ最大のＢＭＤ密度もしくは最小のＢＭＤ密度を表し；１０ｃｍ^-2より低いＯＳＦ密度を有する、単結晶シリコンからなる半導体ウェハ。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有するＳＯＩ基板を製造する際に用いられる表面に比較的小さなサイズの欠陥が無い半導体基板、及び、この半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板は、シリコン基板の表面に、シリコン酸化膜、シリコン単結晶層を順次備えてなるＳＯＩ構造を有するＳＯＩ基板を製造する際に用いられる半導体基板１であり、その表面１ａの近傍に、厚みが１０μｍ以下のシリコン単結晶層からなる窒素を含有しない領域２が形成され、この領域２を除く部分である窒素を含有する領域３の窒素濃度は１×１０^１３〜５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】中性子線の照射を行うことなくほぼ均一な高抵抗を持つＣＺウェーハを高い歩留まりで作製可能な方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ１４の内部に原料となるシリコンの固体層２１ａと液体層２１ｂとを共存させ、固体層２１ａを融解させながら液体層２１ｂからシリコンインゴット２０を引き上げる。シリコンインゴット２０から切り出されたシリコンウェーハに対し、格子間酸素密度に応じた酸素雰囲気中アニールを行うことによってＣＯＰを消滅させる。これにより、ドーパントの偏析による抵抗率の変動が抑制され、シリコンインゴットの軸方向における抵抗率を全長の５０％以上に亘って１Ω・ｃｍ以上の高抵抗とすることが可能となる。また、酸素雰囲気中アニールによってＣＯＰが完全に埋め込まれ、消滅する。 （もっと読む）

【課題】育成中に破裂することなく、グローイン欠陥の無いシリコン単結晶を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１１の中心部及び外周部における１３７０〜１３１０℃の軸方向温度勾配の比Ｇc₁／Ｇeが１．２〜１．３となるように育成中の単結晶１１の外周部を冷却する。熱遮蔽体２８下端とシリコン融液１５表面との間のギャップを４０〜１００ｍｍに設定し、パーフェクト領域からなるか或いはこのパーフェクト領域の引上げ時よりも引上げ速度が大きい領域からなるように、単結晶１１の引上げ速度ｖと単結晶１１中心部における融点から１３５０℃までの軸方向温度勾配Ｇc₂との比ｖ／Ｇc₂を０．１６〜０．２０ｍｍ²／(℃・分)に制御する。さらに、単結晶１１の引上げ速度を制御して、固液界面３３上の単結晶１１中心部での熱応力を５０ＭＰａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高密度ＢＭＤを形成するために必要な高濃度の窒素を導入させた窒素ドープシリコンウェーハを簡便に製造することが可能な、窒素ドープシリコンウェーハの製造方法及び該方法により得られる窒素ドープシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明の窒素ドープシリコンウェーハの製造方法は、窒素をドープしていないシリコンウェーハの表面又は裏面のいずれか一方又はその双方をＨＦ水溶液に接触させることにより接触面の表層部分のシリコンを水素で終端させる工程と、水素終端処理後のウェーハを窒素含有雰囲気中、１１００〜１３００℃の温度で１〜１００秒間保持して水素終端処理面の表層から２０μｍまでの深さに５×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度で窒素を導入する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから製造されたシリコンウェーハに対して、酸素ガス分圧が２０％以上１００％以下である酸化性ガス雰囲気中、最高到達温度（Ｔ_１）１３００℃以上１３８０℃で、急速加熱・急速冷却熱処理を行う （もっと読む）

【課題】 急速加熱・急速冷却熱処理時におけるスリップの発生を抑制しつつ、Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥の低減力を向上させることができ、加えて、急速加熱・急速冷却熱処理後、得られるシリコンウェーハの表面荒れも改善することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係わるシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハに対して、酸素ガスを０．０１ｖｏｌ．％以上１．００ｖｏｌ．％以下含有する希ガス雰囲気中、１３００℃以上シリコンの融点以下の第１の温度まで急速昇温し、前記第１の温度を保持する第１の熱処理工程と、前記第１の熱処理工程に続いて、前記第１の温度で、前記希ガス雰囲気から酸素ガスを２０ｖｏｌ．％以上１００ｖｏｌ．％以下含有する酸素ガス含有雰囲気に切り替えて、更に、前記第１の温度で保持した後、前記第１の温度から急速降温する第２の熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）