【課題】破断、クラックおよび反りが防止されしかも大口径の、III族窒化物単結晶成長用のベース基板として有用なIII族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板としてIII族窒化物単結晶層より熱膨張係数が小さい、例えば単結晶シリコンを選択し、III族窒化物単結晶の成長部を単結晶基板の外周から少なくとも５ｍｍ以上内側の領域とし、III族窒化物結晶層の厚みが１００μｍ以上となるように積層体を製造し、積層体を冷却して単結晶基板内部に亀裂を生じせしめてIII族窒化物結晶層を分離し、次いで分離したIII族窒化物結晶層に付着した単結晶基板をフッ硝酸などで溶解除去する。 （もっと読む）

【課題】上層にエピタキシャル層を成長させた場合に、その結晶性を劣化させることのない、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が良好な窒化物系半導体基板を提供する。
【解決手段】基板表面が研磨されたＧａＮ単結晶基板１をＨ2ガスを含んだ雰囲気中、基板温度８００℃以上１０００℃以下で熱処理することにより、基板表面が２モノレイヤーステップ構造となった窒化物系半導体基板が得られる。熱処理の雰囲気中には、適度なエッチングガス、例えばＨＣｌガスが含まれていてもよい。また、エッチングにより基板表面の凹凸が激しくなるような場合は、エッチングを抑制する効果のあるＮＨ3ガスを適度に雰囲気中に混合してもよい。 （もっと読む）

【課題】急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能とする。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法によりシリコン単結晶直胴部をＶｏｉｄ欠陥が存在する領域として育成する引き上げ工程と、スライスされたウェーハにＨ_２ やＡｒとされる非酸化性雰囲気による１１００℃以上で３０ｍｉｎ以上の高温アニール処理を施しデバイス形成領域であるウェーハ表層のＶｏｉｄ欠陥を消滅するＤＺ処理工程と、該ＤＺ処理工程前において、窒素を含まない非酸化性ガス雰囲気として、処理温度９５０℃〜１２００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を熱処理しても、３００℃以上での恒温保持による単結晶の抵抗率の変化が少ない、ランガテイト系単結晶の新しい熱処理方法を提供する。
【解決手段】多結晶出発原料から得られたランガテイト系単結晶を、１０００℃以上１４９０℃以下、且つ、１０時間以上１００時間以下の条件で加熱して、単結晶の表面に異相を析出させる。表面に析出した異相は、熱処理後に除去してもよい。 （もっと読む）

【課題】ＦＬＡアニール処理によるミリ秒アニールでも割れ耐性を有するウェーハを提供する。
【解決手段】鏡面加工されたシリコンウェーハの熱処理によって、シリコンウェーハ各点で生じる応力をＳ（ＭＰａ）、シリコンウェーハ裏面に存在する傷の大きさをＣ（μｍ）とするとき、応力Ｓ×傷の大きさＣ≦３５００（ＭＰａ・μｍ）を満たすようなシリコンウェーハを検査によってスクリーニングし、このスクリーニングをパスしたシリコンウェーハを、最高温度が１１００℃以上シリコンの融点以下で処理時間が１μ秒から１００ｍ秒程度までの条件とされる熱処理工程を有する半導体デバイスの製造プロセスに供する。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスおいて、ウェーハ外周部でデバイスプロセス中で析出形成が起こらず、Slip耐性の優れたシリコンウェーハとその製造方法とを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をチョクラルスキー法によりシリコン単結晶直胴部をＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥領域として育成する引き上げ工程Ｓ１１と、スライスされたウェーハを鏡面加工する鏡面処理工程Ｓ１２と、該鏡面処理工程１２の前後において、窒素を含まない非酸化性ガス雰囲気として、処理温度９５０℃〜１２００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程Ｓ３とを有し、製造されたシリコンエピタキシャルウェーハは、急速昇降温熱処理工程Ｓ５２を有するデバイス製造工程Ｓ５に供される。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて急速昇降温熱処理に供した場合でも、原因となる酸素析出を低減してウェーハ変形発生を防止できるとともに、同時に、ウェーハ強度低下の原因となるボート傷・搬送傷から発生するスリップ伸展をも防止可能なシリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗値が０．０２Ωｃｍ〜１ｋΩｃｍとなるようにボロンがドープされ、初期酸素濃度Ｏｉが、１４．０×１０^１７〜２２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３(Ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）とされたシリコン単結晶基板に対して、その表面にエピタキシャル層を成長するエピタキシャル工程Ｓ２と、該エピタキシャル工程Ｓ２の前後において、処理温度１１５０℃〜１３００℃の範囲、保持時間５ｓｅｃ〜１ｍｉｎの範囲、降温速度１０℃／ｓｅｃ〜０．１℃／ｓｅｃの範囲とされる析出溶解熱処理工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】成形性に優れ鉛を含まない新規な強誘電体を提供すること。
【解決手段】ＢａアルコキシドとＴｉアルコキシドとＫＦとが混合された溶液を、ゾルゲル法によって、１０００℃未満の温度で有機分を除去することにより、ＢａＴｉＯ_３結晶のＢａの一部がＫにＯの一部がＫと同量のＦに置換された結晶粉末を得ることを特徴とするチタン酸バリウム系結晶の製造方法である。６５０℃という低温で仮焼きした場合でも元素置換されたナノ結晶を得ることができ、これを元に焼成してセラミックスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を５０℃／秒以上１４５℃／秒以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】リンをドープするための中性子を照射することなく結晶径方向の面内抵抗率のバラツキを低減することが可能なシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の融点から１３７０℃までの温度勾配を中心部でＧc、外周部でＧeとしたとき、Ｇc／Ｇe≧１とし、るつぼ１３内のシリコン融液に０．２Ｔ以上の水平磁場を印加しながら、前記るつぼ１３の回転速度を１．５ｒｐｍ以下、シリコン単結晶１１の回転速度を７ｒｐｍ以下として、ｎ型ドーパント含有シリコン融液からシリコン単結晶１１を育成する。これにより、シリコン単結晶１１内の格子間酸素濃度が６．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、シリコン単結晶１１の径方向の面内抵抗率のバラツキが５％以下となり、更にシリコン単結晶１１内にサイズが１００ｎｍ以下でかつ密度が３×１０⁶ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるＣＯＰの発生領域を含むシリコン単結晶１１が得られる。 （もっと読む）