【課題】シリコンウェーハに対してＲＴＰを行う際、シリコンウェーハの裏面の外周部をリング状に保持するサセプタを用いても、接触痕やスリップの発生を効果的に抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法の提供。
【解決手段】ウェーハＷの回転数を２５０ｒｐｍ以上３５０ｒｐｍ以下とし、ウェーハＷの半導体デバイスが形成される表面Ｗ１側及び前記表面Ｗ１側に対向する裏面Ｗ２側に不活性ガスを供給し、かつ、最高到達温度を１３００℃以上１４００℃以下として、急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】点欠陥の少ない炭化珪素半導体エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体エピタキシャル基板の製造方法は、オフセット角が２°以上１０°以下である炭化珪素単結晶基板１０を用意する工程と、化学気相堆積法により、１４００℃以上１６５０℃以下の温度で、炭化珪素からなるエピタキシャル層１１を前記炭化珪素単結晶基板上に成長させる工程と、前記エピタキシャル層を１３００℃以上１８００℃以下の温度で熱処理する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】板状酸素析出物を含むシリコンウェーハであってデバイスプロセスにてＬＳＡ処理を行った場合であっても転位の発生を防止することが可能なシリコンウェーハを提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、ＬＳＡ処理を含むデバイスプロセスに供せられるシリコンウェーハであって、ＬＳＡ処理時においてシリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物の対角線長をＳ（ｎｍ）、前記ＬＳＡ処理における最高到達温度をＴ（℃）とした場合、Ｔ×Ｓ^２≦９×１０^６を満たす。本発明によれば、上記の条件でＬＳＡ処理を行うことにより、シリコンウェーハに含まれる板状酸素析出物を起点とした転位の発生を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍのような高い比抵抗を有し、結晶主面に平行な面内における比抵抗値および／またはキャリア移動度のばらつきが低減されたＧａＡｓ結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＧａＡｓ結晶基板は、比抵抗が１×１０⁸Ω・ｃｍ〜８×１０⁸Ω・ｃｍかつ炭素濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3のＧａＡｓ結晶をスライスして得られた、結晶主面に平行な面内における比抵抗のばらつきが１０％未満である。 （もっと読む）

【課題】基底面転位、螺旋転位などの特定の転位欠陥を低減させることができる炭化ケイ素単結晶基板の改質方法、及び炭化ケイ素単結晶基板の改質装置を提供する。
【解決手段】アルゴンガス雰囲気下において、加熱部２０は、本体部１０の内部の温度が摂氏１０００度以上１５００度以下の範囲になるように本体部１０の内部を加熱する。これにより、炭化ケイ素単結晶から切り出された炭化ケイ素単結晶基板５０が内部の温度によって熱せられる。続いて、加圧工程Ｓ２において、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を所定の圧力で所定の期間にわたり加圧する。ここで、炭化ケイ素単結晶基板５０の表面及び裏面を加圧するときの所定の圧力は、０．１ＧＰａ以上１．０ＧＰａ以下の範囲とすることができる。 （もっと読む）

【課題】内燃機関燃焼室内の燃焼圧の測定に有用な高信頼性の燃焼圧センサーの圧電素子に用いることができる、高絶縁、高安定性ＬＴＧＡ単結晶の製造を可能にする方法を提供すること。
【解決手段】Ｌａ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｌ₂Ｏ₃の混合物から調製した多結晶出発原料からＬＴＧＡの単結晶を製造する方法であって、多結晶出発原料として、ｙ（Ｌａ₂Ｏ₃）＋（１−ｘ−ｙ−ｚ）（Ｔａ₂Ｏ₅）＋ｚ（Ｇａ₂Ｏ₃）＋ｘ（Ａｌ₂Ｏ₃）で表される組成（この式中、０＜ｘ≦０．４０／９、３．００／９＜ｙ≦３．２３／９、５．００／９≦ｚ＜５．５０／９である）の混合物を使用し、且つ、結晶育成軸をＺ軸としてＬＴＧＡ単結晶を育成する。育成したＬＴＧＡ単結晶に対し真空熱処理を施すことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部において、ボイド等の結晶欠陥を低減させることができ、また、デバイスプロセスにおける熱的応力等の負荷によるスリップの伸長を抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、酸素濃度が１．４×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上のシリコンウェーハに、酸素含有雰囲気下、最高到達温度を１３２５℃以上シリコンの融点以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】デバイス活性領域となるウェーハの表面部においてＣＯＰ等の結晶欠陥を消滅させることができ、バルク部においてはＢＭＤを高密度で形成させることができ、さらに、ＲＴＰにおいて発生するスリップを抑制することができるシリコンウェーハの熱処理方法が提供される。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハを熱処理する方法において、前記ウェーハの表裏面に酸素含有ガスを供給し、最高到達温度Ｔ１を１３００℃以上シリコンの融点以下とし、前記最高到達温度からの降温速度を７５℃／秒以上１２０℃／秒以下として急速加熱・急速冷却熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】再度、鏡面研磨等を行う必要がなく、デバイス活性領域における酸素濃度の低下を抑制し、かつ、デバイス活性領域の欠陥密度を大きく低減することができるシリコンウェーハの製造方法の提供。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハに対して、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１３９０℃以下の最高到達温度で急速昇降温熱処理を行う工程と、前記熱処理を行ったシリコンウェーハの半導体デバイスが形成される表面側におけるデバイス活性領域の表面部に対して、不活性ガス雰囲気中、レーザー光を照射して、１２００℃以上１３５０℃以下の最高到達温度でレーザー熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）