【課題】表層にＲＩＥ欠陥がなく、かつライフタイムが十分長いシリコン基板の製造方法及びシリコン基板を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成したシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン基板に、急速加熱・急速冷却装置を用いて、１３００℃より高くかつシリコン融点以下の温度で１〜６０秒保持して急速熱処理を施した後、６００〜８００℃の範囲の温度まで降温速度５〜１５０℃／ｓｅｃで一段目の降温工程を行い、その後、冷却時間Ｘ秒と降温速度Ｙ℃／ｓｅｃが、Ｘ＜１００の場合はＹ≦０．１５Ｘ−４．５を、Ｘ≧１００の場合はＹ≦１０を満たすように二段目の降温工程を行うシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】大口径に対応可能なＣＺ法で製造したＶ領域のウェーハを用いて、バルク中の欠陥を無欠陥とし、さらに中性子照射を行わなくても、中性子照射を行った場合と同程度の面内抵抗率分布とすることにより、ＩＧＢＴ向けに適用可能な低コストのシリコン単結晶ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたＶ領域のシリコン単結晶インゴットから得られた酸素濃度７ｐｐｍａ未満、窒素濃度１×１０^１３〜１×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のシリコン単結晶ウェーハに対して、非窒化性雰囲気下、１１５０〜１３００℃で、１〜１２０分の熱処理を行うことにより、バルク中の１５ｎｍ以上の結晶欠陥の密度が２×１０６／ｃｍ３以下となる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が高く、比抵抗の面内均一性が良く、比抵抗のバラツキが小さいウエハを取得可能なｐ型シリコン単結晶をチョクラルスキー法により製造するシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。結晶中心部の冷却速度に対する結晶エッジ部の冷却速度の比を１．４以上２．０以下にすることにより、生産性を維持しつつ引上中心軸と垂直な断面における比抵抗変化率を３％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 融液凝固法で育成したフッ化金属単結晶のレーザー耐性を向上させるための熱処理方法を提供する。
【解決手段】 気密化可能な熱処理炉を用い、その融点がＸ_melt℃であるフッ化金属単結晶をその融点未満の温度まで加熱した後、室温まで徐冷するフッ化金属単結晶の熱処理方法において、２５０℃以上、（Ｘ_melt−５００）℃以下の範囲にある所定の温度までは、真空排気下に昇温を行い、当該所定温度に到達した後にフッ素系ガスを熱処理炉内に導入するとともに、該熱処理における最高温度を（Ｘ_melt−３５０）℃以上、好ましくは（Ｘ_melt−１５０）℃以下とすることを特徴とするフッ化金属単結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】積層するウェーハ数を多くした場合でも、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができ、また、積層したウェーハ相互間の接着を抑制し、剥離性を高めることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハＷの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックＷ_Ｂを形成し、該ウェーハブロックＷ_Ｂの最下部のシリコンウェーハＷ_Ｕの平面のみを第１熱処理用部材３２の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックＷ_Ｂを水平保持させると共に、第２熱処理用部材３４により前記水平保持させたウェーハブロックＷ_Ｂの外周囲全体を囲繞させて、１２７０℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを熱処理中に支持するための支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハを提供する。
【解決手段】単結晶シリコンで構成された半導体ウェハを、半導体ウェハの熱処理中に支持するための支持リングであって、外部側面および内部側面と、外部側面から内部側面に延在し、半導体ウェハの配置に役立つ湾曲面とを含み、湾曲面は、直径３００ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には６０００ｍｍ以上９０００ｍｍ以下の曲率半径を有し、直径４５０ｍｍの半導体ウェハの配置用に設計されている場合には９０００ｍｍ以上１４０００ｍｍ以下の曲率半径を有する、支持リング、該半導体ウェハの熱処理のための方法、および単結晶シリコンで構成された熱処理された半導体ウェハである。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理時のウェーハの撓みを抑制し、スリップ転位の発生及びウェーハ表面へのパーティクルの付着を防止することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットをスライスして得られたシリコンウェーハの裏面の外周領域をサポートリングにより支持し、前記シリコンウェーハの外周縁から中心に向かって５ｍｍの位置である外周部の温度が、該シリコンウェーハの中心部の温度よりも４℃以上３０℃以下の範囲で高く、かつ、該シリコンウェーハの外周縁の温度が、前記外周部の温度よりも低くなるように、前記シリコンウェーハの面内温度を制御しながら熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体形成に好適な、シリコンウェーハをベースとした安価な形成用基板を提供することである。また、厚膜の窒化物半導体エピタキシャル層を成長させた場合でも、各材料間の格子定数差および熱膨張係数差から生じる、反り・クラックの発生を低減し、機械的強度や、熱的強度に優れた窒化物半導体形成用基板を提供すること。
【解決手段】ボロンとゲルマニウムとが特定濃度でドープされており、好ましくはボロンとゲルマニウムの濃度比において、ゲルマニウムの濃度をボロンの濃度の５〜８倍と制御したシリコンウェーハ。 （もっと読む）